- 1长鑫科技科创板IPO发行定价落地：发行价8.66元/股，超额配售后募资666.07亿元，发行后市值约5879亿元，全球DRAM市场份额7.67%（中国第一、全球第四）（天风证券）。
- 2DRAM合约价加速上行、台积电资本开支同步上修：2Q26 DRAM合约价环比涨58%-63%，三星2Q26毛利率或达70%；台积电26年资本开支上调至600-640亿美元，增速（+55%）五年来首次超越收入增速（+40%）（华泰证券）。
- 3电子特气WF6因日本出口管制暴涨：26年1-5月WF6出口单价211美元/kg（5月同比+312%），国内5N级现货同比+232.7%，6N报价较4月初涨超190%，韩国SK Specialty/Foosung跟涨70%-90%（国金证券）。
- 4锂电/AI铜箔涨价持续落地：中一科技已敲定部分客户调价2000-3000元/吨，三季度计划全面上调1000-3000元/吨，Q2产能利用率已超90%（点评+国联民生专家会双重验证）。
- 5磷化铟供给缺口扩大、价格加速上行：7月磷化铟衬底价格中枢4000-4500元/片，环比涨25%，日本Rasa自7月起停供大陆电子级红磷，市场预期年底价格翻倍（光智科技点评）。
本轮AI通胀正从存储单一环节向电子特气、铜箔、磷化铟等多个上游材料环节扩散，涨价逻辑正从"需求拉动缺货"演变为"出口管制+产能刚性"驱动的结构性供给约束——WF6因日本对华钨粉出口管制导致的232.7%同比暴涨即为典型案例。与此同时，台积电、三星、长鑫科技等龙头资本开支与IPO进程持续加速，产业正处于华泰证券所指出的"从涨价到扩产"的周期拐点。
报告聚焦AI服务器对被动元件（MLCC）需求的结构性拉动，核心信息为AI加速器内电容装机数量的上调：
- 超大规模厂商（Hyperscalers）2026-27年资本开支预期已被上调47%/28%。
- AI服务器每张Baseboard的电容装机数量：中期规划"2027方向"原预期10,000~20,000只，最新复核上调至15,000~25,000只——AI服务器总出货量预测未变，但单机电容用量显著提升。
- 逻辑：AI服务器瞬时功耗极高，需要电容临时储能维持稳定运行，驱动AI加速器内电容数量持续上升；MLCC正迎来"周期性复苏+AI/xEV应用内容量提升"的双重红利，全球MLCC产量同比增速已转正。
市场此前更关注MLCC"量"的复苏（出货量同比转正），但UBS数据显示AI服务器对单机电容"含量"的拉动同样在持续上修——2027年中期规划的装机数量指引本身也被上调，意味着AI驱动的MLCC需求增量存在被低估的可能。
报告梳理数据中心建设与电网/电力基建两条主线的量化数据：
- 数据中心建设：2026年主要超大规模厂商资本开支年初预估5300亿美元，已上修约25%；全球在建+规划中数据中心总容量达200GW（环比+14%），对应额外约1万亿美元资本开支需求（按50亿美元/GW测算）；在建产能同比+60%，规划产能同比+115%，美国规划产能占比超60%（当前运营产能占比45%）。
- 电网与电力基建：AI驱动的数据中心用电需求预计到2030年将翻倍以上；美国变压器平均服役年限已达约40年，全球约5100万公里老化线路待更换，存量替换需求与新增建设需求叠加。
报告判断行业正处于由"单价上升"向"产能扩张"过渡的关键节点：
- 定价：据TrendForce统计，DRAM合约价2Q26环比涨幅达58%-63%，但3Q以来涨幅已显边际放缓迹象；预计三星2Q26毛利率或达70%，扩张斜率或趋缓。
- 资本开支：台积电2026年资本开支预期上调至600-640亿美元，同比增速+55%五年来首次超越收入增速（同比+40%）；韩国宣布合计1.3万亿美元长期投资规划。
- 设备供给：ASML给出2028年low-NA EUV产能指引为2025年出货量的2.5倍，产能瓶颈逐步缓解。
- 报告测算的历史周期超额收益排序为：设备>终端>代工>设计>存储。
长鑫科技科创板IPO发行定价正式落地：
- 发行价8.66元/股，超额配售选择权行使后预计募资总额666.07亿元，发行后市值约5879亿元。
- 公司在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂；按2025年Q4销售额口径，全球DRAM市场份额7.67%，中国第一、全球第四。
- 拟使用募资295亿元投向晶圆制造量产线技术升级、DRAM存储器技术升级及前瞻技术研发。
- 据Omdia，DRAM服务器需求占比预计由2025年的50%提升至2030年的71%；据TrendForce，2027年RDIMM位元供给预计同比增长15%-20%，明显低于服务器CPU出货增速，服务器DRAM供给紧张或延续至2027年。
行业月度数据更新（剔除板块涨跌幅等市场走势表述，仅保留产业量化数据）：
- 2026年5月全球半导体销售额同比增长104%，环比增长9%；WSTS预测2026年全球半导体销售额将达1.511万亿美元，同比增长89.9%。
- 2026年6月DRAM现货价格环比上涨，NAND Flash现货价格环比小幅下降：DRAM指数环比+2.21%，NAND指数环比-0.90%；TrendForce预计26Q3 DRAM及NAND Flash合约价格分别环比增长13-18%及10-15%。
- 26Q1北美四大云厂商资本支出同比+81%、环比+10%；国内三大互联网厂商资本支出同比+18%、环比+28%。
- 全球半导体设备销售额26Q1同比增长14%；SEMI预计2026年全球300mm晶圆厂设备支出将增长18%至1330亿美元。
云厂商资本开支的环比增速（国内+28%）已超过同比增速（+18%），显示国内互联网厂商的AI资本开支正在边际加速，而非市场普遍认为的"同比高基数下环比放缓"。
电子特气核心品种WF6因日本出口管制出现供需错配，价格大幅上行：
- 供给端：全球WF6总产能约10,000吨，日本关东电化+中央硝子占比超20%，韩国SK Specialty+Foosung占比25%-30%；26年2-4月中国对日钨粉出口量归零，日本两大供应商已通知台积电、三星、SK海力士停止供货。
- 价格：26年1-5月WF6出口单价分别为69/69/117/150/211美元/kg，5月同比涨幅达312%；国内现货市场6月5N级报价1670-1810元/公斤，同比上涨232.7%；6N产品报价220-300万元/吨，较4月初涨幅超190%；7N长协价330-360万元/吨。韩国SKS、Foosung 26年产品涨价70%-90%。
- 国产替代：中船特气/昊华科技/中巨芯产能分别为2000/600/600吨，中船特气覆盖台积电、美光、铠侠、英飞凌等海外大厂。
电子特气头部晶圆厂供应商导入周期长达2-5年，纯化工艺、杂质控制、连续稳定量产能力构成多重技术壁垒，国产份额提升虽是确定性方向，但短中期缺口难以被快速补齐，涨价向下游晶圆厂的传导压力可能持续。
报告中"算力基建驱动PCB向高多层加速演进"章节含产业增量信息：
- NVIDIA Blackwell系列及新一代Vera Rubin架构进入规模化量产与交付阶段，头部云服务商需求增速远超供应链产能上限，HBM、先进封装产能正迅速扩建。
- M8 CCL损耗等级属于Extreme Low Loss级别，适配112Gbps数据传输速率（对应GB200/GB300/Rubin架构服务器需求），较M6级别(25Gbps)、M7级别(56Gbps)大幅跃升；铜箔对应升级至HVLP3/4，玻纤对应升级至L2 Low Dk。
本次电话会议聚焦数据中心相关电力设备产业趋势与重点公司业绩拆解：
- 供给紧张：美国数据中心变压器供给短缺持续，且未见缓解，主因外资扩产进度缓慢。
- 金盘科技：2026年北美数据中心变压器业务高增，直采客户群体持续扩张；110kV以上主变海外出货量显著提升；SST测试进度顺利推进；东南亚数据中心亦有深度布局，上半年订单持续落地。海外配电产品线已从变压器扩展至开关柜，年初起参与欧洲市场投标。净利润增速预计约25%，对应市盈率36倍。
- 四方股份：净利润增速预计约15%，对应估值39倍；主网+新能源业务收入占比各约35%。
- 调度侧：数据中心作为负荷侧波动剧烈，驱动电网调度系统升级；国电南瑞"算电协同"调度平台已在国网总部及网省公司逐步落地应用。
美国数据中心变压器供给短缺"持续且未缓解"，是本轮AI通胀在电力设备环节最直接的量化证据；国内厂商（金盘科技、四方股份）正凭借海外主变、开关柜出货放量直接受益于这一缺口。
NOR：AI敞口逐渐提升、行业目前缺货，价格有望逐季提升，涨价幅度和强度均超预期。SLC NAND：行业极度缺货、超级卖方市场，26年涨价有望持续超预期，公司产能显著增长。定制化3D DRAM为AI时代确定性技术路径，高通AI250推理芯片将采用该方案。
近期回调源于杠杆资金机械性平仓而非基本面见顶；当前存储已从AI Capex受益方转变为制约算力扩张的关键瓶颈，Q3部分规格涨幅仍超25%；SK海力士指引2027年供需最为紧缺，长协锁价仅占30%-50%，不应误读为对弹性的削减；当前板块对应2027年仅4-5x Forward PE。
发言人张梦杰：基于2027年资本开支增加及算力卡需求提升，HBM、DRAM、NAND Flash及机械硬盘需求将大幅增长；2027年HBM进一步涨价将持续挤占DRAM产能，DRAM供需缺口将进一步放大；NAND Flash供给紧张亦将持续，市场担忧的存储价格快速回落不会出现，环比涨幅收敛但仍具上涨预期。
HBM市场规模预计由2026年的570亿美元增至2027年的940亿美元，但整体DRAM仍可能短缺约15%；TrendForce预计NAND缺口将延续至2027年上半年。MS乐观情景测算2030年智能体AI可能带来221EB增量DRAM需求，相当于2026年供给规模约4.9倍。
二季度扣非净利润2.62-3.32亿元，环比增长77%-124%；覆铜板三季度涨价频次有望更多更密，将大幅增加下半年业绩增长幅度。
锂电铜箔涨价洽谈已落地，已与核心客户敲定部分产品调价方案，调价幅度2000-3000元/吨；三季度计划完成全部客户调价，整体上调区间1000-3000元/吨。25年启动1万吨高端AI铜箔产能建设，首批设备26Q1进厂，剩余设备预计26Q4交付；HVLP3/4已开展客户送样测试，26Q4有望完成认证。
2026年Q2行业产能利用率已超90%，Q3将进一步提升；加工费持续温和上涨，头部客户为保供出现加工费显著跳涨；公司当前拒绝签订价格锁定的长协，坚持随行就市定价；判断2027年铜箔整体供给仍偏紧，加工费存在进一步上涨空间。
7月21日预告净利润增长45%-65%，MLCC部分规格价格修复，销量、销售额均实现较大幅度增长；Q2业绩未完全体现6月MLCC涨价利好，AI服务器驱动高容MLCC需求结构高端化，Q3起业绩有望加速释放（国金宏观/CC电新点评）。
行业价格修复、订单增长和稼动率提升下自产MLCC业务弹性强；风华高科上半年净利润预增62%-80%；渠道端力源信息预增207%-217%，云汉芯城预增192%-223%，雅创电子预增439%-561%——产业链验证已从个别公司扩散至原厂、代理商和线上平台。
高容MLCC、钽电容持续紧缺，NV&CSP云厂商对超容需求迫切，±400V超容已成为标配；江海股份AI牛角电容出货量从5月50-60万支提升至7月100万支+，Q3迎来高增长；顺络电子TLVR电感需求高增，钽电容产能供给紧张，良率陆续提升。
收购先锐科技50%股权（先导磷化铟核心资产）；7月磷化铟衬底价格中枢4000-4500元/片，环比涨25%，市场一致预期年底价格翻倍。磷化铟受AI+光通信+军工多重需求拉动，行业供需缺口超50%；7月起日本Rasa停供大陆电子级红磷，原料紧缺，全产业链涨价确定性强。
Lumentum披露InP产能再增50%，1.6T光模块交付第一梯队；Coherent数据中心订单已排至2028年；AAOI全年营收指引上调至超11亿美元。英伟达投资康宁5亿美元锁定光连接产能，康宁新建三座AI专供工厂，光纤产能提升超50%，光连接制造能力扩大10倍。
SK海力士计划投入约38.7亿美元（5.69万亿韩元），在美国印第安纳州建设HBM高带宽存储封装生产基地，项目原定2028年正式投产；SK集团会长崔泰源公开表态，当前存储芯片市场价格处于高位，需通过扩充产能增加供给以平抑价格。
三星电子晶圆代工正评估将美国泰勒厂初期生产规模扩大至原计划2倍；兆易创新7月21日晚公告向子公司增资5亿元支持DRAM项目实施。
| 环节 | 今日核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM(DRAM/NAND) | DRAM合约价2Q26环比+58~63%；HBM市场规模2026年570亿→2027年940亿美元；长鑫科技IPO募资666.07亿元 | 大幅上涨 | ↑↑ | 华泰/天风/国金宏观/长江专家会 |
| PCB/CCL/电子布/铜箔 | 南亚新材Q2扣非净利环比+77~124%；中一科技铜箔加工费涨价2000-3000元/吨，Q3再上调1000-3000元/吨；M8 CCL适配112Gbps | 持续上涨 | ↑↑ | 南亚新材/中一科技/东北证券 |
| 被动元件(MLCC/电感/钽电容) | 三环集团H1预增45-65%；风华高科预增62-80%；江海股份AI电容出货5→7月近乎翻倍(50-60万→100万支+) | 量价双升 | ↑ | 三环集团/火炬电子/CC电新 |
| 光模块/光纤/磷化铟 | 磷化铟衬底7月环比+25%(4000-4500元/片)，预期年底翻倍；Lumentum InP产能+50%；英伟达投资康宁5亿美元，光纤产能+50% | 加速上涨 | ↑↑ | 光智科技/东吴证券 |
| 电力与能源(数据中心供电/变压器) | 美国数据中心变压器供给短缺持续未缓解；数据中心在建产能同比+60%、规划产能同比+115%；美国变压器平均服役40年 | 供给紧张 | ↑ | 国泰海通电新专家会/UBS |
| 上游材料(电子特气/液冷) | WF6国内5N现货同比+232.7%，6N较4月初涨超190%；韩国SKS/Foosung涨价70-90% | 暴涨 | ↑↑ | 国金证券 |
| 模拟与功率半导体 | 今日无含一手增量量化数据的独立研报/点评（数据门槛下暂不纳入） | — | → | — |