今日最值得关注的变化
三星2Q26营业利润(QoQ)
+56%
89.4万亿韩元，YoY+1812%
DRAM 2QCY26 ASP(QoQ)
+74%
TrendForce 6月合约价，伯恩斯坦
CCL覆铜板涨价
10-15%
建滔积层板/木林森 7月接连发函
MLCC渠道累计涨幅
50-60%+
国巨全线涨价，三环二次调价20-30%
InP磷化铟衬底(年内)
2300-2500
美元/片，年初约800美元
国内变压器5月出口北美
+39%
YoY，东吴电新
核心判断

本轮"AI通胀"正从存储/HBM单点扩散为全产业链共振：PCB上游电子布、CCL在Q2实现2-3倍涨幅后，7月延续涨价函密集发布节奏；被动元件MLCC从"渠道端涨价"进入"原厂二次提价"阶段；磷化铟、高纯铟、红磷等光模块上游稀有材料涨价斜率持续陡峭化；电力基建环节则呈现"先算力、后电力"的滞后兑现特征，燃气轮机与变压器出口数据是下半年上市公司报表的重要催化。

产业链人士普遍将当前涨价归因于"供需错配"而非"需求走弱"——AI硬件需求增速持续超过产能释放速度，解决路径指向全环节扩产大周期，预计成为2026年三季度硬件板块的核心交易主线。

图0 · 今日各品类AI通胀涨价幅度汇总
数据来源：BRM检索汇总（研报/点评/电话会），截至2026-07-08
怎么看：横轴为各品类当前累计/单次涨价幅度区间上限，磷化铟、MLCC渠道端、DDR4合约价涨幅居前，反映稀缺材料与短周期紧缺品类弹性最大。
外资券商
伯恩斯坦研究
MEMORY TRACKER (Jun)：6月价格续涨，但涨幅节奏3QCY26将放缓
Mark Li 等 · Bernstein Research
  • TrendForce 6月合约价数据显示，2QCY26常规DRAM均价环比1QCY26上涨74%，较5月合约暗示的涨幅再高约10个百分点。
  • 服务器DRAM 6月合约价环比再涨0-9.1%，暗示2QCY26价格环比1QCY26上涨60%；PC DRAM 6月现货价环比涨DDR4 +5.6%、DDR5 +11.5%；服务器DRAM模组现货价环比涨6.1%-26.4%，DDR5尤为强势。
  • 展望3QCY26，TrendForce预计涨价节奏显著放缓至13%-18% QoQ（此前预期8%-13%），主因PC/消费类需求收缩；2QCY26 NAND合约价预计环比涨约60%。
  • Micron的LTA价格上限已接近其当前合约价，三星、SK海力士LTA价格上限可能更高；中国CSP的LTA仍在磋商中，供应保障与条款预计弱于美国CSP。整体供需缺口预计持续至2027年，2H27起才可能缓解。
图1 · DRAM/NAND合约价环比涨幅走势（伯恩斯坦口径）
数据来源：TrendForce，伯恩斯坦研究整理，截至2026年6月合约价
怎么看：2QCY26涨价斜率处于本轮周期高点，3QCY26起涨幅预期性收窄，但绝对价格中枢仍将维持高位，紧缺状态并未解除。
中信里昂证券(CLSA)
Morning Notes / Asia Morning Line：三星3Q ASP再涨20%，2027年瞄准HBM实质性提价
Korea Research · CLSA
  • 预计三星3Q综合营业利润环比+35%至120万亿韩元，主要由DRAM/NAND ASP再涨20%驱动；全年营业利润预测上调至403万亿韩元（较一致预期高8%），对应DRAM/NAND ASP全年涨294%/284%；4Q预计均价环比再涨12%/12%。
  • 渠道调研显示，三星正就多份长期供应协议（LTA）展开谈判，目标在2027年对HBM实施实质性涨价，因HBM相对通用DRAM的价格溢价过去12个月已大幅收窄；预计最终50%-60%的存储收入将来自LTA客户，更多客户倾向签订五年期协议。
  • 盈利前景改善提升股东回报预期，预计三星将宣布股票回购计划，并于下半年公布2027-29年新股东回报政策。
预期差

市场此前较多关注DRAM/NAND现货与合约价的短周期波动，但LTA条款（锁量、最低价、预付款）的逐步落地意味着存储厂商利润释放的可见度正在从"强周期"向"结构性成长"过渡——2027年HBM重定价窗口打开后，HBM与通用DRAM的毛利率剪刀差有望收窄，这是当前市场尚未充分定价的中期变量。

内资券商 · 存储与HBM
华泰证券
三星电子(005930.KS)：2Q业绩预览符合预期，关注长协和HBM进展
黄乐平、何翩翩、陈旭东、于可熠 · 2026-07-08 公告点评
  • 三星电子7/7公布2Q26业绩预告：收入171.0万亿韩元（QoQ+28%、YoY+129%，超一致预期1%）；营业利润89.4万亿韩元（QoQ+56%、YoY+1812%，超一致预期5%），营业利润率52.3%。
  • 公告当日股价-7%，主因智能手机等非存储业务修复偏慢、员工绩效奖金计提（约17.2万亿韩元）侵蚀部分利润。分板块营业利润估算：半导体88.4万亿韩元（1Q为53.7万亿韩元）为核心驱动，显示0.5万亿、移动0.3万亿。
  • 公司将于7/30公布完整分部数据，核心观察点包括：长协覆盖率与定价方式、DRAM/NAND供需展望、HBM4价格预期、CapEx与扩产进展。展望2027年，随HBM4/4E重定价窗口打开，HBM与通用DRAM毛利率剪刀差有望收窄；三星于Computex 2026全球首发HBM5，延续量产领先优势。
国信证券
半导体7月投资策略：存储价格继续上涨，成熟制程/设备材料受益
胡慧、叶子、张大为、詹浏洋、连欣然
  • 5月全球半导体销售额1206.1亿美元（YoY+104.1%，QoQ+9.2%），连续31个月同比正增长；中国5月销售额319.7亿美元（YoY+88.8%）。
  • DRAM(DDR4 8Gb)合约价5月由4月的16.00美元涨至20.00美元；NAND Flash(128Gb)合约价由24.16美元涨至26.51美元；DRAM(DDR5 16G)现货价6月底较5月底由41.90美元涨至46.83美元。
  • 因存储大厂产能持续倾向HBM、高层3D NAND等高附加值产品，挤压成熟制程产能，2026上半年NOR Flash、SLC NAND累计合约价涨幅均突破100%，预计下半年继续调升；车规/工控SLC NAND供给"极度紧张"。
  • ADI表示受需求回升带动供应吃紧，部分产品交期最长达6个月；SEMI预计2026年全球300mm晶圆厂存储设备投资同比+29%至520亿美元，2027年再增11%至570亿美元。
图2 · 存储器分产品合约/现货价格（美元）
数据来源：DRAMeXchange，国信证券整理，截至2026年6月
怎么看：DDR4 8Gb合约价一个月内涨25%，DDR5 16G现货价单月涨近12%，短周期涨价斜率明显快于历史正常波动区间。
内资券商 · PCB/MLCC/上游材料
东海证券
基础化工行业2026年中期投资策略：涨价重估，成长加速（六氟化钨/PCB树脂摘要）
吴骏燕、谢建斌
  • 六氟化钨（CVD工艺关键材料，用于DRAM电容结构及3D NAND）价格大幅飙涨：日本关东电子、中央硝子两家企业7月1日停产，合计产能约2000吨、占全球总产能约25%，主因中国高纯钨粉出口管控收紧致原料短缺，短期供需缺口难以弥合。
  • PCB高端电子树脂：高端电子树脂单价可达50万元/吨以上，毛利率50%以上，远高于传统环氧树脂的2-3万元/吨；2024-2027年全球CCL市场复合增速18%，高端CCL增速达40%。
  • VR200机型BOM拆分显示（对比GB300）：PCB成本从约3.51万美元涨至11.67万美元(+233%)，MLCC从1530美元涨至4320美元(+182%)，内存（HBM+SOCAMM）从37万美元涨至200万美元(+435%)。
产业链点评
PCB/CCL涨价函密集发布 · MLCC原厂二次提价 · 磷化铟供需缺口扩大
多方点评汇总 · 2026-07-06～07-08
  • 覆铜板龙头建滔积层板7/6再发涨价函：所有FR-4、PP提价15%，CEM-1/22F提价10%，铜箔加工费1.5oz以下+5元/KG、2oz以上+8元/KG，原因为玻璃布、铜等主材供应紧缺；此前3月铜箔已涨10%，本次首度涉及铜箔加工费。
  • 木林森全资子公司新余木林森电子7/7发涨价通知函，全线PCB产品价格上调10%-15%，为近期第三次调价（此前6/12涨20%、6/17再涨10%），公司称第3、4季度板材将进一步短缺。
  • MLCC产业：国巨7月全面上调出厂价，三环集团二次调整渠道出厂价（涨幅20%-30%），渠道端累计涨幅达50%-60%+；现货价周环比涨幅约50%，主因三星预计7月消费类MLCC出货量减少16%、原厂加速切换AI/车规高端产能。昀冢科技6月起MLCC正式提价，7月继续调价，月出货量6-7月约70亿颗，目标10月后提升至120亿颗/月。
  • 磷化铟供应紧张：住友电工投资计划上调至180亿日元，目标2028年产能增至3.1倍；2英寸InP衬底价格年内涨幅超一倍，从约800美元涨至2300-2500美元/片；今年全球InP有效产能仅60-75万片晶圆，需求预估达260-300万片。国内高纯铟突破5600元/kg；电子级红磷交期1个月延至4个月，价格翻倍涨至14000元/kg；3英寸InP衬底价格突破3500元/片，4英寸突破8000元/片。
风险提示

MLCC板块近期出现20-30%股价回调，市场对"涨价能否持续兑现为业绩"存在分歧；PCB/CCL环节若英伟达下一代AI服务器机架架构因制造困难推迟，短期可能对材料端订单节奏产生扰动（英伟达官方已回应路线图未变）。

图3 · PCB/MLCC价值量跃升对比（VR200 vs GB300机柜BOM）
数据来源：海利普电子官网、摩根士丹利，东海证券整理
怎么看：内存（HBM+SOCAMM）价值量涨幅最大达435%，PCB次之达233%，反映算力硬件迭代对材料端价值量的乘数效应远超单纯的价格上涨。
图4 · 磷化铟/高纯铟/红磷价格走势（人民币/美元）
数据来源：产业链调研、点评汇总，截至2026-07-08
怎么看：2英寸InP衬底价格年内涨幅接近3倍，高纯铟、红磷同步大幅上涨，反映光模块上游稀有材料供给刚性下的价格弹性。
内资券商 · 电力与燃气轮机
东海证券
机械设备行业2026年中期投资策略：燃气轮机供不应求，全球数据中心用电激增
商俭
  • 2025年全球燃气轮机MW订单量同比增72%，另有近25GW未公布订单主要来自AI需求；GE Vernova在手订单积压1500亿美元，产能排产至2031年；西门子能源在手订单1460亿欧元，排产至2028年后。
  • 2030年全球数据中心电力消耗预计翻倍至约945TWh（IEA），年复合增速约15%；美国是增速最快区域，2030年较2024年增加约240TWh(+130%)，天然气占美国数据中心电力来源40%以上，将成为新增供应最大来源。
  • 国内企业方面，杰瑞股份已与AI巨头签署北美数据中心发电机组销售合同超11亿美元；应流股份2026年一季度新签两机订单突破8亿元（2025年全年超20亿元）。
产业链点评
东吴电新：PJM负荷破20年纪录 · 西门子能源上调全年指引
东吴电新、国盛计算机 · 2026-07-02～07-07
  • 7/2美国最大区域电网PJM预测负荷达166.3GW，打破20年纪录，弗吉尼亚夜间高峰电价折合约6.79元/度；纽约NYISO、中西部MISO负荷同样逼近历史高位。
  • 国内5月变压器/开关出口北美达9.1/4.2亿元，同比+39%/+36%，景气度预计下半年体现在上市公司报表端。
  • 西门子能源预收盘电话会：2026财年营收增长指引由19%-21%上调至25%-27%，利润目标由16%-18%上调至18%-20%，较原定2028财年目标提前两年达成；下半年中型燃气轮机扩产新增30-80台；上半年已获约20亿欧元数据中心相关订单，相当于2025全年订单总额。
  • GEV 9H系列燃气轮机报价较2022年供货中国已涨5倍，机组+配套价格达当年10倍以上；一季度新签订单已超20GW，全年预期60GW。
图5 · 全球燃气轮机厂商在手订单与排产周期
数据来源：Gas Turbine World、公司官网，东海证券整理
怎么看：三大龙头合计在手订单超3000亿美元/欧元量级，排产已锁定至2028-2031年，是AI电力基建环节确定性最强的紧缺资产。
点评与专家电话会纪要汇集
天风证券 · AI投资再迎抄底良机（2026-07-07）

分析师李双亮指出，AI硬件需求快速增长导致供给侧产能短期难以匹配，已引发存储、CPU、模拟功率、PCB上游CCL及各类元器件等多环节阶段性供需失衡与持续涨价；当前涨价主要由CSP/大模型厂商承担，但市场担忧成本持续攀升可能反噬终端需求。核心矛盾在于需求过旺而非供给过剩，解决路径聚焦"扩产"，预计成为2026年三季度硬件板块核心交易主线；韩国政府已推动三星、SK海力士未来10年加速DRAM/NAND扩产，台积电亦将加速先进制程扩产。

申万宏源 · AI研究二十讲｜海外算力-PCB/CCL

分析师陈俊兆指出，CCL作为PCB核心主材，2026-2027年主线为"高端化+涨价"：高端化体现为Rubin平台及1.6T交换机导入M9等级材料，M10材料已于一季度启动导入、预计2028年量产；涨价逻辑是AI需求挤占供给推动普通覆铜板价格上行，是2026年二季度CCL环节实现2-3倍涨幅的核心驱动因素。铜箔、电子布因设备被德国、日本垄断且产能刚性受限，持续存在供给缺口；CCL行业集中度高于PCB，成本上涨可顺畅向下游PCB厂商传导并实现毛利增厚。

国联民生证券 · 半导体超级周期系列电话会（四）：超节点破局，国算腾飞（2026-07-07）

分析师李萌透露，晶合集成自2026年7月起正式启动成熟制程涨价，并全面布局先进制程；华虹2026年第二季度营收约7亿美元，环比增长约5%，核心增长逻辑与中芯国际相似——AI需求挤压成熟制程产能，同时带动边缘计算产能进一步增长；华虹收购华力微事项已获上交所受理并进入实质审核阶段，预期2026年下半年完成。

长江证券 · 长江宏观｜能源通胀退潮后：AI会是美国通胀新变量吗？

宏观分析师宋筱筱指出，AI正成为美国通胀新变量：数据中心建设拉动存储芯片需求叠加供需错配，全球存储芯片价格过去一年已翻倍以上（美、韩合计占全球存储产能30%-50%）；苹果、微软等终端厂商已因成本上行上调产品价格。按CPI分项权重测算（电脑、外设、计算机软件、通信设备、游戏硬件等），AI相关涨价对美国CPI的拉动预计约20-40个基点，整体影响相对可控。

存储：DDR4供需缺口预计持续2年

供应链人士透露，台系存储厂第三季度DDR4 8Gb合约价涨幅最高达五成，突破市场此前预期上限，核心诱因是企业级SSD对DDR4配套需求爆发、DDR4产能持续收缩；威刚董事长陈立白透露，已收到上游原厂通知，2026年第三季度DRAM合约价将上涨20%-30%，NAND闪存涨幅达35%-40%；威刚6月营收146.61亿新台币（YoY+212%）、创见6月营收50.68亿新台币（YoY+381.6%）。

图6 · DDR3/DDR4/DDR5单位容量现货价对比（7月初参考价）
数据来源：产业链供应商点评，截至2026年7月初
怎么看：DDR3 4Gb单位Gb价格（3.19美元）已高于DDR5 16Gb（2.94美元），老旧世代存储器因产能转移出现"越老越贵"的罕见倒挂现象。
分环节速览
环节 今日核心数据 价格信号 趋势 来源
存储/HBM DRAM 2QCY26 ASP环比+74%，3Q预计放缓至13-18%；台系DDR4合约价Q3暴涨达50%；Q3 DRAM/NAND合约价预期+20-30%/+35-40% 高位续涨 ↑↑ 伯恩斯坦/中信里昂/华泰证券/威刚陈立白
PCB/CCL/电子布/铜箔 建滔积层板FR-4/PP提价15%、铜箔加工费+5-8元/KG；木林森年内第三次涨价10-15%；CCL环节Q2涨幅2-3倍 密集涨价函 ↑↑ 建滔积层板/木林森/申万宏源
模拟与功率半导体 ADI交期最长达6个月；晶合集成7月起成熟制程涨价；晶圆代工涨价效应预计延伸至2027年 供应吃紧 ↑ 国信证券/国联民生证券
被动元件MLCC 国巨全线涨价；三环渠道端二次涨价20-30%（累计50-60%+）；现货价周环比涨约50% 原厂二次提价 ↑↑ 天风电新/多方产业链点评
光模块/光纤/InP 2英寸InP衬底年内涨幅超1倍至2300-2500美元；高纯铟破5600元/kg；红磷交期1→4个月且翻倍至14000元/kg 供需缺口扩大 ↑↑ 产业链点评/东吴计算机/株冶集团
电力与能源 国内变压器/开关5月出口北美同比+39%/+36%；GEV 9H燃气轮机报价较2022年供货中国涨5倍；订单排产至2028-2031年 滞后兑现 ↑ 东吴电新/东海证券/GE Vernova·西门子能源
上游材料与液冷 六氟化钨价格飙涨，日本两厂7/1停产致全球产能缩25%（合计2000吨）；光纤预制棒扩产密集（远东1800吨/烽火1300吨/亨通800吨） 事件驱动 ↑ 东海证券
产业链全景图谱
需求端
三星电子 2Q营业利润+56%
SK海力士 ADR 7/10挂牌
CSP/大模型厂商资本开支
AI服务器出货（Rubin/VR200）
▼ AI算力硬件迭代升级拉动核心组件
核心组件
DRAM2Q ASP+74%
HBM2027重定价
NANDQ3预期+35-40%
PCBVR200价值+233%
CCL覆铜板Q2涨2-3倍
MLCC渠道累计+50-60%
模拟/功率芯片交期6个月
光模块/光芯片1.6T导入
▼ 挤压产能拉动上游材料
上游材料
磷化铟InP衬底涨超1倍
高纯铟破5600元/kg
电子级红磷翻倍至14000元/kg
电子布/铜箔德日产能刚性
六氟化钨日厂停产缩25%
光纤预制棒密集扩产
PTFE/特种树脂价值链上移
▼ 算力密度提升驱动电力基建
电力基建
燃气轮机GEV报价涨5倍
变压器/开关出口北美+39%
PJM电网负荷20年新高
液冷/CDU渗透率提升
SOFC/固态氧化物燃料电池