数据说明:2026-08-10(周一)当日尚无新索引研报,本期取近期可得的最新研报/点评/专家纪要(发布日集中于 8月4日–8月9日),各条目已在正文标注具体发布日期,供参考。
- 1存储涨价周期持续兑现:东吴证券2026-08-06点评,二季度DRAM合约价集中补涨,服务器RDIMM/PC DIMM/移动LPDDR5均价环比分别+57%/+52%/+67%,NAND合约价环比+67%~69%,7月DDR5现货价继续环比+8%;TrendForce预计三季度DRAM合约价再涨13%~18%,摩根士丹利、瑞银等外资行预测涨幅可达20%~32%。
- 2高盛上修全球AI PCB/CCL空间:2026-08-09《The 720》报告将2027年全球AI PCB TAM上修38%至380亿美元、CCL上修18%至220亿美元,驱动力为AI服务器机架放量与M9材料、30+层PCB规格升级;日本Resonac同日财报显示AI服务器相关CCL销售有望同比近乎翻两番。
- 3MLCC日韩龙头新一轮涨价落地:三星电机自8月1日起MLCC产品统一提价30%,太阳诱电9月跟涨;村田7月1μF以上MLCC交货周期已达30周,较6月的24周再延长6周(国金证券,2026-08-03/08-09);东北证券测算单一AI机柜MLCC用量达百万颗级,价值量从H100约3000美元跃升至VR200约22000美元。
- 4磷化铟(InP)供需持续偏紧、涨价确定性强:产业链专家交流(2026-08-09)指出通美最新报价已至4500元/片,预计年内还将再涨1-2次;摩根大通同期报告显示JX Advanced Metals已启动InP衬底首轮提价(2-3倍),并计划未来4年内产能扩张7-10倍。
- 5电力设备成为AI基础设施新瓶颈:摩根士丹利、瑞银均指出美国大型电力变压器交期已拉长至2-4年(疫情前1-2年),欧美变压器供给缺口预计2025年达40%;英伟达同期宣布拟向电力基建开发商Lancium投资最高30亿美元,锁定得州电网资源(招商电新,2026-08-09)。
本轮AI通胀已从存储/HBM单点驱动,扩散至PCB/电子布/MLCC/磷化铟等多环节共振,且需求端信号(三星5年期滚动长协、美光16份SCA长协、村田/三星电机AI服务器MLCC专用合约)显示原厂正以更长周期的合约锁定供给,涨价的持续性预期在增强而非减弱。与此同时,电力设备(变压器、燃气轮机)的供给瓶颈正在成为继芯片、存储之后新的制约变量,"抢电"叙事继续强化。
- 预计2027年三星/SK海力士HBM混合ASP达约2.9美元/Gb,同比分别+87%/+100%,其中同类产品提价约60%,其余来自产品结构改善。
- 预计2027年供需将比今年更紧,最新一代HBM良率爬坡难度上升(更先进制程、更高堆叠层数)是核心约束。
- 预计年末传统DRAM均价将从2025年末的0.5-0.6美元/Gb升至约2美元/Gb,为HBM明年大幅提价打开空间,公司预测较市场一致预期(Visible Alpha约2.3美元/Gb)高出24%。
- 预计HBM收入占三星/SK海力士DRAM总收入比重将从今年的8%/14%提升至2027年的16%/22%、2028年的18%/25%。
- 较2026年5月预测上修FY26E-28E每股收益3%~16%,主因下半年DRAM ASP上修(此前预测3Q/4Q环比+10%/+5%,现上修)、NAND ASP上修、以及HBM ASP因供需缺口持续上修。
- 股价自6月高点已回调46%(同期KOSPI-30%、存储同业-33%),管理层年内资本回报计划更新(可能包含回购)被视为下一个关键催化剂。
- 2027年全球AI PCB TAM上修38%至380亿美元,CCL TAM上修18%至220亿美元,驱动力为AI服务器机架放量与规格升级(M9材料、30+层PCB)。
- 看好AI PCB/CCL供应链维持高稼动率,报告覆盖标的包括生益科技、胜宏科技、松下、三井金属、日东纺。
- 同期财报佐证:Resonac(日本)2Q净利大超预期,管理层将全年核心营业利润指引由1400亿日元上修至1960亿日元,AI服务器相关CCL销售预计同比近乎翻两番;JX Advanced Metals一季度营业利润812亿日元超预期,FY3/27指引上修22%至2320亿日元,InP衬底启动首轮2-3倍提价,产能规划4年内扩大7-10倍;NYPCB新增468亿新台币资本开支用于高端ABF基板产能,管理层称ABF基板市场正进入严重供给短缺。
市场此前更关注存储与MLCC的涨价弹性,但高盛本次上修显示PCB/CCL环节的TAM扩张幅度(38%)已超过多数被动元件品类的价格涨幅本身,且日系材料厂(Resonac、JX Advanced Metals)业绩已提前验证——PCB材料环节的盈利兑现速度可能被低估。
- 美国变压器供给结构性偏紧,进口占比约82%,本土产能仅满足约20%需求;过去50年本土供应商产能与技工投资不足。
- 大型电力变压器交期已拉长至2-4年,较疫情前的1-2年明显延长,且短期内改善信号有限;数据中心用电增长将持续支撑未来十年的结构性需求。
- 西门子能源计划投资1.5亿美元在北卡建设新变压器工厂(预计2026年末完工、2027年初投产);施耐德电气投资1.4亿美元升级美国制造(含田纳西开关柜与中压配电变压器产能)。
- 燃气轮机(供应约50% AIDC电力需求)美国交期已延长至最长7年,因AIDC需求与航空航天/国防上行周期同时挤占产能。
- 西门子能源测算欧美电力变压器供给缺口2025年约40%,2030年仍有约10%;800V直流服务器架构升级进一步拉动电力设备需求,HVDC市场2024-28E CAGR高达94%。
- 液冷市场规模预计2030年达400亿美元,其中液冷2025-30E CAGR约45%;冷板、快接头(UQD)、Manifold、CDU等长交期部件产能受限。
- Ibiden一季度营业利润269亿日元超买方预期250亿日元,Intel CPU基板持续提价,管理层预计供给紧张将延续至FY29-30,2026年内决定新产能(2027年才能投产)。
- 路透社报道美国FCC拟限制中国光模块出口,叠加Lite CEO表示即便5座新厂爬坡InP仍短缺,投资者对光模块供应链关注度上升;JX Advanced Metals为核心InP供应商,产能正快速扩张。
- JX Advanced Metals一季度营业利润812亿日元,大幅超摩根大通预测743亿日元、市场一致预期629亿日元;FY3/27营业利润指引上修至2320亿日元。
- InP衬底启动首轮提价,幅度2-3倍,与市场预期基本一致;公司6月已公布大幅扩产计划,目标FY27末产能较FY25末扩大2-3倍、FY28末4-5倍、FY29末7-10倍,但客户询单量甚至更高(部分投资者预期需扩20-30倍)。
- InP目前仅占公司营业利润约1%,但公司全球份额达40%,提价与扩产落地后利润贡献空间较大。
- AXT二季度销售额4760万美元,环比+77%、同比+164%;毛利率45%,较上季度30%、去年同期8%大幅提升;三季度指引6600万美元(环比+39%)。
- 800G/1.6T光模块升级驱动InP需求,订单积压已超1亿美元且持续增长;公司将2026年末季度产能指引由3500万美元上修至6000万美元,预计2027年末达1.3亿美元/季度。
- 已与Coherent(2530万美元)、Casela(2230万美元)、Lumentum签订长期供货协议(LTA);因产能全部位于中国,InP出口仍需许可,公司预计中国国内销售占比将达40%-60%。
- 二季度DRAM合约价集中补涨:服务器RDIMM/PC DIMM/移动LPDDR5均价环比分别+57%/+52%/+67%,DDR5 16Gb合约价环比+53%;7月DDR5现货价继续环比+8%,为三季度合约价上行提供支撑。
- NAND合约与产品价格同步补涨,1Tb TLC/QLC合约均价环比+67%~69%,客户端SSD、eMMC、UFS涨幅更显著(分别+83%/+135%/+160%);但TLC/QLC现货价格自3月高点已回落5%~8%,表明二季度涨价更多体现为合约重定价。
- 长协锁定供给成为行业新常态:三星与5家CSP签订5年期滚动长协;美光已签署16份Strategic Customer Agreement,对应约220亿美元现金存款,管理层称供需缺口"看不到尽头";SK海力士HBM4提前批量出货并锁定约10家核心客户多年长协;铠侠目标2028年长协覆盖率达50%。
- 三季度展望:TrendForce预计DRAM合约价环比+13%~18%、NAND+10%~15%;摩根士丹利、瑞银等外资行预测DRAM涨幅可达20%~32%,高于产业机构预测。
- DDR4(8Gb)自2024年底至2026年6月涨幅超17倍,DDR5(16Gb)自2025年11月至2026年6月底涨幅约4.9倍;长鑫存储2025年营收618亿元,2026Q1营收同比+719%,产能利用率2024Q1以来长期维持90%以上。
- 全球HBM wafer需求测算将从2024年的2.9万片/月增长至2028年的44.2万片/月,年均复合增速超90%;HBM持续挤占传统DRAM晶圆产能,全球DRAM供需紧平衡预计难在两年内缓解。
- 2025年HBM市场由SK海力士(份额58.3%)、三星、美光主导,海外龙头已陆续实现HBM4量产,国内长鑫存储预计2027年实现HBM3e量产。
- Counterpoint数据:2026Q2全球DRAM市场,三星以39%份额重返榜首,SK海力士营收同比+214%但份额由39%降至26%,美光以25%份额紧追;长鑫存储、南亚科技营收同比分别+716%、+690%。传统DRAM价格环比上涨,HBM价格因HBM3E下调及HBM4延迟同比下降,但预计Q3 HBM4放量后跌幅将收窄。
- TrendForce:受2027年DRAM供应持续紧张及HBM4e验证/良率爬坡不确定性影响,英伟达自2026Q3起评估Rubin Ultra多套HBM备选方案(12-Hi HBM4e/8-Hi HBM4e/12-Hi HBM4/8-Hi HBM4);2027年HBM位元出货量预计同比+50%~60%,仍无法满足需求,HBM供应商将保持定价权,价格普遍预期大幅上涨。
报告覆盖标的涵盖PCB/IC载板(胜宏科技、沪电股份、鹏鼎控股、深南电路、兴森科技)、PCB设备(芯碁微装)、PCB上游原材料(宏和科技、中材科技、国际复材、德福科技、铜冠铜箔);关联报告《存储涨价持续兑现,原厂业绩验证景气上行》(08-07)、《MLCC大厂发布业绩,AI MLCC景气度得以进一步验证》(08-03)。
- 2025年9家头部PCB企业资本开支达267亿元,同比+111%;2026Q1资本开支125亿元,同比增速进一步达+182%,扩产仍在加速。
- 建滔积层板2025年以来已经历7次涨价,主因上游原材料需求紧张;HVLP铜箔与高端电子布主力供应商为日韩企业(三井、古河、福田、斗山;日东纺、旭化成),扩产意愿弱、速度慢,供需缺口持续拉大,进口铜箔设备与电子布设备均处于供不应求状态。
- 8月初普通E布7628较7月提价1.6元/米至10.2元/米,绝对值继续加速涨价(7月为+1.2元/米),"缺布"仍是PCB产业链共识。
- 三井金属上修扩产指引:HVLP铜箔2030年规划扩产至1400吨/月,载体铜箔2030年计划从560万平/月扩至800万平/月;日东纺业绩因扩产节奏慢于预期表现不佳,凸显日资企业扩产策略分化。
- 国内2400tex无碱缠绕直接纱截至8月6日均价3768.5元/吨,同比+7.02%;2026年6月我国玻纤纱及制品出口量19.64万吨,同比+7.66%,出口金额3.06亿美元,同比+14.8%。
8月G75电子纱均价20137.5元/吨,环比+18.54%;7628电子布均价10.2元/米,环比+18.6%,电子板块涨价趋势延续;粗纱端2400tex缠绕直接纱均价3768.5元/吨,环比基本持平。
汇总日韩及国产MLCC厂商年内涨价情况:
- 国巨/华新科:1月底涨价4.8%-9.5%(周期反转跟随调价)
- 村田:4月1日起AI服务器专用高容MLCC、高端车规级MLCC涨价15%-35%
- 三星电机:4月起涨价5%-10%;TDK:5月1日起涨20%-30%;太阳诱电:5月1日起涨10%-20%
- 三环集团、风华高科:5月跟涨5%-12%/5%-10%;火炬电子:5月涨8%-15%;京瓷:Q2涨8%-15%
- 2025年全球AI服务器高容MLCC份额:村田45%、三星电机30%、太阳诱电15%、TDK10%
- GB300平台需搭载约3万颗MLCC(约为手机的30倍、车辆的3倍),单一AI机柜消耗高达44万颗MLCC;村田预估2030年AI服务器MLCC需求较2025年大增3.3倍。
- 供需矛盾下交货期持续拉长:截至7月村田1μF及以上MLCC交货周期已达30周,较6月增加6周;三环集团MLCC部分规格价格修复至合理水平,销售量额同比大幅增长;风华高科主营产品销量及单价同比上升。
村田、三星电机、太阳诱电三大日韩厂MLCC出货同步创近5年单月新高;三星电机自8月1日起MLCC产品出货价格统一上调30%,太阳诱电同步发出涨价通知;存储市场方面三星电子及SK海力士业绩表现较好,需求及订单指引积极。
- 三星电机8月1日起统一涨价30%,客户开始提前锁定长期供货;太阳诱电9月1日起涨价,理由为原材料及辅料价格急剧上涨,年内已多次涨价仍无法充分吸收成本上涨;据TrendForce 7月28日调查,6月村田、三星电机、太阳诱电出货同步创近5年单月新高,增长延续至7月。
- 消费级中高容MLCC(1uF~22uF)产能受挤压,主流料号库存水位普遍低于30天;渠道代理商提前备货者已调高产品价格,平均涨幅达20%-25%,现货市场更提至原价2-3倍。
亚马逊2026年全年资本支出指引由2000亿美元上调至2200亿美元,主因内存价格上涨及AI数据中心投入;谷歌CAPEX指引由1800-1900亿美元上修至1950-2050亿美元,Meta由1250-1450亿美元上修至1300-1450亿美元;三大MLCC厂商同步提价并加速扩产投资。
MLCC涨价逻辑已逐步与存储解耦——华泰电子等多方指出,MLCC涨价主要源于日韩龙头产能结构性转向AI高端规格导致的消费级订单外溢,而非单纯跟随存储周期,这意味着MLCC涨价的持续性可能不完全受制于存储价格走势,国产厂商在中低端承接外溢订单的确定性较高。
- "三减一增"重塑北美电力供需格局:增量端预计2024-2030年北美AIDC新增电力设备需求累计达218GW;存量端预计同期美国煤电、核电及老旧燃机退出合计约272.5GW;全球AIDC可用发电设备供给虽将从2024年6.8GW提升至2030年94.0GW,但仍难覆盖需求,累计供需缺口约218.7GW。
- 燃机通胀逻辑持续演绎:截至2026Q2,GE Vernova燃机积压与锁槽订单合计116GW,同比+115%;西门子能源合计87GW,同比+74%;三菱重工FY25期末在手重燃订单达74台,三大主机厂订单均处历史高位。
- 重燃全生命周期度电成本约0.063美元/kWh,为各类现场发电路径最低,仍是大型AIDC长期基荷供电核心方案;SOFC兼具高效率、低污染、模块化部署优势,渗透率有望加速提升。
- 三菱重工FY2026Q1 GTCC订单由上年同期6025亿日元增至9300亿日元,收入由1968亿日元增至2749亿日元,Energy Systems业务利润同比+80%至1013亿日元,利润率由13.3%升至18.9%,公司上调全年订单指引至3.55万亿日元。
- 卡特彼勒Q2动力和能源业务营收82.38亿美元,同比+17%,北美市场收入同比+30%;受AI数据中心建设需求推动,当季新增订单94亿美元,未完成订单升至721亿美元,全年销售额及收入增速指引上调至15%-19%。
德国德累斯顿Smart Power Fab已于7月初开业,为全球最大先进功率与模拟混合信号技术工厂,原规划达产周期3-7年,现处区间低端;FY26资本开支约27亿欧元,聚焦Dresden完工投产与AI电源产能;管理层测算ESS+SST+SSCB电源基础设施市场现约低至中三位数百万欧元,至下一个十年初有望达中个位数十亿欧元量级。
公司深度受益于北美AI数据中心建设带来的缺电加剧,全球电力投资扩张使高压变压器、开关需求攀升,海外产能释放速度远不及需求增长,交付周期拉长,推动中国电力设备企业在欧美市场渗透率强劲攀升;测算2026-2030年数据中心自建电源对应储能需求复合增速达23%,中期有望突破150GWh。
据The Information报道,英伟达将向电力基础设施开发商Lancium投资最高30亿美元(首期20亿美元获约20%股份,后续视并网里程碑追加10亿美元),Lancium企业价值约100亿美元;其位于德州阿比林的清洁园区已获ERCOT批准并网能力1.2GW,另有多个园区合计5GW+潜力;报告覆盖标的包括思源电气、金盘、伊戈尔、神马电力及SOFC相关公司。
Lancium是OpenAI与Oracle在德州Abilene建设的"星际之门"AI园区背后的电力基础设施提供商,已在德州电网锁定并开发4GW电力,另有15GW待接入项目推进中;报告梳理AI电源供电系统全链条相关标的——机房供电系统(UPS/HVDC/SST)、上游元器件(功率器件、磁件磁芯、电容电感),涉及中恒电气、科华数据、四方股份、伊戈尔、京泉华等。
- 公司10kV/13.8kV(AI数据中心主流)中频变压器(MFT)完成小试待量产,水冷/风冷全系列覆盖,效率97.5%-98.5%,体积较传统变压器缩减60%-90%;客户矩阵覆盖伊顿、维谛、施耐德、华为、比亚迪等,伊顿送样进度领先,率先锁定27年批量订单份额。
- 公司为全球SOFC龙头BE的90%磁性元器件主供,独家配套升压电感、隔离变压器、EMC滤波组件,客户订单排至2027年;26Q1 BE相关收入6400万元,预计Q2环比抬升至8000余万元,Q3有望突破1-1.2亿元,逐季爬坡趋势明确。
中国巨石(电子布):电子布满产满销零库存,2026年3月起每月涨价,8月7628单米再涨1.5元;2026年产量预计11亿米+,2027年13亿米,全球份额近30%,薄布售价约12-13元/米;淮安5万吨电子纱2026年7月满产;总产能规划桐乡27万吨电子纱+9.6亿米布、淮安15万吨+7.1亿米,全部投产后总产能接近17亿米。
磷化铟行业专家:全球市占率前三(日本住友、JX、美国AXT/北京通美)合计约70%;25年市场规模15亿元,26年80亿元,27年预计150亿元;3英寸衬底价格从25Q4的1500元/片涨至2026年的4100元,4英寸从5500元涨至7000元;27年行业需求预计220余万片3英寸当量,2028年300+万片;核心瓶颈为电子级红磷,日本Yamanaka已停接新订单。
缺货和涨价确定:通美消化2025旧库存至2026上半年,Q3缺口出现后逐步提价,最新报价4500元/片,预计年内还要涨价1-2次。2026年需求侧数据:源杰需求十几万片,华芯8-10万片,全磊5-6万片,索尔思10-12万片(对应约1000万只光模块出货量),AAOI预计2028年需求超100万片。切割良率实际极低(磷化铟材料脆,易产生微裂纹),是导致器件端产量口径系统性被高估的主因。
海外Rasa、日本化学原占全球80%份额,年产能仅十几吨,现已实质对国内断供;国内可量产三家均有瓶颈(贵州威顿纯度不足6N产能有限、广东先导受园区限制难扩产、武汉拓材产线因核心人员流失瘫痪);2026年6N红磷价格4800元/公斤,7N红磷1-3万元/公斤,价格仍看涨;危化品资质与环评审批周期1-2年,新建产能整体需2-3年。
MLCC涨价逻辑已与存储解耦,海外龙头(村田、太阳诱电)7月集中涨价,国内厂商Q3业绩将集中体现涨价红利,核心逻辑为受益于海外龙头转向AI导致的高端订单外溢;功率器件缺货周期略晚于MLCC开启,行业7月方进行第一轮价格普涨,9月下有望推进第二轮,英飞凌/安森美反馈在手订单持续高增(30周以上),渠道库存继续走低,客户加价锁产能意愿强烈,2H26有望走出业绩拐点。
发电及电网设备:远景乌兰察布"星河"超算基地投产,全球已投产最大AI算力超级单体,百万卡并行集群,算力100万P;德州收紧数据中心并网审查,ERCOT当前排队容量474GW,约90%来自数据中心,州长要求逐项目审计。供配电:施耐德发布业内首批800V直流数据中心弧闪风险研究,与英伟达合作开发面向400kW+机柜的800VDC sidecar电源系统;三星SDI 2Q26电池业务扭亏,UPS/BBU等高功率电池需求驱动。
HBM短缺已实质性制约美国AI产业发展及后续技术迭代——先进算力投入依赖模型训练,模型训练依赖HBM等关键存储资源,英伟达作为产业链枢纽,其HBM供应受阻将传导至整个"硅基经济";类比2007-2008年高油价对"碳基经济"的压制效应,存储涨价过快同样可能拖累整体硅基经济运行,当前"追涨含存储概念标的"策略需警惕系统性风险。
PCB材料高速化趋势明确:海外方面Rubin与106T交换机升级正推动N9等级材料量产,M10等级预计2027年导入;国产算力平台滞后海外1-2个周期,2026年主流采用M7等级材料,英伟达2026年量产M8.5等级;市场对涨价逻辑定价已显钝化(该预期在Q2行情中已被透支),后续需密切跟踪涨价持续性及供需变化。
村田基于最新财报及电话会表述,正就分销商环节推进价格谈判,预计2026年下半年将对OEM客户启动涨价谈判,标志MLCC行业景气度回升;市场担忧如GB300/Rubin架构减配对MLCC需求的影响,但从供需测算看,上游材料供需仍将非常紧缺,MLCC板块核心逻辑在于放量与结构改善,主要跟随日韩原厂AI相关订单激增趋势。
| 环节 | 核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | DDR5 16Gb合约价Q2环比+53%,7月DDR5现货+8%;2027E HBM均价预期同比+87%~100% | 大幅上涨 | ↑↑ | 东吴证券、高盛 |
| PCB/CCL/电子布 | 2027E全球AI PCB TAM上修38%至380亿美元;电子布7628均价10.2元/米,8月环比+18.6% | 持续上涨 | ↑↑ | 高盛、国金证券、国盛证券 |
| 模拟与功率半导体 | 功率器件7月启动第一轮普涨,9月下拟推第二轮;英飞凌/安森美订单30周以上 | 温和上涨 | ↑ | 华泰证券 |
| 被动元件(MLCC) | 三星电机8/1起统一涨价30%;村田1μF+MLCC交货周期30周(较6月+6周) | 大幅上涨 | ↑↑ | 东北证券、申港证券、国金证券 |
| 光模块/光纤(磷化铟) | 通美InP衬底最新报价4500元/片,年内还将再涨1-2次;JX Advanced Metals首轮提价2-3倍 | 大幅上涨 | ↑↑ | 天风证券、花旗、摩根大通 |
| 电力与能源 | 美大型电力变压器交期2-4年(原1-2年);欧美变压器供给缺口2025年约40% | 交期拉长/涨价并存 | ↑ | 摩根士丹利、瑞银、华创证券 |
| 上游材料与液冷 | 液冷市场2030年预计400亿美元(2025-30E CAGR约45%);冷板/UQD/CDU长交期部件受限 | 需求扩张型紧张 | ↑ | 瑞银、东兴证券 |