今日最值得关注的变化

说明：进门(BRM)平台对2026-07-16当日研报索引存在延迟，本期检索窗口放宽至近日(7月13日-7月15日)，各条目均标注具体发布日期。

MLCC现货涨幅(1206型号)
10x
80元/K → 2000元/K，华泰专家会 7/14
磷化铟供需缺口(2026年)
70%+
需求260-300万片 vs 产能75万片
3Q26服务器DRAM涨幅预期
~60%
QoQ，Jefferies专家 7/13
生益科技2Q26净利同比
+136%
高盛点评，目标价上调至247元
美国数据中心电力缺口
38GW
2026-28年，摩根士丹利 7/14
车规存储近3月涨幅
180%
华源证券 7/13
🔑 核心判断

本轮AI通胀已从"存储/HBM单点涨价"扩散为"存储+被动元件+CCL/电子布+磷化铟+电力设备"五环节共振：MLCC现货市场出现远超2018年周期(约50%)的涨幅(部分料号达10倍)，反映AI订单对成熟产能的挤占程度超出市场此前预期；磷化铟因原料(铟、电子级红磷)供给刚性叠加出口管制，涨价确定性和持续性均强于其他环节。

图0：今日各品类涨价幅度/关键指标汇总
数据来源：华泰证券、东吴证券、Jefferies、高盛、摩根士丹利等，截至2026-07-15
怎么看：横轴为各品类当前涨价/缺口幅度（不同口径已标注），MLCC现货与磷化铟缺口幅度最为极端，反映供给刚性最强的两个环节；存储与CCL处于业绩兑现阶段，电力设备处于需求测算与规划阶段，涨价尚未直接体现在价格数字上。
外资券商
摩根士丹利
May Capacitor Output (METI)：AI/DC用高价值MLCC需求持续扩张
发布日：2026-07-14　|　电子元器件・日本
  • 预测全球MLCC出货值：2026年174.3亿美元(+18.8% YoY)，2027年208.9亿美元(+19.9%)，2028年242.5亿美元(+16.1%)。
  • 日本METI统计5月MLCC产量¥58.5bn(-9.7% YoY)，均价¥0.64(-22.2% YoY)；同期出口贸易统计显示出口金额+8.5% YoY，产量与出口口径出现背离。
  • AI/DC对小尺寸大容量MLCC需求持续扩大：新一代GPU与ABF封装基板受空间限制，需要大量高容值MLCC；村田等厂商凭借高容值与高频稳定性获得溢价空间。
高盛集团
生益科技(600183.SS)：CCL出货增长与提价驱动业绩，2Q26净利预告超预期
发布日：2026-07-13　|　目标价上调至人民币247元
  • 2Q26业绩预告归母净利润中值同比+136%、环比+76%，较高盛预测/彭博一致预期分别高出37%/44%。
  • 增长驱动：①高端CCL出货量与ASP同步提升；②子公司生益电子AI PCB出货强劲增长，受益AIDC终端需求。
  • 高盛上修2026-28年营收11%/4%/3%，净利润17%/1%/1%；预计生益毛利率将随AI CCL/PCB产品结构升级持续抬升。
  • 全球服务器TAM上修：AI服务器芯片出货量2026-28年预期上调14%/22%/14%；美国CSP资本开支上调8%/27%/25%；中国CSP资本开支上调37%/44%/55%。
汇丰银行
Asia Memory：现在担忧存储周期见顶为时过早，HBM涨价与SO-CAMM2驱动新催化
发布日：2026-07-13　|　重点标的：SK海力士
  • 汇丰将本轮存储周期类比1990-95年PC普及超级周期；HBM4切换将加速HBM相对普通DRAM的溢价修复。
  • SK海力士2027年HBM4时代市场份额有望维持在50%-55%；三星电子则受益于HBM4追赶与晶圆代工复苏。
  • SEMCO(三星电机)将受益于：FC-BGA基板周期强化(芯片尺寸增大、层数增加)、AI服务器驱动的MLCC繁荣与涨价、硅电容与玻璃基板等新产品快速放量。
  • 亚洲营销反馈：投资者主要担忧2H26存储盈利增速放缓、Meta加入云服务器市场信号资本开支放缓；汇丰回应称HBM涨价、SO-CAMM2需求、更多长协(LTA)是抵消担忧的三大催化。
图1：全球MLCC出货值预测 2024-2028E
数据来源：摩根士丹利《May Capacitor Output (METI)》，2026-07-14
怎么看：MLCC出货值在2022-23年下滑后自2024年起连续回升，2026年增速由AI/DC用高容值产品需求主导，而非价格因素——摩根士丹利判断可比产品单价仍将温和下降，行业增长主要来自结构升级而非普涨。
Jefferies
China Trip Takeaways：存储专家访谈——涨价幅度将超预期，2026-27年中国不构成威胁
发布日：2026-07-13　|　访谈专家Ethan Tan(前三星中国)
  • 专家测算：不含中国的全球存储位元供给2026年仅增长7%-8%，将导致15-20万片/月(DRAM+NAND合计)的产能缺口，且2027年缺口仍将持续(无新增晶圆产能)。
  • 价格预测：3Q26存储价格环比涨40%-50%，4Q26再环比涨30%-40%，均高于欧美投资者此前15%-20%的预期与台湾产业调研的30%预期；服务器DRAM涨幅较行业均值高15个百分点(约60%)，消费电子类DRAM涨幅较均值低12个百分点(约33%)。
  • HBM现处于短缺状态，行业产能约330kwpm，预计2027年增至480kwpm；该供给增速将令未来12个月HBM涨价空间收敛至约70%。
  • 2027年整体存储涨价预计放缓至40%-45%(YoY)，较2026年约6倍(YoY)大幅收窄；2028年若晶圆产能增长15%-20%且AI需求放缓，价格可能出现明显回调。
  • 长协(LTA)目前仅面向云服务商(CSP)，占产能50%(未来或达70%)，意味着消费电子类客户可获供给进一步减少。
摩根士丹利
Power Struggle：AI、数据中心与本地阻力——电力仍是核心瓶颈
发布日：2026-07-14　|　美国数据中心电力测算
  • 最新测算美国数据中心2026-28年电力缺口38GW(较此前2025-28年47GW估计有所收窄)，其中在建产能15GW(较此前上修5GW)。
  • 四类主要解决方案：①天然气轮机15-20GW(2028年前)；②Bloom Energy燃料电池5-8GW；③核能同址供电0-5GW(因政治风险下修，此前为5-15GW)；④比特币矿场改造为AI数据中心，对应约25GW已锁定电网接入协议的IT关键负载。
  • 政治层面：DOE已为南方电力公司提供265亿美元贷款支持超16GW电力项目；FERC要求六大区域电网运营商60天内改革数据中心并网关税规则；同时Sanders/Ocasio-Cortez提出AI数据中心建设暂停法案，反映本地阻力上升。
  • 消费者调研：2026年5月首次出现更多受访者(约45%)支持暂停数据中心建设，而非继续建设并扩大电力供给(约38%)，社区阻力已成为影响项目落地节奏的实质变量。
💡 预期差

市场此前担忧的"存储/MLCC周期见顶"在外资一线专家调研中被反复证伪——Jefferies、汇丰的一手产业访谈均指向涨价斜率高于此前市场共识，尤其服务器DRAM与HBM的涨幅预期被上修。而电力设备环节的预期差方向相反：摩根士丹利强调本地社区阻力和监管审查正成为比设备供给更难量化的新增变量，可能导致部分数据中心项目节奏慢于芯片/存储涨价的兑现速度。

内资券商・存储/HBM/晶圆代工
华源证券
汽车行业周报：车规级存储系列(1)——重视车规级存储涨价机会
发布日：2026-07-13
  • 参考央视财经报道，近3个月车规级存储芯片整体价格涨幅约180%；三星自2026年一季度大幅上调车规DRAM/NAND价格，一季度累计涨幅分别接近70%/100%，产品交期拉长至24-30周。
  • SK海力士6月4日公告，三季度起上调eMMC/UFS等车载嵌入式存储价格，涨幅8%-12%，交期同步延长至14-16周，新增产能优先供AI存储。
  • 通用存储涨幅测算：16Gb DDR5现货价格从2025-9-15的6.2美元涨至2026-6-29的46.7美元(+6.5倍)；DDR4 8Gb从4.7美元涨至28.5美元(+5.1倍)。
  • 供给挤压：2026年汽车可能获得的DRAM产能预计仅占全市场4%，三大厂商已将服务器存储生产占比提升至70%(此前55%-60%)。
万联证券
电子行业跟踪报告：美光资本开支提速，MLCC龙头厂商订单出货比创新高
发布日：2026-07-13
  • TrendForce集邦咨询预估第三季ServerDRAM合约价将季增13%-18%；CFM闪存市场预测2026Q3服务器DDR5/eSSD价格环比涨幅分别为10%-20%/25%-30%，PC DDR5/LPDDR5X涨幅约13%-18%，cSSD涨幅约15%-25%。
  • 美光宣布将2035年前美国本土投资目标由2000亿美元上调至超2500亿美元。
东海证券
电子行业周报：晶圆代工涨价延续，美光科技长期资本开支上修至2500亿美元
发布日：2026-07-13
  • 台积电、三星近期启动新一轮调价：台积电通知英伟达、苹果、AMD等客户，3nm/5nm/7nm制程价格上调5%-10%；三星对4nm/5nm先进制程及部分车规8nm制程新客户报价上调约15%。
  • 本轮涨价核心驱动为AI芯片订单放量导致先进制程产能长期满载，叠加HBM产能挤占效应，晶圆代工正从"买方市场"转向"供应商主导定价"。
  • 美光同步宣布向环球晶圆提供5亿美元战略融资，签署10年期硅晶圆长期供货协议。
西部证券
计算机行业点评：AI景气周期向上，看好国产算力机遇
发布日：2026-07-14
  • 我国智能算力规模截至2026年3月底已达1882 EFLOPS(FP16)；长鑫科技科创板IPO拟募资295亿元投向DRAM技术升级与产能扩张，长江存储IPO辅导同步推进。
  • 2025年下半年以来受AI拉动的DRAM需求增长及全球产能调配影响，全球DRAM供不应求，是长鑫业绩增长的主要原因之一。
图2：通用存储现货价格涨幅（16Gb DDR5 vs 8Gb DDR4，2025-09至2026-06）
数据来源：华源证券《车规级存储系列(1)》，2026-07-13
怎么看：通用存储自2025年三季度末起进入陡峭上涨通道，10个月内涨幅达5-6.5倍，涨价节奏领先于车规存储1-2个季度——这意味着当前的车规存储涨价可能只是通用存储涨价的"滞后传导"，后续车规端涨价高度和持续性有超预期空间。
⚠️ 风险

晶圆代工与存储涨价正从"原厂对大客户提价"扩散为"全产业链顺价"，若终端(手机/PC/汽车)需求在高价压力下明显走弱，或云厂商资本开支节奏放缓，供给紧张的持续性将面临检验——多份研报已提示存储价格过高对手机类消费电子需求形成压制。

内资券商・PCB/CCL/电子布/被动元件
第一创业证券
晨会纪要：覆铜板公司26H1业绩预告集体高增，看好下半年持续增长
发布日：2026-07-14
  • 华正新材预告26H1归母净利润1.55-2.05亿元，同比+263%~380%；金安国纪预告7.30-8.20亿元，同比+935.75%~1063.45%；生益科技预告30.99-32.98亿元，同比+117%~131%。
  • 台积电6月营收同比+67.9%创历史新高，明显超季节性；台媒报道台积电拟上调成熟制程报价(2027年1月生效)，3nm等先进制程下半年拟再涨价，部分产品涨幅最高15%。
  • 6月、7月覆铜板价格涨幅更高，第一创业判断下半年覆铜板行业业绩将持续增长。
招商证券
建材行业电子布行情复盘：复盘2021年，本轮电子布行情正处于超级景气周期
发布日：2026-07-13
  • AI算力需求并未直接带来7628电子布增量订单，但大幅拉动2116/1080薄布、Low-Dk/Low-CTE高端特种布需求，倒逼行业龙头持续转产，挤压常规7628电子布有效供给。
  • 2026年1-5月我国IC产量累计同比+25.4%，出口数量累计同比+8.7%，为7628电子布提供稳定需求底座。
  • 样本公司股价重估幅度(2025/6/30-2026/7/7)：宏和科技+1373.9%、国际复材+1007.6%、建滔积层板+647.9%、中国巨石+434.4%、中材科技+283.2%。
  • 招商证券判断行业供需缺口2026-2027年无法实质性缓解，玻纤龙头估值中枢有望从传统10-15倍PE向科技成长赛道估值体系抬升。
申万宏源
超快激光迎来放量时代：M8/M9材料体系升级驱动新一代AI PCB钻孔需求
发布日：2026-07-14
  • 英伟达Rubin架构AI服务器采用正交背板设计，三块26层板合成78层复杂结构，推动覆铜板材料从M7向M8演进，未来向M9、M10升级(224Gbps+信号速率)。
  • M9材料采用石英布+特种碳氢树脂+HVLP4铜箔组合，是首个适配224Gbps超高速、78层高层数PCB的量产级材料，Rubin芯片2026年正式量产将带动M9材料放量。
  • 鹏鼎控股、生益科技、方正科技等已公告多笔AI PCB/高性能覆铜板扩产项目，单项投资规模13.64亿-110亿元不等。
图3：CCL/电子布关键价格轨迹（建滔FR4、7628电子布，2025年初至2026年7月）
数据来源：广发电子(7/14)、卓创资讯经sj点评转引(7/14)
怎么看：建滔FR4从年初约100元/张涨至6月260元、7月再涨15%，8月仍将继续涨价；7628电子布含税价从起涨点4.2元/米已涨至8.6元/米，两条曲线均未见放缓迹象，反映CCL/电子布尚处于涨价周期的中段而非尾声。
华泰证券｜路演纪要
AI+通胀系列五：MLCC代理专家再论行业景气趋势
会议日期：2026-07-14　|　被动元件供需与价格深度访谈
  • 本轮MLCC涨价的核心区别在于"供应问题而非材料问题"：AI需求锁定在小尺寸超高容产品，玩家稀少，供不应求由产能结构决定，与电阻/电感/钽电容因原材料涨价而涨价的逻辑不同。
  • 现货市场涨幅极端：0603 106产品从25元/K涨至32元/K(+28%)；1206 106产品从80元/K涨至2000元/K(+2400%)；0402 106从约17元/K涨至174元/K(+924%)。原厂给代理商的涨幅仅20%-30%(AI相关高端料号约80%)，价差主要被代理商/经销商/现货商吸收放大。
  • 国巨、华科已于7月1日大幅涨价(数十至翻倍不等)，且转为竞价拍卖模式，不再向代理明示调价；三环、风华预计在此背景下承接外溢订单，Q3-Q4业绩有望跨步式提升。
  • 缺货时间线：保底涨至2026年底，乐观情形缺至2027年Q2，悲观情形缺至2027年Q4；高容MLCC不论大小尺寸(服务器CPU用小尺寸、电源液冷用大尺寸)均持续紧缺。参考2018年原厂平均约50%涨价，当前涨幅(20%-30%)仍有上行空间。
  • 被动元件价格自2026年1月以来已呈现全品类共振：电阻涨1-2轮、电感涨4轮、钽电容(碳电)涨5轮，MOS管、铝电解电容同步跟涨。
💡 预期差

市场此前将MLCC涨价简单归因于"原材料涨价"的传统周期逻辑，但华泰专家明确指出本轮核心矛盾是AI订单对小尺寸高容产能的直接挤占——供应商集中度低、扩产周期受限于织布机/产线建设进度，与电阻电感等原料驱动型涨价存在本质差异，这意味着涨价的持续性和幅度可能超出以2018年周期(约50%)作为参照的市场共识。

内资券商・光模块/磷化铟/电力
东吴证券
云南锗业(002428) 2026H1业绩预告点评：磷化铟量价齐升，业绩超市场预期
发布日：2026-07-14
  • 公司预告26H1归母净利润5500-8000万元，同比+148%~261%；扣非净利润5200-6700万元，同比+576%~771%，超市场预期。
  • 受下游800G/1.6T光模块需求拉动，磷化铟量价齐升：2025年初至2026年4月，2英寸光通信级磷化铟衬底涨幅近2倍；Coherent认为供需失衡至少将持续整个2026、2027年。
  • 公司已公告扩产30万片(折4英寸，含6000片6英寸)磷化铟单晶片产线，达产后总产能将达年产45万片(折4英寸)。
万联证券
2026年中期通信行业投资策略：智算星途，光华灼灼——AI数据中心需求推升光纤价格快速上涨
发布日：2026-07-13
  • CRUofpi全球光纤价格指数2026年1月受AI数据中心需求及光纤预制棒供应趋紧推动跃升至107.9；2026年3月以三位数涨幅飙升至263.0，创CRU自2017年监测以来最大单月涨幅。
  • 2025年全球数据中心光纤用量6960万芯公里，2026年有望突破1亿芯公里；AI驱动光纤需求占比预计从2024年不足5%提升至2027年35%。
  • InP仍是光芯片最大细分领域：2025年占光芯片市场58%，2031年预计仍占46%；光芯片整体市场规模预计从2025年40亿美元增长至2031年150亿美元。
东海证券
电力设备与新能源行业2026年中期投资策略：能源安全+算电协同，筑牢行业发展基石
发布日：2026-07-13/14
  • 中国AIDC市场2024-2030年复合增速达34.8%；测算2026-2030年全球数据中心对应开关柜市场空间3329亿元、关键配电设备市场空间2517亿元。
  • 800V HVDC高压直流方案已成为AIDC配电系统重点发展方向，终极架构需固态变压器(SST)——较中压整流器效率更高、占地更小，为英伟达HVDC白皮书认定的终极方案；国内中国西电、四方股份等企业应用进度全球领先。
东方证券
装备新科技深度报告：AIDC电力建设高景气，SOFC规模化应用奇点将至
发布日：2026-07-14
  • Meta 7月8日宣布投资100亿美元在加拿大建设首座1GW数据中心，打消市场对算力过剩的担忧；西门子近期电话会将未来几年燃气轮机行业年均需求上修至约110-120GW。
  • SOFC燃料电池可在半年内部署完毕，远快于传统电厂建设与电网扩容(通常按年计)，在AIDC缺电加剧背景下部署速度优势凸显，有望带动装机量加速增长。
图4：磷化铟供需缺口测算与衬底价格走势（2026年）
数据来源：国金计算机(7/14)、东吴证券(7/14)、中信通信(7/14)
怎么看：左侧供需缺口柱状显示2026年需求(260-300万片)是有效产能(75万片)的3.5-4倍；右侧价格折线显示国内3英寸磷化铟衬底从700元一路涨至4000元以上，涨价空间尚未随价格上涨而收窄，反映扩产瓶颈(电子级红磷、高纯铟均受海外或出口管制约束)难以在短期内缓解。
🔑 核心判断

磷化铟是本轮AI通胀中供给刚性最强的环节之一：核心原料铟(70%供给来自中国，当前受出口审查限制)与电子级红磷(90%供给来自日本，对华管制)两头受限，扩产周期又受限于单晶生长良率与设备交付周期，与MLCC类似呈现"结构性稀缺"而非单纯原料成本传导，预计2026-2027年涨价确定性和持续性均较强。

分析师点评与专家会汇集
🔑 广发电子：AI算力链PCB/CCL/电子布深度解析

发布日：2026-07-14。传统CCL实现超额顺价，以建滔FR4为例价格从2025年初约100元涨至2026年6月260元，7月再涨15%，8月还将继续涨价；AI CCL以M8材料为主力出货体系，2026年市场规模约54亿美元，2027年提升至115亿美元(同比翻倍以上)。电子布各品类均紧缺：普通EGLASS缺口约10%，T布缺口20%-30%，Low DK二代布缺口至年底约40%-50%；EGLASS 7628价格7月已涨至8.6元/米(较起涨点4.2元翻倍以上)。

🔑 招商电子：PCB/CCL产业链中报预告及观点更新

发布日：2026-07-14。26H1 CCL厂利润普遍环比翻倍增长：金安国纪扣非归母7.3-8.3亿元，同比+908%~1030%；华正新材扣非归母1.5-2.0亿元，同比+337%~483%。26H2上游铜箔加工费上涨、玻璃布供给偏紧(薄型布被AI专用低Dk布需求挤占)，成本支撑叠加供需偏紧，CCL涨价周期的持续时间和幅度可能超出前期预期。

💡 中信通信：坚定看好光通信

发布日：2026-07-14。市场此前担心磷化铟扩产过多，但实际受电子级红磷和高纯铟双重限制，真正能扩产的磷化铟很少。当前北美磷化铟衬底价格是中国的7倍，国内3英寸衬底价格从去年700元涨至目前4000元以上，预计光芯片需求爆发与衬底扩产受限的双重催化下，磷化铟衬底价格还会继续上涨。

📌 天风新材料：磷化铟纪要—海川智能

发布日：2026-07-14。溢泰(标准品)报价2000元，非标最高8000元；预计2026-2029年持续涨价，年底目标价5000-6000元。铟衬底出口受严格限制，全年获批不足万片；企业单片成本约450元，良率34%(目标50%)。

📌 sj/帝奥微交流要点：光模块领域涨价周期启动

发布日：2026-07-13。海外厂商光模块相关料号从2025年7月起涨价，国内从2026年进入涨价周期，公司预计2026年7月正式执行涨价，幅度从几个点到二十几个点不等；1.6T/3.2T光模块用AFE单颗价值量较800G时代提升至10美元以上(原2-3美元)，模块电源单颗价值量提升至十几到二十几元(原3-5元)。

⚠️ 国金宏观：海外科技信息追踪

发布日：2026-07-14。JPM预计未来超过一半合同量可能纳入长期供应协议，DRAM供给满足率仅约50%-60%，短缺或持续至2028年；HBM4E预计以12层堆叠为主，企业级SSD、存储载板、PCB及控制器等环节也出现供需趋紧。专业人士测算HBM对晶圆产能的占用可能持续挤压通用DRAM供给，到2030年通用DRAM供给缺口或达约25%。

📌 sj：AI硬件供应链紧平衡与资本开支上修

发布日：2026-07-13。高盛测算ABF载板2025-2028年行业TAM由77亿美元增至330亿美元，对应62% CAGR(显著高于此前33%估计)；供给缺口预计由2026年8%扩大至2027/2028年的34%/51%。三星电子与SK海力士计划合计投入800万亿韩元建设韩国西南部芯片制造集群，各规划两座晶圆厂。

分环节速览
环节 今日核心数据 价格信号 趋势 来源
存储/HBM 3Q26服务器DRAM预计环比+60%；车规存储近3月+180%；HBM产能330→480kwpm(2027) 大幅上涨 ↑↑ Jefferies、华源证券(7/13)
晶圆代工 台积电3nm/5nm/7nm涨5%-10%；三星4nm/5nm新客户报价涨约15% 上涨 ↑ 东海证券(7/13)
CCL/覆铜板 建滔FR4 7月再涨15%；生益科技2Q26净利同比+136%(高盛) 大幅上涨 ↑↑ 高盛、广发电子(7/14)
电子布/玻纤 7628电子布含税价涨至8.6元/米(较起点翻倍)；Low DK二代布缺口40%-50% 大幅上涨 ↑↑ 广发电子、招商证券(7/14)
MLCC/被动元件 现货部分料号涨10倍(80→2000元/K)；原厂涨代理20%-30%，AI高端料号涨80% 极端上涨 ↑↑ 华泰证券专家会(7/14)
光模块/光纤 CRU光纤指数3月单月飙升至263；AI驱动光纤需求占比2027年料达35% 上涨 ↑ 万联证券(7/13)
磷化铟(InP) 2026年供需缺口超70%；精铟现货5575元/kg(+80%YoY)；国内3英寸衬底700→4000+元 极端上涨 ↑↑ 国金计算机、东吴证券(7/14)
电力/AIDC 美国数据中心电力缺口38GW(2026-28)；全球开关柜市场2026-30空间3329亿元 结构性紧张 ↑ 摩根士丹利、东海证券(7/14)
产业链全景图谱
需求端
美国CSP资本开支(2026-28E上调8%/27%/25%)
中国CSP资本开支(2026-28E上调37%/44%/55%)
AI服务器芯片出货(2026-28E上调14%/22%/14%)
Meta加拿大1GW数据中心(100亿美元)
▼ AI资本开支拉动核心硬件订单
核心组件
服务器DRAM3Q26 +60%QoQ
HBM产能330→480kwpm
晶圆代工(先进制程)+5%~15%
CCL/覆铜板建滔FR4 +15%/月
MLCC现货部分+10倍
1.6T光模块AFE价值量+3倍
▼ 拉动上游材料与稀缺基材
上游材料
电子布(7628/Low DK)缺口40%-50%
铜箔(HVLP)加工费上涨
磷化铟(InP)缺口超70%
精铟原料5575元/kg +80%
硅晶圆10年期长协锁定
▼ 驱动电力与基础设施投资
电力基建
800V HVDC/固态变压器(SST)
开关柜/配电设备(2026-30空间3329亿元)
天然气轮机(15-20GW缺口)
液冷/CDU(需求增速超供给)
SOFC燃料电池