今日最值得关注的变化

本期覆盖 2026年8月28日–31日发布的研报、点评与电话会;去重基准为 8月27日期日报。英伟达 8月27日盘后发布 FY27Q2 财报,叠加月末数据,存储、覆铜板、被动元件、电力四条线同步出现增量。

英伟达季度采购承诺
2790亿美元
环比+1600亿,几乎全投 HBM/DRAM 长协
DRAM 混合 ASP · 2026E 同比(瑞银)
+240%
2027E 因长协压制"仅"+44%
HBM4 交期(美光专家纪要)
35–40
服务器 DDR5 交期 16–24 周
全国 7628 普通电子布均价 · 截至8/20
10.1元/米
同比 +143.4%(西部证券)
英伟达 Q3 毛利率指引
74%
Q4 触底 71–72%,受 HBM"极端定价"拖累
建滔积层板 · 年内涨价函
第 7 份
8/28 起 FR-4 +10%、薄布 PP +20%
🔑 今日核心判断

英伟达把"供给不足至 FY2028"写进电话会、并用 2790 亿美元采购承诺把 HBM/DRAM 产能锁死到 2028 年——这为整条 AI 通胀链再加一道锚:涨价不再是预期,而是被长协固化的两年确定性。存储端的边际变化转向"结构":现货与短约价格继续飙(韩国 DRAM 出口单价两个月 +36.6%),但长协(LTA)把混合 ASP 涨幅从 2026 的 +240% 压到 2027 的 +44%,且部分利基/消费客户已"吃不动"、需求向高承接力大客户集中。

覆铜板与电子布进入"涨价扩散 + 节奏切换"阶段:CCL 头部 8 月仅提价一次、间隔逾两月,提价放缓;而电子布因织布机产能瓶颈,缺口延续至 2027 年 4 月、景气与提价频次反超覆铜板。被动元件由"仅对代理商调价"升级为"对 OEM/ODM 正式涨价",是 MLCC 上行周期确立的关键信号。电力侧,马斯克与多家电话会共同指向"电送不到机房"——变压器交期、并网排队、燃机产能成为 2027 年算力落地的硬约束。

图0 · 本期披露的涨价 / 价格数据点汇总
单位:%(涨幅)|数据来源:建滔涨价函、松下、TrendForce、瑞银、韩国贸易协会、西部证券、国盛证券 | 截止 2026-08-31
怎么看:时间口径不一(环比/同比/累计并存,已在标签注明),仅用于横向感受本期各环节涨价强度——普通电子布同比、DRAM 全年混合 ASP 属"累计/同比"级别涨幅,CCL/MLCC/DDR4 属单轮或单季环比涨幅。
外资券商 · 内存与GPU供给
瑞银证券
UBS Tech Views:供给约束下的英伟达上行,持续至 2027 年底
APAC Technology | 2026-08-31 | 分析师 Randy Abrams、Nicolas Gaudois 等

核心观点:AI 加速器(GPU+TPU)采购动能 2026 延续至 2027,前道晶圆产能持续向 HBM 倾斜、挤压普通 DRAM。

  • 分配给 HBM 的前道晶圆产能:2025 年底约 390k 片/月 → 2026 年底 500k → 2027 年底 690k
  • DRAM 行业维持供不应求至 2028 年二季度,NAND 至 2027 年四季度;AI 与数据中心的上修足以抵消 PC/手机的下修。存储厂盈利在 2028 年二季度前不会见顶
  • 英伟达 2026 年 AI GPU 产量测算 1030 万颗(Blackwell 620 万、Rubin 210 万、Hopper 74.6 万),Rubin 自 2026 下半年起显著上量。
  • 行业 CoWoS 产能:2026 年底达 160k 片/月、2027 年底 >250k 片/月(台积电由 130k 扩至 180k)。
图1 · 瑞银:HBM 前道晶圆产能与 CoWoS 先进封装产能扩张路径
单位:k 片/月 | 数据来源:瑞银证券估算 | 截止 2026-08-31
怎么看:HBM 晶圆产能两年翻近一倍(390→690),但同期 CoWoS 也从 160 扩到 250+,先进封装不再是唯一瓶颈——瓶颈重新回到 HBM 本身的晶圆与良率。
摩根士丹利
中国存储:重塑全球竞争格局
Foreign Report | 2026-08-28 | 分析师 Shawn Kim 等

核心观点:AI 需求吸收新增供应,把"中国存储扩产影响全球定价"的时点推迟到 2028 年;在此之前 HBM 挤出效应主导。

  • HBM 的比特产出惩罚(同等晶圆的比特数减少)由 2021–23 年约 2.5 倍升至 2028 年预计约 3 倍。
  • HBM 占先进 DRAM 晶圆消耗比重:2023 年约 6%2028 年预计 34%
  • 计入长鑫(CXMT)HBM 爬坡后,大摩模型显示 2026 年全球 DRAM 供应缺口约 17%、2027 年约 15%
  • CXMT 2027 年或产约 300–400 万颗 HBM3E 堆叠,足以支持约 80–100 万颗国产 AI GPU;HBM3E 可能是 2027 年国产 AI GPU 的主要瓶颈。
  • 行业当前 DRAM 营业利润率 >80%,大摩预计周期内长期正常化至 50%;NAND 因长存进展更快回落至 15–20%。
图2 · 摩根士丹利:HBM 对先进 DRAM 晶圆的挤出,与全球 DRAM 供应缺口
单位:% | 数据来源:摩根士丹利模型 | 截止 2026-08-28
怎么看:HBM 吃掉的先进 DRAM 晶圆份额 5 年翻 5 倍(6%→34%),是普通 DDR5/LPDDR 供给持续偏紧、价格易涨难跌的结构性根因;2026–27 年 15–17% 的缺口意味着涨价周期尚未过半。
💡 预期差

市场此前担心"中国存储放量 = 价格拐点",但大摩明确把这一影响推迟到 2028 年——理由是 AI 需求(尤其 HBM 挤出)吸收了所有新增供应,长鑫/长存 2027 年前的产量主要用于国产替代与填补缺口,而非冲击全球定价。这与瑞银"存储盈利 2028Q2 前不见顶"相互印证。

外资券商 · 建滔积层板投资者会议
美银证券
建滔积层板:投资者会议纪要——下半年涨价延续、AI 占比上升,目标价上调至 65 港元
Foreign Report | 2026-08-28(会议 8月27日)| 分析师 Katherine Zhu 等

核心观点:CCL 涨价对利润有 1–2 个月滞后(交期由过去 7–10 天延长至 1–2 个月),涨价效果尚在陆续兑现。

  • 7 月单月利润 11 亿港元反映的是 5–6 月 CCL 价格;7–8 月的涨价将体现在 8–10 月利润
  • 董事长对 2026 年盈利 100 亿港元有信心(隐含下半年 70 亿港元以上)。
  • 涨价可持续——玻纤布供给失衡是结构性;行业不太可能大规模改用国产织机(良率低、纱线损耗致成本更高)。
  • 汽车/手机 OEM 面临更紧的 PCB 供给,正主动与 CCL/材料供应商谈判锁量,品牌吸收成本意愿上升。
  • AI 进展好于预期:已通过 6 家 CCL 客户 low-DK1/2 与 T-glass 认证;今年新增 4 座 T-glass 窑炉;low-DK1 已达高稼动率/良率。
  • 专用玻纤布、高端铜箔、M6+ CCL 2027 年产能已全部订满。目标价 65 港元(13x 2H26–1H27E P/E)。
图3 · 建滔积层板:CCL 涨价的利润滞后传导(1–2 个月)
单位:亿港元(月度利润)| 数据来源:美银证券、公司会议 | 截止 2026-08-28
怎么看:交期拉长把"涨价函—利润兑现"之间的时滞从 1 周拉到 1–2 个月,意味着 7–8 月已发生的涨价要到 8–10 月报表才充分显现——下半年利润弹性尚未在现有数据中体现。
外资券商 · 日系电子材料
高盛集团
7 家电子材料公司盈利预测修正:上调昭和电工、JX金属、日东纺,下调三菱瓦斯化学至中性
Foreign Report | 2026-08-31 | 分析师 Atsushi Ikeda、Yuri Izumikawa

昭和电工(Resonac):2Q FY26/12 核心营业利润 551 亿日元(+179% YoY / +64% QoQ),半导体与电子材料板块利润率 25.2%→28.9%;全年指引上调 560 亿至 1960 亿日元(高盛估 2020 亿)。

  • AI 用 CCL 全年销售近 4 倍 YoY,整体 CCL 业务收入 +90% YoY,叠加约 30% 涨价——量在涨价下仍扩张,验证高端 CCL 竞争力。
  • NCF 已拿下 HBM4 订单;TIM 材料销售今年约翻倍。
  • HDD 介质:7 月底在 5 月投资之上追加约 150 亿日元新加坡投资,产能 +40%(约 1.6 亿→2.3 亿片/年,2030 年前);已与 HDD 厂商就等额涨价达成协议,2H FY26/12 提价效应 >10%、FY27/3 再约 10% 全年。

日东纺(Nittobo):FY27/3 营业利润指引由 260 亿上调至 300 亿日元,高盛进一步上调至 326 亿;FY28/3 营业利润预增 41% YoY;AI 服务器 PCB 用 NE/NER 低介电玻纤布销售强劲。

JX 金属 / 三井金属:PCB 铜箔产能扩至约 1400 吨/月(FY31/3,约翻倍),HVLP4 及以上超高端仍极度偏紧;但因 VSP 竞争担忧,目标价下调 31%(¥62,600→¥43,200)。钽粉(电容用)1Q 出货 +89% YoY;钛铜 FY27/3 1Q 出货 +42% YoY(服务器相关 +95%);MLCC 用镍粉(东邦钛)FY27/3 收入约 +40%——AI 服务器 MLCC 用量为常规服务器 10 倍以上

三菱瓦斯化学(下调至中性):CCL(BT 材料)FY27/3 销售仅 +24% YoY(vs 昭和电工近 4 倍);3 月宣布全线 +30% 涨价,但对 FY27/3 一季度贡献有限,定价传导弱于同业。

图4 · 日系电子材料:全年营业利润指引的上修幅度
单位:亿日元 | 数据来源:高盛集团、公司指引 | 截止 2026-08-31
怎么看:昭和电工(AI CCL 近 4 倍量增 + 30% 涨价)与日东纺(低介电布)指引连续上修,是"AI 服务器 PCB 材料量价齐升"最直接的财务验证;三菱瓦斯化学的落后说明"能否拿到 T-glass / 低 CTE 玻纤布"决定谁能真正兑现涨价。
外资券商 · MLCC 7月贸易数据
花旗 / 高盛
日本 7 月 MLCC 出口贸易数据:量价齐升,AI 服务器需求延续
Foreign Report | 2026-08-28(日本财务省 8/28 发布)| 分析师 Takayuki Naito(花旗)、Daiki Takayama 等(高盛)

花旗:7 月 MLCC 出货量 +10.5% YoY / +18.7% MoM;出货额 +33.5% YoY / +18.6% MoM(美元口径 +21.3% YoY);ASP +20.9% YoY / −0.1% MoM。判断上半年 AI 服务器需求延续、叠加高端手机季节性;认为目前尚未发生广泛涨价,村田股价被显著低估。

高盛:出口均价 −1% MoM、出口量 +20% MoM、出口额 +19% MoM;同比口径价 +21% / 量 +4% / 额 +25%——价格增速明显快于出货量,清晰指向 AI/数据中心应用强劲。维持村田(确信买入)、太阳诱电、TDK 买入。

野村:香港 MLCC 统计显示 7 月自中国台湾进口量回升,但自台湾进口均价已跌破 3 月涨价前水平——反映低端高度商品化 MLCC 需求价格弹性高。

汇丰(引 TrendForce):6 月村田、三星电机、太阳诱电三大日韩厂商出货创五年月度新高;主流 MLCC 库存普遍降至 30 天以下;提前备货的代理商乘机涨价平均 20–25%,现货报价飙至原值 2–3 倍。

图5 · 日本 7 月 MLCC 出口:出货量、出货额、ASP 的同比与环比
单位:% | 数据来源:日本财务省贸易统计(花旗整理)| 截止 2026-08-28
怎么看:ASP 同比 +20.9% 但环比基本持平,出货额同比 +33.5% 主要靠"价"而非"量"——AI/DC 结构性拉动明显,但原厂出厂价的普涨尚未大规模落地,与野村观察到的低端现货价回落形成对照。
💡 预期差

MLCC 出现"高端紧、低端松"的分化:AI 服务器用高容/高端料号供需持续偏紧、原厂对 OEM 正式涨价(见三星电机 26Q4 涨价),但消费级、低容商品化料号的现货价在 8 月已从高位回落(野村:自台进口均价跌破 3 月涨价前水平)。市场对"MLCC 全面涨价"的线性外推需要打折——真正有持续提价能力的是 AI/车规相关的高端产品线。

内资券商 · 存储 / HBM
兴证电子 / 天风电子
长鑫科技(CXMT)26H1 业绩点评:Q2 利润翻倍,LPDDR6 量产
分析师点评 | 2026-08-28 前后 | 券商前缀标注:兴证电子、天风电子
  • 26Q2 营收 995.10 亿元(同比 +977% / 环比 +96%),净利润 745.38 亿元、归母净利润 528.43 亿元,毛利率 87.6%(同比 +75pct / 环比 +8pct),净利率 74.9%。
  • 26H1 营收 1503.1 亿元(同比 +874%),归母净利润 776.1 亿元;按 Omdia 出货量口径已为中国第一、全球第四大 DRAM 厂商。
  • 公司判断 2026 下半年全球 DRAM 供给紧张仍将延续,AI 服务器/HBM 持续挤占产能,DDR/LPDDR 价格仍具支撑;天风口径 H1 经营性现金流约 1312 亿元、期末货币资金 1434 亿元,支撑合肥/北京扩产。
  • 兴证判断供需紧张有望延续到 2027 下半年之后;LPDDR6 已量产。
图6 · 长鑫科技单季营收与毛利率跃升
单位:亿元 / % | 数据来源:兴证电子(Q1 数值由环比增速倒推)| 截止 2026-08-28
怎么看:单季毛利率冲到 87.6%(大摩口径行业 DRAM 营业利润率 >80%),是本轮存储超级周期利润弹性的极端样本;后续增长核心从"产能爬坡"转为"新增产能落地节奏"。
国盛证券
香农芯创:存储景气持续向上,海普放量驱动业绩高增
Domestic Report | 2026-08-28 | 分析师 佘凌星 等
  • 26H1 营收 602.04 亿元(+251.6%),归母净利润 36.42 亿元(+2207%);26Q2 营收 364.40 亿元(+295% YoY / +53% QoQ),毛利率 13.23%(同比 +10pct)。
  • 自主品牌"海普存储"(企业级 DDR4/DDR5、Gen4 eSSD)H1 营收 36.26 亿元(+996%),毛利率 53.51%(同比 +53.2pct),已进入大规模销售阶段。
  • 引 TrendForce:Server DRAM 合约价 2026 年累计上涨约 270%、Enterprise SSD 累计上涨约 235%;部分 LTA 约束短期涨价,但 2027 年合约价仍将维持高位。
图7 · 内资券商采用的存储价格累计涨幅口径
单位:% | 数据来源:国盛证券(引 TrendForce)、湘财证券、东吴证券 | 截止 2026-08-28
怎么看:不同口径的累计涨幅差异极大(合约价 vs 现货价,起点不同),共同点是均处于历史极值区间;湘财提示 6 月起 NAND 进入"高价停滞期"、下游模组厂利润承压、买方转向保守观望,是本轮少见的需求侧降温信号。
⚠️ 需求侧降温信号

湘财证券:NAND Flash 合约均价至 2026 年 6 月较 2025 年 9 月增长 6.6 倍,但 6 月增速明显放缓、进入"高价停滞期"——下游模组厂成本与资金压力沉重、利润被严重压缩,买方普遍调降采购预算或延后拉货。DDR5(16G)现货价 2026 年已趋于平稳。这与英伟达/长鑫的"供给紧张延续"并不矛盾:紧的是 AI 相关的 HBM/服务器 DRAM,松的是消费/模组端。

内资券商 · PCB / 覆铜板 / 电子布
建滔涨价函
建滔积层板 8月28日下发年内第 7 份涨价函,海外厂商同步扩散
一手涨价函 + 卖方梳理 | 2026-08-28 | 建滔历次涨价:3/10、4/3、4/28、5/27、6/16、7/6、8/28
  • 建滔:所有厚度 FR-4 统一 +10%;7628(含)以上厚布 PP +10%、7628 以下薄布 PP +20%——因玻璃布、铜箔等核心主材供应紧缺、价格大幅上涨。
  • 松下:9 月起普通多层板及半导体封装用材料最高 +30%;中国台湾南亚塑胶 CCL/半固化片 +20–25%;迅达科技等汽车/FCCL 产品 +15%。涨价同步波及中日台头部厂商。
  • 据市场测算,2026 年 AI 服务器专用高端铜箔需求约 2.4 万吨,同比约 +260%
东莞证券
生益科技深度:涨价及 AI 双重驱动,业绩持续兑现
Domestic Report | 2026-08-31 | 分析师 罗炜斌、邓升亮
  • 26H1 营收 190.26 亿元(+50.05%),归母净利润 32.87 亿元(+130.42%);Q2 营收 108.84 亿元(+33.69% QoQ)、归母 21.29 亿元(+83.82% QoQ);H1 毛利率 30.69%(+4.83pct)、净利率 19.54%(+6.74pct)。
  • 驱动:常规 CCL 多轮顺价 + AI 高端 CCL 放量 + PCB 业务高景气。M9 为大陆唯一获北美 N 客户认证厂商;Rubin 平台 CCL 升级至 M8、部分 M9,ASIC 阵营加速导入 M7/M8。
  • 拟投资 52 亿元建"松山湖第二工厂"(年产 3840 万张 CCL + 10000 万米粘结片),一期预计明年投产。
  • CCL 成本结构:铜箔 42.1%、树脂 26.1%、电子布 19.1%——三大主材同步上涨,覆铜板厂议价权较强、具备调价条件。
图8 · 覆铜板(CCL)成本结构:三大主材同步涨价
单位:% | 数据来源:东莞证券(引南亚新材招股书)| 截止 2026-08-31
怎么看:铜箔(42%)+ 电子布(19%)合计占 CCL 成本超六成,且两者当前都在涨——这是 CCL 厂商"被动顺价"的成本端根因,也解释了涨价为何能沿产业链同步扩散。
西部证券
国际复材首次覆盖:国内低介电布龙头,AI 放量开启成长新阶段
Domestic Report | 2026-08-31 | 分析师 张欣劼 等
  • 普通电子布因转产特种布挤占产能 + 厚布转薄布趋势,价格显著上涨:截至 2026/8/20,全国 7628 电子布均价 10.1 元/米,同比 +143.4%,年初以来均价同比 +57.9%。
  • 公司 2024/2025 电子布销量同比 +27.6% / +23.1%,产销比 98.7% / 126.3%,供不应求。
  • 全球低介电布由日企主导(2025:日东纺 35%、旭化成 20%),国内泰山玻纤 13%、光远新材 4%、宏和科技 4%,国产厂商加速破局。
  • 受织布机产能瓶颈及电子纱约束,中短期普通电子布供需缺口较难缓解
图9 · 电子布与高端铜箔:AI 拉动下的价格 / 需求增速
单位:% | 数据来源:西部证券、市场测算 | 截止 2026-08-31
怎么看:普通电子布同比翻倍以上、AI 高端铜箔需求同比 +260%,是覆铜板成本端"易涨难跌"的两大推手;国泰海通电话会进一步指出下半年电子布缺口的持续性与提价频次将反超覆铜板
内资券商 · 被动元件 / 功率半导体 / 电力
华福证券
新材料周报:三星电机 MLCC 涨价(引 TrendForce 行业调查)
Domestic Report | 2026-08-27 | 分析师 孙范彦卿
  • 韩国三星电机(SEMCO)主导 2026 四季度 OEM/ODM 价格上调——消费级 X5R 平均 +25–30%此前惯例仅对销售代理商调价,本次转向直接对 OEM/ODM,标志 MLCC 行业正式进入上升周期。
  • AI 服务器高端 X6S 视谈判 +10–20%;村田、太阳诱电、京瓷暂持观望,是否跟进为关键指标。
  • 中国台湾/大陆厂商中高容消费产品 +10–20%,部分稼动率已近 90%;光通信模块供应缺口扩大进一步加剧 MLCC 需求紧迫;TrendForce 预计 26Q4 MLCC 供需缺口进一步扩大。
海通国际
AI 服务器 800V 架构下的功率半导体:行业供需趋紧,涨价周期确立
热点速评(产业研讨会 + 与纳芯微/扬杰科技/AOS/PI 交流)| 2026-08-28 | 分析师 崔冰睿、金稚皓
  • 功率半导体行业普遍缺货:扬杰科技满产扩线,海外头部厂商产能优先保障 AI 电源供给,下半年出现多轮涨价并向下游传导
  • 行家说数据:英飞凌 AI 相关营收由 2025 年 55 亿元增至 2026 年预计 118 亿元、2027 年接近 200 亿元
  • 全球 800V AIDC 公开项目已统计约 25 个(中国 15 个、美国 8 家厂商);NVIDIA 机柜单柜功率由 H100 时代约 40kW 升至 GB300 142kW、Rubin 约 210kW、Kyber 600kW,Feynman 时代逼近 1MW——5 年增长近 20 倍。
图10 · NVIDIA 机柜单柜功率的指数级攀升
单位:kW | 数据来源:海通国际测算、东方证券(引英伟达)| 截止 2026-08-28
怎么看:单柜功率 5 年近 20 倍,直接催生 800V 供电架构、SST、液冷、变压器、燃机的全链条需求扩容——这是"AI 通胀"从芯片/材料蔓延到电力设备的物理根因。
广发证券 / 国泰海通
燃气轮机:西门子上调需求预期,GEV 订单与产能同步扩张
Domestic Report | 2026-08-28 / 08-31 | 分析师 孙柏阳 等 / 肖群稀 等
  • 据 S&P Global:西门子将未来几年全球燃机需求预期由 90–100GW 上调至 110–120GW;核心主机厂排产已延伸至 2030 年。
  • GEV 二季度发电板块新增订单 167 亿美元(+134% YoY),在手订单由 100GW 增至 116GW、预计年末达 125GW;燃机订单 113 台(vs 2025Q2 的 47 台,+140%)。GEV 年产能计划由 2026/7 的 20GW 提升至 2030 年的 30GW。
  • 杰瑞股份与全球知名云服务商签署 14.65 亿美元燃气轮机发电机组供应合同。
国金 / 国海 / 东方财富 / 大摩
成熟制程与电网设备:涨价与交期同步拉长
Domestic / Foreign | 2026-08-27 至 08-31
  • 国金证券(中芯国际深度):2025 年稼动率 93.5%(+8pct);2026 年全球 8 英寸产能整体收缩、海外 IDM 关停老旧 8 英寸线;部分热门平台(BCD、NOR Flash、MCU)已出现实质性涨价;综合 ASP 2026–28 年 985/1000/1020 美元。
  • 国海证券:某成熟制程代工厂 2026H1 晶圆销量 537.9 万片(8 英寸当量,+14.9%),平均单价由 903 美元升至 966 美元;稼动率 93.1%(Q1)→93.7%(Q2)→预计 95%(Q3)。
  • 东方财富证券:北美电力变压器交付周期较疫情前抬升近 7 倍;2025 年全球数据中心用电约 485 TWh,IEA 预计 2030 年翻倍至约 950 TWh(约占全球电力 3%)。
  • 摩根士丹利(思源电气):全球电力变压器持续短缺,美国订单可转移至欧洲/中东缓冲;思源变压器产能预计 2027Q4 全面投产后达约 100 亿元。
图11 · 电力与功率侧的三条增量曲线
单位见图例 | 数据来源:海通国际、广发证券、东方财富证券 | 截止 2026-08-31
怎么看:英飞凌 AI 相关营收两年从 55 亿冲向 200 亿元、燃机需求预期上台阶、变压器交期 7 倍——功率半导体、燃机、电网设备三条链条的"量价齐升"确定性正在被财务与订单数据逐一验证。
分析师点评与专家电话会
🔑 英伟达 FY27Q2 电话会(8月27日盘后)

营收 962.21 亿美元(+106% YoY),数据中心 890 亿(占 92.5%),毛利率 75.0%;Q3 指引中值 1080 亿美元。CFO:FY2028 营收增速约 70%,供应至少到 FY2028 仍是主要瓶颈,若无供应限制业绩有望接近翻倍。

供应与产能采购承诺由 1190 亿美元跃升至 2790 亿美元,新增约 1600 亿几乎全部投向 HBM 与 DRAM 长协,直接锁定原厂未来两年产能。单位算力对应收入由 Blackwell 时代约 250 亿美元提升至约 400 亿美元。华西证券补充:受 HBM"极端定价",Q3 毛利率 74%、Q4 触底 71–72%、FY2028Q1 涨价生效后回升 72–73%;GB300 机架本季出货环比 +15% 至 1.7–1.8 万套,VR200 单柜功耗约 225kW。

⚠️ 美光北美专家纪要

HBM 需求同比 +100%、DRAM 同比约 +60%、NAND <20%。美光面临严重供应限制:HBM4 交期已延长至 35–40 周、服务器 DDR5 交期升至 16–24 周(三星 DDR5 交期 12–18 周)。美光已取消长期供应协议、移除供应保障、要求客户预付款,并转向固定容量或上下限定价区间。

满足率:DDR5 产品约 75–80%、高容量 RDIMM 约 60–75%、企业级 SSD 约 75–80%。"几乎没有库存闲置哪怕 24 小时——一旦库存进来,就没了。"

💡 瑞银内存渠道调研

模型显示 DRAM 混合 ASP 2027 年"仅"同比 +44%(继 2026 年预期 +240% 之后)——因大部分数量被固定在长期协议(LTA)的固定定价上,压低了混合 ASP。HBM 供需差距将进一步扩大,因 DRAM 厂还需满足服务器 DDR5/LPDDR5X 数量请求的增加。

🔑 韩国贸易协会数据(韩国半导体产业协会专务安基贤解读)

用于制造 HBM/LPDDR 等 AI 芯片的 DRAM 出口量由 5 月约 6.82 亿个降至 7 月 5.92 亿个(−13.2%),但同期出口总额由 114.28 亿美元增至 135.52 亿美元(+18.5%),出口单价由 16.76 美元飙升至 22.90 美元(+36.6%)。HBM4 量产初期良率低于 HBM3E,耗用 DRAM 增加,进一步加剧供应短缺;HBM4 价格约为前代两倍。

💡 国泰海通中报电话会(杨冬庭)

8 月底覆铜板头部企业发布涨价函,为当月唯一一次、距上次提价已逾两个月,提价幅度与频次均放缓;相较之下电子布环节更被看好——预计 2026 三季度至 2027 年 4 月前供需缺口持续扩大,景气度与提价频次将高于覆铜板,产业链驱动逻辑转向电子布紧缺。

💡 中信 / 国联民生 / 中泰 电话会:涨价节奏边际变化

中信证券(夏胤磊):存储芯片与覆铜板处于"强兑现、强预期、强现实"阶段,往 Q3 看涨价幅度或有边际变化,但仍处明确高景气。国联民生(王海):市场普遍预期 2026 四季度存储价格微增或环比持平。中泰电子(富瀚微交流):与上游沟通显示 Q4 存储价格仍难明显松动,但部分利基/细分客户已"吃不动",资源向高承接力品牌客户集中。

🔑 国金证券掘金 AI 算力电话会(樊志远)

全球存储与逻辑芯片(成熟 + 先进)大力扩产、产业共振,海外半导体设备交期由原 5–6 个月延至 10 个月以上;长鑫客户正密集签署长期协议。算力侧:英伟达/AMD 通用 GPU、谷歌 TPU、亚马逊 Trainium 均积极拉货,800G/1.6T 交换机与光模块 MSA 需求爆发,1.6T 交换机预计四季度强劲放量。

⚠️ 马斯克(8月30日)+ 潍柴动力中报交流

马斯克:2027 年全球产出约 45–50GW AI 算力,但受变压器、电网并网排队、开关设备、燃机交期制约,当年真正能通电部署的仅 28–40GW(中枢约 33GW),约 15GW(1/3)无法当年上线;北美最缺——约 33–35GW 新芯片流入、仅 17–23GW 能通电。并称"涡轮机已售罄至 2030 年"。

潍柴动力中报交流:明年北美燃气发电机指引由 1000 台以上大幅上调至 2000 台以上,柴发全年预计突破 4000 台;判断全球数据中心缺口在 160GW 以上、北美约 100GW。

⚠️ 成本向下游终端传导(东北计算机周报,引财联社)

亚马逊大幅上调硬件设备零售价,部分产品涨幅高达 60%;微软已上调 Xbox 价格,任天堂计划提高 Switch 2 美国售价,iPhone 18 Pro 起售价或超 1399 美元。SK 海力士 CEO 称存储短缺或将延续至 2030 年底。

分环节速览
环节本期核心数据(8/28–8/31)价格信号趋势主要发声方
DRAM / HBM 英伟达采购承诺 1190→2790 亿美元、约 1600 亿投 HBM/DRAM 长协;DRAM 混合 ASP 2026E +240% / 2027E +44%(瑞银);HBM4 交期 35–40 周(美光专家) 合约/长约 ↑↑,现货更高 ↑↑ 英伟达、瑞银、美光专家
普通 DRAM / NAND 韩国 DRAM 出口单价 5→7 月 16.76→22.9 美元(+36.6%);NAND 合约价 6 月进入"高价停滞期"、买方转观望(湘财,数据至 6/30) HBM 挤出仍支撑,模组端降温 ↑ / → 韩国贸易协会、湘财证券
覆铜板 CCL 建滔 8/28 年内第 7 份涨价函:FR-4 +10%、薄布 PP +20%;松下 9 月起普通板/封装材料最高 +30%;昭和电工 AI 用 CCL +30% 涨价叠加近 4 倍量增 +10% ~ +30%(单轮) ↑(节奏放缓) 建滔涨价函、松下、高盛
电子布 / 玻纤布 全国 7628 普通电子布均价 10.1 元/米、同比 +143.4%(西部,截至 8/20);织布机产能瓶颈短期难解;缺口延续至 2027 年 4 月(国泰海通电话会) 同比翻倍以上 ↑↑ 西部证券、国泰海通
高端铜箔 2026 年 AI 服务器专用高端铜箔需求约 2.4 万吨、同比约 +260%(市场测算);JX 金属 HVLP4+ 超高端极度偏紧、产能 FY31/3 前翻倍 供不应求 ↑↑ 卖方测算、高盛
被动元件 MLCC 三星电机 26Q4 涨价:消费 X5R 对 OEM/ODM +25–30%(首次不限代理商)、AI 服务器 X6S +10–20%;日本 7 月 MLCC 出口 ASP 同比 +20.9%、环比 −0.1%;低端现货价 8 月回落 高端 ↑、低端现货回落 ↑ / → TrendForce、花旗、野村
模拟 / 功率半导体 功率半导体行业普遍缺货、下半年多轮涨价传导下游(海通国际);中芯国际 BCD/NOR Flash/MCU 已实质性涨价;某成熟制程代工 ASP 903→966 美元 成熟平台实质涨价 海通国际、国金、国海
光模块 / 光纤 1.6T 光模块 ASP 1200–2500 美元(华龙,2026–28);DSP 成为最紧张物料、博通/马维尔优先保头部客户;光纤光缆 2026 年 1–7 月出口额同比 +350.74% 高速料号维持高位 华龙证券、卖方梳理
数据中心电力 西门子上调全球燃机需求预期至 110–120GW;GEV 二季度发电订单 +134%、在手 116GW;北美变压器交期较疫情前约 7 倍;马斯克:2027 年约 15GW 算力因缺电无法上线 订单/交期同步拉长 ↑↑ 广发、东方财富、马斯克
产业链全景图谱
需求端
英伟达(采购承诺 2790 亿美元)
微软 / 谷歌 / 亚马逊 / Meta
Oracle · xAI · 主权 AI
1.6T 交换机 / 光模块(Q4 放量)
▼ AI 资本开支(英伟达确认供给瓶颈延续至 FY2028)
核心组件
HBM / 服务器 DRAM混合ASP 2026E +240%
企业级 SSD2026累计 +235%
NAND Flash6月起高价停滞
覆铜板 CCL单轮 +10~30%
MLCCX6S +10~20%
功率半导体多轮涨价
▼ 拉动上游材料(HBM 挤出 + 玻纤布结构性短缺)
上游材料
普通电子布 7628同比 +143%
T-glass / 低介电布2027 产能订满
高端铜箔需求同比 +260%
镍粉 / 钽粉(MLCC/电容)+40~89%
磷化铟衬底4→6 英寸紧缺
▼ 驱动电力基础设施(单柜功率 5 年近 20 倍)
电力基建
燃气轮机需求预期 110–120GW
电力变压器交期约 7 倍
SST / 800V HVDC
液冷 CDU / 冷板 / 屏蔽泵
SOFC / 柴发 / 航改燃

节点涨幅为本期(8/28–8/31)研报/点评/电话会口径;红色边框为当日有新增量数据的环节,金色标签为累计/同比级涨幅、灰色标签为单轮或结构性信号。