报告聚焦三个核心标的在AI存储扩张周期中的合同结构与资本投入：

• Micron供应合同（SCA）：剩余合同义务约 $100bn，其中已支付保证金 $18bn现金 + $4bn信用证（合计$22bn），反映超大规模云厂商对存储供给安全的极度重视，预付比例创行业历史新高。
• HBM长期协议（LTA）覆盖率：三星/SK海力士 HBM产能被长期协议锁定比例 >90%，协议期通常延伸至2027年，意味着现货市场实际可得量极为有限，进一步支撑HBM溢价。
• 韩国存储产业资本支出：三星宣布未来5年投资 $176bn，SK海力士宣布未来5年投资 $71bn，两者合计 $247bn，加上其他配套生态投资，韩国存储产业链投资总额估计约 $530bn。
• 摩根大通认为，上述资本支出中HBM相关比重持续提升，而标准DRAM/NAND资本强度相对降低，结构性供需缺口将维持至少至2027年底。

摩根士丹利日本策略团队将当前存储价格上涨定性为"超周期"（super-cycle），核心数据点：

• 现货价格同比：DRAM及NAND Flash现货价格同比涨幅 >+600%，远超2017年存储超级周期峰值水平。
• 日本供应链受益：铁木真（Tosoh）、三菱化学等日本特种化学品/材料企业对存储厂商的化学品供应呈现结构性短缺；信越化学晶圆出货量持续提升，反映日本在上游晶圆衬底环节的议价能力增强。
• DDR2合同价格：Q2 2026合同价较上季度上涨 +55~60%；摩根士丹利预测Q3 2026将再涨 +35~40%（TrendForce数据），背后逻辑是存储厂商优先保障HBM/DDR5产能，DDR2产能被动缩减。
• 日本存储相关企业（铁木真、信越、三菱化学、JSR）在当前AI通胀周期中的供给约束更难以突破，较存储厂商本身享有更稳定的提价空间。

摩根大通组织MLCC行业论坛，村田制作所、TDK、太阳诱电等主要供应商与买方共同参与，核心结论：

• GB300 ASP跃升：NVIDIA GB300 AI服务器单机MLCC规格大幅提升，对应ASP >US$0.04/颗，是传统服务器 US$0.01/颗 的 4倍以上。
• 服务器MLCC市场规模：CY25全年约 $1.2bn；CY26E约 $2.258bn（+88% YoY）；CY27E约 $4.527bn（+100% YoY），连续两年翻倍增长。
• 供货能见度：村田/TDK主力客户订单能见度已延伸至 12个月以上，部分超大规模客户签署到2027年底的长期采购协议；交货期从正常的8~10周延至 26~30周。
• Rohm模拟/功率半导体联动短缺：MLCC短缺带动模拟IC/功率器件采购周期同步拉长；Rohm反馈SiC MOSFET及模拟IC多个品类出货周期延长至 28~36周，AI服务器电源管理模块需求集中爆发是主因。

住友电工（Sumitomo Electric Industries）宣布对磷化铟（InP）衬底实施重大资本投入，野村证券发布快评：

• 投资规模：¥180亿（约合 $1.2bn）专项投入InP单晶生长及衬底加工产能。
• 扩产目标：FY29/3（2029年3月财年末）InP衬底产能扩至当前 3.1倍，覆盖400G/800G光收发器、co-packaged optics（CPO）以及高功率激光器等应用。
• 需求驱动：超大规模数据中心（Meta、Google、微软、AWS）2025年起大规模部署光互联模组，InP基激光器/调制器需求进入爆发期；现有全球InP衬底产能高度集中（住友/AXT/德国Freiberger三家合计约75%份额），扩产周期长达3~4年。
• 价格影响：野村预计本次投资确认需求明确信号，将推动InP衬底现货价格短期维持高位；4英寸InP衬底当前市场报价已较2024年底上涨约 55~70%。
• 长期看，CPO技术规模量产落地（预计2027~2028年）将是InP需求的第二波增量，住友此次投资节奏与之匹配。

摩根士丹利欧洲电气设备团队更新超大规模云厂商资本支出预测，上调2027年展望：

• 超大规模资本支出：综合 Meta/Google/微软/AWS/甲骨文 数据，2027E 全球超大规模资本支出预计同比增长约 +39%，绝对量创历史新高，其中数据中心电力基础设施（配电、变压器、UPS、冷却）占比持续提升。
• 欧洲电气设备受益：施耐德电气（Schneider Electric）、ABB、西门子能源（Siemens Energy）、豪迈（Howden）等欧洲龙头获得数据中心定制变压器/配电系统大单，报告显示部分产品线交货期延至 18~24个月。
• SMR与电力多元化：小型模块化核反应堆（SMR）在数据中心供电场景中获得更多关注，微软/Google已签署SMR预购协议，摩根士丹利认为SMR将在2028年后形成增量供电能力，短期内不影响电网变压器短缺格局。
• 报告亦指出，AI训练集群的电力密度（单机架>100kW）已超越现有数据中心园区标准配电能力，驱动配电系统单价大幅提升；液冷CDU（制冷分配单元）渗透率预计2026E达 35%，2027E达 55%。

国盛证券援引TrendForce最新数据，对SLC NAND Flash价格路径进行系统梳理：

• H1 2026累计涨幅：SLC NAND合同均价较2025年底累计上涨 130~150%，创该产品细分市场历史涨幅纪录。
• H2 2026预测：TrendForce预测H2 2026 SLC NAND合同价将再涨 +70~75%，全年累计涨幅将超过200%；驱动因素包括：①工业/汽车MCU配套SLC需求持续走强；②AI边缘侧设备（AI PC、AI摄像头）使用SLC替代eMMC；③三星/铠侠/西部数据已将部分SLC产线切换为MLC/TLC 3D NAND，供给端结构性收缩。
• 供需缺口测算：国盛估算2026年全年SLC NAND等效位需求增速约 +28%，而供给端等效位增速约 +8~10%，缺口约18~20个百分点，在没有新产能释放前不可弥合。
• 国内存储模组厂商（江波龙、佰维存储等）在工业SLC NAND模组环节受益最为直接，向下游客户转嫁能力较强。

• 三星电子宣布未来5年资本支出计划合计 $176bn，其中半导体（含存储+晶圆代工）约占75%；HBM4扩产与良率改善是优先级最高的项目，预计2026H2开始向英伟达批量出货HBM4。
• SK海力士同期公布5年 $71bn 投资计划，聚焦HBM3E/HBM4产能快速爬坡；SK海力士当前在HBM市场份额约50%，已确认英伟达GB200/GB300 HBM供应合同。
• 第一创业指出，两家合计$247bn投资中HBM相关资本支出占比估计约40~45%（约$100bn），折射AI存储供应链投入规模之大；但同时提醒，HBM产能集中投放将在2028年后形成过剩风险，届时HBM单位成本将快速下行。
• 国内HBM产业链（长鑫存储HBM1试产、华为昇腾配套国产HBM路径）进展受限于先进制程，短期内无法参与主流HBM3E/HBM4供应链竞争。

• 华鑫援引TrendForce数据：DDR2 DRAM合同价 Q2 2026 环比上涨 +55~60%；Q3 2026预测再涨 +35~40%。
• DDR2主要应用于工业控制、交换机/路由器等老旧平台，属于小众利基产品；三星/SK海力士已全线退出DDR2生产，全球供给集中于南亚科技、华邦电、长鑫等二线厂商，且产能持续缩减。
• AI基础设施建设带动网络设备换代需求，但采购预算向AI GPU倾斜使网络设备商推迟升级，维持旧平台运行的DDR2需求因此出现意外回升。
• 华鑫测算DDR2毛利率在Q2 2026已超过 65%，远超DDR4/DDR5等主流产品（约20~35%），形成典型的利基高价品格局。

• 金元证券对SK海力士HBM长期协议（LTA）结构进行拆解：当前HBM产能 超过90% 通过LTA锁定，有效期延伸至2027年；其中英伟达占据约55~60%份额，AMD、谷歌TPU占余量。
• LTA条款通常包含价格阶梯（随HBM代际提升而上调）和最低订购量保障（take-or-pay），买方即使不使用也需支付一定比例违约金，进一步强化供应商定价权。
• Micron未参与主流HBM3E供应，当前专注HBM4研发与认证；其SCA（供应合同协议）结构类似但客户集中度更高（以少数超大规模云厂商为主），保证金规模约 $22bn。
• 金元指出，LTA高覆盖率意味着HBM现货价格信号失真，真实结算价格较公开现货报价低约10~15%，但协议内价格绑定至高位使整体ASP维持在历史高位。

天风证券对PCB产业链成本结构进行拆解，聚焦上游CCL（覆铜板）涨价向PCB的传导路径：

• CCL成本占比：CCL约占高层AI服务器PCB制造成本的 45~55%（相较消费PCB的30~35%更高），AI服务器PCB层数更多（24~32层），单位CCL用量显著更大。
• 韩国CCL涨价：韩国3月CCL出口单价同比 +74.5% 至 $20,728/吨；天风跟踪国内主要CCL厂商（生益科技、南亚新材、华正新材）反馈，国内CCL价格较2025年底累计涨约 +40~50%，低于韩系产品是因国内中低端PCB用CCL较多。
• 交货期拉长：高端CCL（低介电损耗Df≤0.003）交货期从原本 4~6周 延伸至 20~24周，与ABF膜的供给紧张形成共振。
• 天风测算，CCL和铜箔（电解铜箔+HVLP铜箔）合计成本上涨将使AI服务器PCB制造商毛利率在不涨价情形下被压缩约 6~9个百分点；实际上大厂已向客户争取价格联动条款，部分已实现季度性价格调整机制。

• 味之素提价确认：ABF（Ajinomoto Build-up Film）膜生产商味之素正式通知客户，2026年全年提价幅度逾30%，为该产品迄今最大单年涨幅；背景是全球ABF膜供应高度集中（味之素全球市占率超85%），无替代供应商。
• 载板成品价格传导：浦银测算ABF膜在IC载板成本中占比约 18~25%，30%提价将直接推动载板BOM成本上升约 5~7个百分点；载板厂（欣兴、南电、景硕、珂尔微等）将把成本转嫁至IC设计/封测客户，预计载板成品ASP 2026E涨幅约 15~22%。
• AI加速器需求：英伟达B200/GB300以及AMD MI400系列均使用FC-BGA（倒装芯片球栅阵列）高密度ABF载板，单片用膜面积较普通CPU载板大 3~4倍，进一步放大ABF膜短缺的量价影响。
• 浦银预测2026年全球ABF载板营收同比约 +35~45%，同时因需求旺盛、产能利用率持续在 90%+，良率改善带来的边际利润增量显著。

• 电子布（电子级玻璃纤维布）是CCL的核心原材料之一，约占CCL成本的 20~30%。中金报告指出，近期电子布价格涨幅 "超出市场普遍预期"，主要品规（1080型和2116型）已较年初涨约 30~40%。
• 供给端结构：中国大陆电子布产能全球占比约65%（重庆国际复合材料、南亚玻纤、泰山玻纤等），但高端品规（低介电、低损耗的IT级电子布）集中于台湾长春、中华龙纤等，扩产周期约 18~24个月。
• AI服务器拉动：AI服务器PCB对低Dk/Df电子布需求集中爆发，而该类产品历来供给紧张；中金认为2026年全年IT级电子布供给增速约 +5~8%，需求增速约 +22~28%，缺口约15~20个百分点。
• 中金还关注到：铜箔（尤其HVLP超低粗糙度铜箔）价格同步上涨，银行电解铜价上行+AI服务器高频PCB对HVLP需求激增双重叠加，HVLP铜箔报价已涨约 25~35%。

中金研究从AI训练集群组网需求出发，梳理光纤→光模块→InP衬底的全链供需：

• AI集群光纤消耗量：单个超大规模GPU集群（如10万卡NVL集群）需消耗光纤约 800~1,200公里，其中高密度带状光缆（ribbon cable）需求急增，国内厂商（长飞光纤、中天科技、亨通光电）反馈订单能见度延伸至 2027年Q2。
• 光纤价格走势：G.652D单模光纤出厂价年初至今上涨约 +18~25%；带状光纤（ribbon fiber）涨幅更大约 +30~40%，交货期从常规的 6~8周 延至 16~20周。
• 电子布拉动效应：光模块PCB（高速信号传输基板）同样依赖低Dk/Df电子布，随电子布价格上涨形成对光模块制造成本的额外压力；中金估算光模块PCB成本约占模组BOM的 8~12%，电子布涨价30~40%将推升PCB成本约 3~5%。
• 中金认为，800G→1.6T升级是推动本轮光模块需求激增的核心驱动，1.6T光模块单价约为800G的 1.8~2.2倍，量价双升格局将持续至2027年底。

• 市场规模预测：中原证券测算全球光互联模组（含光收发器、硅光模块、CPO子系统）市场规模：2025E约 $28bn；2030E约 $105bn；对应 CAGR +29.7%。
• CPO渗透加速：Co-Packaged Optics（共封装光学）预计2027年开始规模量产，CPO模组单价虽低于插拔式光模块，但功耗降低约 40%、带宽密度提升约 4倍，将催生硅光芯片与InP调制器的新一轮需求高峰。
• 国内供应链成长：中际旭创（800G出货量全球第一）、华工科技、源杰科技等国内厂商在800G光模块领域快速成长，中原测算国内头部厂商800G出货量2026H1同比增长约 +180%。
• 材料短缺压力：InP衬底（外延片基材）是800G以上EML（电吸收调制激光器）的核心材料，全球供给高度集中于住友/AXT/Freiberger，野村证券的住友扩产快评印证该环节已形成战略级短缺；国内无规模化InP衬底供应商，完全依赖进口。