覆盖 2026年7月17日（周五）～7月19日（周日）三天检索结果，周末不单独出日报，本期为周末汇总；各条目均标注具体发布日。
- 1电子布年内累计涨93%至8.6元/米，中国巨石称织布机与电子纱双重短缺，预计8月继续提价概率较大（周五申万宏源点评 / 周日东财建材专家交流）
- 2MLCC高容7-8月涨价20-40%，村田交流透露拟9月起削减中低端消费级产能转产AI服务器级（毛利率超90%），预计Q4或明年Q1跟进涨价（周六）
- 3生益科技CCL/prepreg产品2Q26累计涨价超40%YTD，中信里昂上修27CL营收预测21%至70.9亿元，维持目标价213元（周六）
- 4SK海力士首次覆盖并与英伟达达成技术合作，HBM市占率58%（26Q1，Counterpoint），WSTS预测2026年全球存储芯片销售额同比+249%（周日国金证券）
- 5Meta与ETR Louisiana签订270亿美元数据中心供电协议（7座CCGT超5.2GW+2.5GW可再生能源），美国能源部预测2030年电网新增负荷缺口超70%（周日摩根大通/东吴证券）
本周末（7/17-19）AI通胀交易呈现"数据延续、逻辑转向"两条线并行：存储、PCB电子布、MLCC三条主线的涨价数据持续兑现且部分环节仍在加速——电子布年内累计+93%、生益科技CCL 2Q26 YTD+40%、MLCC高容7-8月再涨20-40%，紧供给格局短期未改。但华创策略7月17日AI月报电话会与大摩DRAM研究同步提示：市场对"AI通胀"叙事已现审美疲劳，PCB/CCL估值逻辑正从"涨价预期"转向"能否切入英伟达Blackwell/Rubin平台并拿到批量订单"的订单验证阶段，大摩并预测DRAM价格有望于2026Q4触顶、2027年同比增速回落至100~200%区间。短期紧缺兑现与中期价格弹性顶点信号同时出现，是本周末最值得关注的预期差。
- 预测三星电机（Samsung Electro-Mechanics）MLCC ASP 2026年同比+30%，2027年同比+71%，受AI服务器需求、产品结构升级及800VDC高压架构MLCC含量提升驱动
- Yageo（国巨）AI相关收入占比从2025年初约4%升至1Q26约15%；因钽矿供给持续紧张，公司自2025年以来已实施三轮钽电容涨价，2H26可能追加涨价
- 预计新一代AI机架架构（2027-28年）将带动MLCC单机架用量增长超50%，且规格要求提升带来单位价值量同步上行
- 村田（Murata）预计AI数据中心应用占其MLCC营收比重将从FY25约12%提升至FY26约25%、FY27约38%，公司在AI数据中心MLCC供应链份额约50%
市场此前担忧MLPC等替代方案冲击MLCC需求，但花旗与国内专家交流均指出MLPC因体积过大仅能在有限场景替代，MLCC凭借小体积优势仍是GPU卡有限空间内的核心方案——供需紧张的持续性可能强于市场此前预期的"周期见顶"叙事。
- 生益科技CCL与prepreg产品2Q26价格累计涨幅超过40%YTD，涨价不仅覆盖成本上升，且加速利润率改善
- 上修27CL/28CL营收预测21%/28%至人民币70.9亿/96.1亿元，毛利率预测上修至31.2%/32.8%
- 公司在稀缺原材料（铜箔、树脂、电子玻纤布）获取上保持优势，江西基地产能持续爬坡，高端AI相关CCL出货量与海外客户份额同步提升
- 估值倍数由50x下调至41x（同业当年PE均值），以反映AI PCB上行周期，维持目标价人民币213.0元
摩根士丹利（2026-07-17/19）：DRAM价格很可能于2026年第四季度触顶，随后面临周期性下滑；当前估值（NTM P/B）尚未完成充分重定价，预计2027年DRAM价格同比增速将从当前高位回落至100%~200%区间——涨幅仍大但增长动能显著放缓。
Evercore ISI（2026-07-19）持相对乐观看法：据供应链调研及整机厂商反馈，DRAM和NAND供给紧张预计将在今年年底进一步加剧，并可能持续至明年大部分时间。两家机构在"顶部时点"上出现分歧，值得持续跟踪。
- 液冷部署单MW总冷却设备成本约$1.3-1.8M/MW，高于风冷的$1.1-1.5M/MW
- 数据中心电力配电设备总成本：传统AC架构$1.8-2.5M/MW；混合800VDC架构（不含整流器）$1.7-2.5M/MW；原生800VDC架构（不含固态变压器）$1.4-2.1M/MW——设备结构重塑但总投资强度维持高位
- 行业正从传统AC经"Hybrid 800VDC"（sidecar整流器方案）向"Native 800VDC"（固态变压器一体化）演进，非一步到位
- 近期大型数据中心供电协议密集落地：Oracle与DTE Energy签订1.4GW、19年期供电协议（密歇根）；Meta与ETR Louisiana达成270亿美元数据中心+电池+输电+核能项目（7座CCGT超5.2GW+2.5GW可再生）；Amazon与NiSource扩大供电协议至3GW、15年期（印第安纳）
- 宾夕法尼亚州新立法要求数据中心年度用电报告；德州公用事业委员会通过大负荷"扰动穿越"可靠性新规；FERC持续推进大负荷并网改革——监管端对AIDC用电的关注度明显上升
- WSTS预测2026年全球存储芯片销售额同比+249%至8039.41亿美元，2027年再增32%至10621亿美元；存储占全球半导体销售额比重预计从2025年29%升至2026年53%、2027年55%，均远超2018年历史高点（34%）
- 2Q26 DRAM环比涨幅+58%~63%，NAND环比+70%~75%；美光、三星、SK海力士等主要厂商稼动率均已升至75%~81%高位
- SK海力士HBM市占率全球第一（26Q1按Counterpoint为58%），2026年6月与英伟达达成技术合作，围绕下一代AI基础设施路线图推进存储；发行1.78亿股ADR募资约265亿美元
- 美光已与客户完成16个SCA（战略客户合作协议），占其DRAM出货量20%、NAND出货量1/3，长期协议（LTA）有望使存储行业从"价格弹性资产"转向"出货增长资产"
- SK集团会长在2026年6月台北电脑展表示，AI基础设施驱动的存储供应瓶颈预计持续至2030年，公司计划五年内将存储晶圆产能翻倍
- 美光将美国本土晶圆厂及技术投资计划上修至2035年累计超2500亿美元（原2000亿美元），另计划投入最高30亿美元完善本土半导体供应链；日本项目扩建投资93亿美元布局HBM等高端AI存储产线
- SK海力士纳斯达克上市募资265.07亿美元，公司表示内存供应短缺趋势或持续到2030年以后
- 台湾DRAM厂南亚科技2Q26毛利率达79.5%历史新高，ASP环比增长超60%，2026-2028年整体产能规划扩张约69%
- 三星电子对4nm/5nm等先进节点及部分车用8nm节点晶圆代工价格大幅上调约15%，台积电7nm及更先进制程代工价格或上调5%~10%，半导体制造从需求驱动转向供应驱动模式
- MLCC三大龙头（村田/三星电机/太阳诱电）2026年6月下旬BB Ratio（订单出货比）分别达1.30/1.31/1.25创新高，整体MLCC市场BB Ratio升至1.04
- 普通电子布2026年1-7月经历多轮提价，均价由4.45元/米涨至8.6元/米（累计+93%）；测算公司Q2电子布单米净利2.8元/米
- 核心驱动为全球AI服务器算力基础设施建设，高频高速、高多层PCB需求激增，单台AI服务器电子布消耗量为传统服务器的数倍；叠加日韩、中国台湾老旧织布产能持续退出，行业呈"订单爆满、库存低位、高端产品有价无货"格局
- 26Q2归母净利中值16.9亿元，yoy+76%，qoq+33%；粗纱业务盈利保持平稳，吨净利约1050元
- PCB/CCL：预计沪电股份、深南电路、生益科技2Q26归母净利润同比分别+79%、+55%、+132%；受益FR-4涨价，预计南亚新材、华正新材2Q26归母净利润同比分别+355%、+525%
- 存储：利基存储景气度大幅提升，价格环比Q1调涨；预计兆易创新二季度营收同比+226%、归母净利润同比+1495%
- 被动元件：AI服务器拉动高容MLCC需求，高端需求带来显著产能挤出效应，预计AI相关产能缺口将持续至2027年
- 光模块/光通信：东山精密受益光模块、光芯片Q2产值环比加速，预计2Q26归母净利润同比+499%；工业富联GB机柜出货环比增长，CPO年内量产出货
- 7-8月为原厂调价高峰期，台厂先行涨价，国内三环集团、风华高科预计8月跟进，预计涨价幅度高容20-40%、中低容10-20%
- 台厂稼动率已从去年70%提升至80%，高容产品稼动率提升至90%；高容扩产卡点在流延、叠层、高温烧结炉等设备环节
- Rubin量产将对电容总量及小尺寸高容产品需求带来大幅增长，预计10月份还会涨价；AI带来的结构性供需差有望维持至27年底-28年
- 核心受益者仍是具备AI供应能力的日韩原厂（村田/三星电机/太阳诱电），国内看好三环集团、风华高科切入AI侧高容产品
村田（Murata）产业链交流（2026-07-18）：因高端高容MLCC供应能力严重不足，村田准备大幅削减消费级中低端MLCC订单；下游客户（以光模块龙头为例）主动提出加价40%锁定物料，仍在商议中；AI服务器级高容MLCC产品毛利率超90-95%；9月起大规模削减中低端消费级产能，转产AI服务器级产能；预计Q4或明年Q1开始涨价（晚于同行因基础定价更高）；本轮MLCC景气紧缺周期预计至少持续至2028-2030年。
- 2026年7月9日公司正式发布新一代AIDC供电中枢EnerNeo固态变压器（基于800V直流架构，99.999%可用性、98.5%系统效率、312kW/m²功率密度），发布当日与东阳光、中联数据签署战略合作暨框架采购协议，规划合作容量分别为30MW和100MW，合计130MW
- 测算2026-2030年美国自建电源对应数据中心储能总需求从70.67GWh增长至143.32GWh，CAGR约19.3%；配套供电为主要增量来源
- 美国能源部预测到2030年电网需新增约101GW负荷，其中AIDC贡献近一半，但同期基荷电源仅规划新增22GW，供需缺口超过70%
- 测算全球SST（固态变压器）市场空间2030年可达1308亿元，2027-2030年CAGR达344.5%；AI机柜功率已从传统5-8kW提升至GB200/GB300甚至Rubin约650kW级别
2026-07-17（周五）· 主讲人蔡雨阳：AI交易逻辑正从"通胀驱动"转向"技术路线驱动"。需求端，北美云厂商自2025年下半年起依赖债券融资支撑资本开支，经营现金流已无法覆盖扩张需求；供给端，国内外AI硬件厂商产能扩张周期已于2026年开启，预计2027-2028年集中释放，将逐步打破紧供给格局。PCB与覆铜板估值逻辑转向订单验证——能否进入英伟达Blackwell/Rubin平台供应链并获批量订单是估值企稳关键；铜缆与连接器被重估为未来3-5年长期方案；光模块内部分化，800G为确定性压舱石，1.6T及CPO放量节奏待观察。
2026-07-17（周五）：总营收93亿欧元超指引上限，毛利率54.0%；公司预计2026年Memory营收增长约75%，先进晶圆代工Logic营收增长约25%，EUV营收增长约45%。随DDR、HBM价格上涨，客户扩大存储器产能的必要性增强，公司将此描述为"DRAM完美风暴"（存储设备需求叠加10Å、1c制程转换同步推进）。
2026-07-17（周五）：成熟制程呈现结构性分化——仅AI相关部分紧张，首位是电源管理IC（数据中心用电需求带动），其次是sensor；消费类产品需求不高，其他领域未见明显缺货。
对比2021年疫情供需错配周期与本轮AI驱动周期：2026年AI需求爆发叠加先进封装/interposer挤占传统成熟制程产能，全球成熟制程产能维持动态平衡下涨价潮开启；功率板块相关公司25Q4至今季度利润呈"-1.2亿→2100万→8000-9000万"环比修复趋势，市场预期26/27年年度利润5亿/10亿元。
市场确认AI服务器中MLCC与钽电容为互补协作关系（分别负责高频滤波与中低频储能），非替代关系；Rubin机型单机MLCC用量将达3万颗，上游钽矿70%产自非洲，供给高度集中，地缘扰动敏感性上升。
2026年半导体多轮涨价并非供货缺口违约调价，而是年度采购合约到期后的续约调价，本轮价格涨幅普遍达到60%，部分订单价格甚至翻倍；存储器涨价对单车成本影响有限（电动车存储器成本占比不足5%），但从AI产业高价锁定产能的大环境看，疫情时期车用芯片荒是否重演已成为汽车产业链重点关注问题。
| 环节 | 本周末核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 主要发声方 |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | DRAM 2Q26环比+58~63%，NAND+70~75%；WSTS预测2026年销售额同比+249%（周日） | 高位加速 | ↑↑ | 国金证券/申港证券 |
| PCB/CCL/电子布 | 电子布年内累计+93%至8.6元/米；生益科技CCL/prepreg 2Q26 YTD+40%（周五/周六） | 高位加速 | ↑↑ | 申万宏源/中信里昂 |
| 被动元件（MLCC） | 高容7-8月涨20-40%，10月或再涨一轮；村田9月起转产AI服务器级（周六） | 高位加速 | ↑↑ | 天风证券/村田交流 |
| 模拟与功率半导体 | 三星4/5nm代工涨15%，台积电7nm涨5-10%；成熟制程仅AI相关（电源管理IC）紧张（周五） | 结构性上行 | ↑ | 申港证券/台积电法说会 |
| 光模块/光纤 | 全球光互连市场2024-30CAGR 48.1%；EML/CW激光芯片市场2024-30CAGR 66.6%（周五） | 量价齐升 | ↑ | 国金证券 |
| 电力与能源 | Meta 270亿美元供电协议落地；美国2030年电网负荷缺口预计超70%（周六/周日） | 供给紧张 | ↑↑ | 摩根大通/东吴证券 |
| 上游材料与液冷 | 液冷部署单MW冷却设备成本$1.3-1.8M，高于风冷$1.1-1.5M（周日） | 结构性上行 | ↑ | 伯恩斯坦研究 |