今日最值得关注的变化
SLC NAND 26H2合约价环比
+120~170%
TrendForce预测,国信证券引用
电子布报价(7628,1月→8月)
4.62→10.2
元/米,涨超120%,东吴证券
磷化铟衬底供需缺口
超七成
需求260-300万片vs产能75万片
MLCC龙头BBRatio(6月下旬)
1.25~1.31
村田/三星电机/太阳诱电,历史新高
英伟达拟投资Cloverleaf
数亿美元
电力开发商,已售7GW+储备10GW+
三星晶圆代工先进制程新单
最高+15%
万联证券,AI芯片需求推高产能紧张
- 1存储：国信证券指出三星/铠侠/美光正加速退出2D NAND产能，供给退出叠加AI边缘/数据中心/汽车电子需求挤占，TrendForce预计26H2 SLC NAND合约价较上半年环比上涨120-170%。
- 2光模块：开源证券引Yole数据，2026年全球磷化铟(InP)衬底需求260-300万片(2英寸)，有效产能仅约75万片，缺口超七成；Lumentum高管在RAISE Summit称InP激光器供货缺口已超同期存储芯片紧缺程度。
- 3电子布/CCL：东吴证券中报点评显示，中国巨石7628电子布主流报价中位数从1月的4.62元/米涨至8月的10.2元/米，涨幅超120%，公司上半年资本开支同比+560%用于扩产。
- 4电力：华鑫证券披露英伟达正洽谈向数据中心电力开发商Cloverleaf Infrastructure投资数亿美元，该公司过去两年已出售超7GW powered land项目，目前储备超10GW，是继SB Energy、俄亥俄PORTS-Pike项目后英伟达在电力资源上的又一笔投资。
- 5被动元件：天风证券引TrendForce数据，村田/三星电机/太阳诱电6月下旬BBRatio分别达1.30/1.31/1.25历史新高；英伟达GB200升级至Rubin后单板MLCC用量从约6500颗翻倍至12000颗，供需紧张有望延续至27-28年。
🔑 核心判断
AI通胀的约束正在从GPU本身，向存储(SLC NAND新增涨价品类)、上游材料(电子布/磷化铟衬底)与电力基础设施三个方向同步扩散——今日多篇一手数据首次把此前"预期"性质的InP缺口、电子布涨价传导，坐实为具体的价格与产能数字。
同时也出现分化信号：中邮证券对雅创电子的调研显示，村田MLCC当前价格仍整体稳定、暂无公开涨价函，提示涨价节奏在不同品类/厂商间并不同步，需持续跟踪落地情况而非线性外推。
图0 · 今日各品类涨价/紧缺幅度汇总
怎么看：横轴为可比的涨价/缺口幅度区间（%），SLC NAND、电子布是当日最硬的新增量数据，磷化铟缺口与MLCC BBRatio反映的是供给紧张程度而非直接提价，但同样指向价格上行压力。
外资券商
摩根大通
Asia Tech Tour：CCL/PCB供给紧张持续，服务器供应链涨价预期上修
- Unimicron(欣兴)：高端封装基板供不应求，LTA条款仅锁定交付量、不锁价格；基板毛利率仍能维持在50%-60%；EMIB-T基板复杂度高于CoWoS，目前3家基板厂参与，良率仍在爬坡。
- EMC(台燿)：管理层认同近期营收预期存在上修空间，重申产能扩张计划——到2027年底/2028年底分别扩产40-50%/70-80%；玻纤(低端CCL)、铜箔(高端CCL)持续短缺，推动CCL价格上涨，高端CCL/PCB厂商可顺畅传导成本、毛利率总体稳定。
- 更多AI PCB项目转向HDI工艺：除英伟达外，预计谷歌AI项目将于2027年下半年开始采用HDI(部分出货在4Q26用于验证)。
- 服务器供应链：EMC将3Q26营收指引上调至约+20% QoQ(此前约+15%)；Lotes、Chenbro均预计明年服务器营收增长30%以上；ASPEED计划4Q26上调价格，明年或有进一步提价，主因内存、CCL/PCB、MLCC等元件持续短缺。
图1 · EMC(台燿)CCL产能扩张计划 vs 服务器供应链营收增速指引
怎么看：产能扩张周期(至2027/2028年)明显慢于当下的需求增速上修节奏，这正是CCL/PCB当期涨价能够顺畅传导、且预计持续到产能释放前的核心逻辑。
摩根大通
Semiconductors：云资本开支上修印证存储涨价传导，HBM/DRAM/eSSD供应商定价权延续
- 亚马逊(AMZN)将资本开支上修200亿美元，管理层明确归因于内存成本上涨；报告称"内存仍是AI基础设施供应链中最紧张的环节之一"。
- 云厂商愿意为获取HBM/DRAM/eSSD产能而承受更高价格，被视为存储厂商定价权持续的直接证据，利好美光(MU)、闪迪(SNDK)营收、毛利率与盈利持续性。
💡 预期差
市场此前普遍将存储涨价压力视为对云厂商资本开支的利空，但摩根大通指出亚马逊的200亿美元资本开支上修恰恰是"为存储涨价买单"的结果——涨价没有压制资本开支意愿，反而被直接吸收进了更高的资本开支指引里，说明云厂商对AI基础设施的投入决心强于存储成本上涨的抑制作用。
内资券商 · 存储/HBM
国信证券
利基存储景气度持续：原厂加速退出2D NAND，SLC供需缺口扩大
- 三星：2026年3月关停2D NAND生产基地华城Line12厂，改造为DRAM后端工厂；铠侠：2026年3月发布停产通知，覆盖32/24/15nm全制程SLC/MLC/TLC，2029年将全面退出2D NAND；美光：2026年起削减2D SLC NAND产能。
- 供给退出叠加挤占效应，MLC NAND极度短缺，迫使部分工控、车用、网通客户改用SLC NAND，进一步加剧SLC供应紧张；AI边缘运算、数据中心、汽车电子对SLC需求持续提升。
- 据TrendForce预测，26年下半年SLC NAND合约价将较上半年环比上涨120-170%。
图2 · 2026年海外原厂2D NAND产能退出节奏
怎么看：三大原厂在2026年内密集宣布退出2D NAND，供给收缩节奏比市场此前预期更快，是SLC合约价26H2大幅上修的直接原因。
内资券商 · PCB/电子布/被动元件
东吴证券
中国巨石2026年半年报点评：电子布景气加速上涨
- 26H1营收111.59亿元(+22.50%)，归母净利润29.33亿元(+73.87%)；电子布销量5.44亿米，同比+12.16%，供应趋紧下量价齐升。
- 7628电子布主流报价中位数从1月的4.62元/米涨至8月的10.2元/米(卓创资讯数据)，涨幅超120%；Q2毛利率44.39%，环比+4.75pct。
- 上半年购建固定资产等支付现金21.54亿元，同比+560%，主要用于淮安40万吨高性能玻纤产线、10万吨电子级玻纤零碳智能产线建设。
- 普通电子纱紧缺，公司预计大规模有效新增供给要到2027年下半年才逐步兑现，电子布价格有望维持高位甚至进一步上行。
山西证券
生益科技首次覆盖：CCL及PCB业务受益AI算力全面通胀
- AI服务器、800G/1.6T交换机推动高端CCL需求激增，电子布、HVLP铜箔、树脂等原材料供给受限，年内普通FR4及高端覆铜板持续提价；26H1覆铜板业务毛利率29.16%，较25全年23.9%提升约5.25pct。
- PCB业务(子公司生益电子)26H1毛利率31.20%，较25全年提升2.59pct；东城智算中心HDI项目、吉安HLC项目释放/试产，泰国、东莞新工厂稳步推进。
- 产能扩张：江西生益二期2026H1全部投产，预计明年新增1800万平CCL产能；松山湖52亿高性能CCL项目预计26H2启动，远期新增年产能4800万平方米。
图3 · 电子布/CCL价格与产能扩张时间轴
怎么看：电子布价格在2026年内已实现翻倍以上涨幅，而龙头厂商的新增产能普遍要到2027年才逐步释放，价格上行窗口预计仍将持续1-2年。
天风证券
MLCC结构性周期：AI服务器重塑需求，高端供给刚性延续
- 据集邦咨询数据，英伟达GB200服务器1uF以上MLCC用量占比60%、耐高温用量占比高达85%；高端MLCC扩产受设备与原材料制约，周期长达18-24个月。
- 据TrendForce数据，龙头厂商村田、三星电机、太阳诱电2026年6月下旬BBRatio分别达1.30、1.31、1.25，均为历史新高。
- GB200向Rubin升级，单板MLCC用量从约6500颗翻倍至12000颗，三季度起AI侧MLCC供需紧张可能进一步加剧；村田等龙头26H1启动的扩产预计27年中至28年初才陆续投产。
- 据集邦咨询信息，6月大陆渠道市场对部分产品涨价15-25%；行业结构性紧缺或在27-28年持续存在。
国金证券
AIDC系列深度（五）三次电源：AI芯片功率跃升下的价值重估
- 据三星电机资料，AI服务器MLCC用量约2.8万颗，较通用服务器约2200颗提升约13倍；总电容量从约2.2万μF提升至约60万μF，提升约27倍。
- 村田FY2026Q1(4-6月)收入5023亿日元，同比+20.7%；元器件板块收入3468亿日元，同比+27.5%，占比由64.8%提升至69.0%；电容收入2825亿日元，同比+30.0%；在手订单6178亿日元。
- 英飞凌AI服务器业务营收FY25超7亿欧元，较FY24接近翻三倍；公司预计FY26收入再翻倍以上至约15亿欧元，FY27约25亿欧元；AI供电每千瓦价值含量100-250美元，平均约175美元/千瓦。
- DrMOS产品规格由50A向80A/90A以上演进，前四大海外厂商合计份额约85%，供应紧张打开国产导入窗口(杰华特等加速追赶)。
图4 · 村田元器件业务FY2026Q1分品类收入增速
怎么看：电容(MLCC为主)是村田本轮增长最快的品类，同比增速显著高于电感/EMI滤波器，印证AI服务器对高容值MLCC的拉动效应最为直接。
💡 预期差
MLCC涨价叙事内部出现分化：天风证券基于集邦咨询数据判断"6月渠道涨价15-25%"，但下游分销商雅创电子在半年报交流中透露村田当前"整体价格稳定、暂无公开涨价函"(详见M5专家会)。两者并不矛盾——高端AI专用料号与传统渠道产品的涨价节奏可能明显不同步，简单外推全品类同步涨价存在风险。
内资券商 · 光模块/InP·电力
开源证券
多家子公司产业化项目稳步推进：磷化铟+石英双线布局蓄力长期成长
- 光模块从800G、1.6T向3.2T演进，每一代均依赖磷化铟(InP)衬底制备高速激光器芯片，速率越高对芯片数量与功率要求越高，InP消耗量随之增加。
- 据Yole数据，2026年全球磷化铟衬底需求260-300万片(折合2英寸)，但有效产能仅约75万片，缺口超七成。
万联证券
通信行业跟踪 / 晨会：InP激光器缺口超存储芯片，晶圆代工与MLCC交期同步收紧
- Lumentum高管在RAISE Summit公开表示，磷化铟激光器的供货缺口已超过同期存储芯片的紧缺程度；英伟达宣布Spectrum-X以太网硅光交换机全面量产，全球首款200G/lane CPO交换机落地。
- 晶圆代工：受AI芯片需求推高产能紧张影响，三星电子已对部分先进制程新订单上调价格，涨幅最高达15%。
- MLCC：不同规格产品交货时间分化明显，通用型交期相对稳定，而AI服务器用高容量、高规格产品交货期显著延长，通常为5-10个月甚至更长。
- 存储：长江存储控股科创板IPO申请获受理，拟募资330亿元用于产线建设升级；SK海力士宣布回购40万亿韩元股份并全部注销。
图5 · 磷化铟(InP)衬底2026年供需缺口
怎么看：InP衬底全球有效产能仅覆盖约1/4的需求，且90%以上高端产能集中在住友电工、AXT、JX金属、Coherent等海外厂商手中，良率爬坡需3-5年，是当前AI通胀链条中缺口最大的环节之一。
华鑫证券
AI算力需求持续高景气，产业瓶颈向电力基础设施扩散
- 供给约束正从GPU向存储、电力及数据中心基础设施扩散；英伟达正洽谈向数据中心电力开发商Cloverleaf Infrastructure投资数亿美元——该公司核心能力是提前与公用事业公司签订电力协议、锁定具备可靠电力供应的土地资源，过去两年已出售超7GW powered land项目，目前项目储备超10GW。
- 此前英伟达已向软银旗下SB Energy投资15亿美元，并参与支持俄亥俄州PORTS-Pike大型数据中心项目(约8GW IT负荷)；连续多笔投资表明电力资源已从数据中心建设的配套条件，上升为决定AI算力扩张速度的核心战略资源。
- 新一代Vera Rubin等平台推动单机架功率密度由百kW级向数百kW甚至MW级演进，推动HVDC、800VDC、SST、中压UPS等新型供电架构加快发展，变压器、开关设备、储能、备用及现场电源等环节单位投资强度有望提升。
🔑 核心判断
英伟达对电力资源的投资已从"一次性支持"演变为"系列化布局"——SB Energy、PORTS-Pike、Cloverleaf Infrastructure三笔动作叠加，说明头部算力厂商正在把电力资源获取能力当作与GPU产能同等级别的战略资产来经营，而非被动应对缺电问题。
专家会 / 产业调研纪要
⚠️ 中邮电子｜雅创电子 2026年半年报交流(2026-08-25)
雅创电子被动元件分销业务下游结构：整合雅创本体、怡海能达、威雅利三家村田核心代理商后，按下游拆分约为汽车40% / AI及光通信·服务器·电源客户40% / 泛工业20%，消费电子占比极低。
公司管理层明确表示，截至目前村田MLCC价格整体仍偏稳定，暂无公开的大规模涨价函，终端定价仍主要由供需关系主导；公司作为TO B分销商坚持中长期定价策略，被动元件毛利是公司整体毛利的重要组成部分。
💡 交叉验证
这条一手渠道信息与M3天风证券基于集邦咨询数据得出的"6月渠道涨价15-25%"形成对照：涨价压力更多体现在AI专用高规格料号与部分紧俏产品上，而非村田面向传统渠道的全线官方提价——建议后续跟踪村田是否发布正式涨价函作为验证节点。
分环节速览
| 环节 | 核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源(数据日期) |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | SLC NAND 26H2合约价环比涨120-170%(三星/铠侠/美光退出2D NAND)；HBM混合涨幅预测43%+或达50%(延续08-24) | 涨价扩大 | ↑↑ | 国信证券(08-25)；摩根大通(08-24) |
| PCB/CCL/电子布/铜箔 | 电子布1月4.62→8月10.2元/米(+120%+)；覆铜板毛利率29.16%(+5.25pct)；CCL产能27/28年底+40-50%/70-80% | 持续上涨 | ↑↑ | 东吴证券/山西证券/摩根大通(08-25) |
| 模拟与功率半导体 | 三星先进制程新订单涨价最高15%(08-25)；ST年内三次涨价落地,车规MCU累计+15-20%,台厂10月跟涨10-15%(延续08-24) | 涨价延续 | ↑ | 万联证券(08-25)；开源证券(08-24) |
| 被动元件(MLCC) | 村田系三厂BBRatio 1.25-1.31创新高；GB200转Rubin用量6500→12000颗；AI服务器MLCC交期5-10个月+；但村田渠道价当前仍稳定暂无涨价函 | 分化：紧缺但提价未全面落地 | ↑ | 天风/国金/万联/中邮证券(08-25) |
| 光模块/光纤 | 磷化铟衬底2026年需求260-300万片vs产能75万片,缺口超七成；InP激光器缺口已超存储芯片紧缺程度 | 供给严重紧缺 | ↑↑ | 开源证券/万联证券(08-25) |
| 电力与能源 | 英伟达洽谈投资电力开发商Cloverleaf数亿美元(已售7GW/储备10GW+)；此前SB Energy 15亿美元+俄亥俄8GW项目(延续) | 战略布局加码 | ↑ | 华鑫证券(08-25) |
| 上游材料与液冷 | 当日无有效增量数据 | — | → | — |
产业链全景图谱
需求端
英伟达GB200/Rubin服务器
AWS Trainium / Google TPU v8
亚马逊(资本开支+200亿美元,08-25)
腾讯/阿里/百度/小米(Q2资本开支超1350亿元)
▼ AI资本开支持续上修，拉动核心组件涨价
核心组件
HBM/DRAM混合+43%~50%(08-24)
SLC NAND环比+120~170%(08-25)
MLCCBBRatio创新高(08-25)
CCL/PCB产能27/28+40-70%(08-25)
光模块(CPO/InP激光器)缺口超存储(08-25)
先进制程晶圆代工+15%(08-25)
车规MCU/模拟芯片+15-20%(08-24)
▼ 拉动上游材料紧缺
上游材料
电子布1→8月+120%+(08-25)
磷化铟(InP)衬底缺口超七成(08-25)
HVLP铜箔供给受限(08-25)
钽电容年内第四次涨价+30%(08-24)
▼ 驱动电力基础设施
电力基建
英伟达投资Cloverleaf Infrastructure数亿美元(08-25)
SB Energy / 俄亥俄PORTS-Pike 8GW(延续)
变压器/HVDC/800VDC/中压UPS