- 1摩根士丹利:DRAM价格3Q26预计环比涨20-30%以上,HBM已"有效售罄",首予中国长鑫(CXMT)增持评级(08-26)
- 2长城证券:全球燃机市场供不应求,2027年底价格预计达600美元/kW(较2019年+195%),GEV、西门子能源在手订单交付已排至2030年(08-26)
- 3光大证券:建滔积层板(CCL)26H1营收+55.0%、净利润+209%,因覆铜板及上游物料持续供不应求多次提价(08-26)
- 4集邦咨询(TrendForce):九大CSP资本支出2026年+98%、2027年再+50%,DRAM+NAND占CSP资本支出比重将从2026年47%跃升至2027年68%(08-26)
- 5瑞银证券:上调中国巨石电子布26-28年综合ASP预测18%/91%/91%至8.0/13.5/14.2元/米,预计2026年末7628电子布现货价达15元/米(08-26)
存储/HBM与PCB/CCL两条主线继续强化:摩根士丹利明确给出DRAM 3Q26涨价20-30%+的量化预期,且判断HBM"有效售罄";电子布/CCL端则从"当前涨价"进入"远期ASP预测持续上调"阶段(瑞银将2026-28年ASP预测上调最高91%)。电力环节新增一条重要产业逻辑——全球燃机供给端产能紧张、订单已排至2030年,价格上行的确定性正从"电力投资加码"细化为"设备本身涨价"。
- 将2026-28年净利润预测上调22%/84%/107%至85亿/154亿/200亿元,12个月目标价从43.00元上调至58.00元
- 调整主因:自5月更新以来电子布价格涨幅远超预期,叠加业绩会释放的供给自律、产能瓶颈、AI电子布新进展等边际向好信号
- 预计供应紧张将使电子布ASP维持高位直至2028年:2026年末7628电子布含税价将升至15元/米(较当前8月10.2元/米现货价再涨约47%)
- 将2026-28年综合ASP假设(税后)上调18%/91%/91%至8.0/13.5/14.2元/米,盈利预期较万得一致预期高10-36%
- 管理层业绩后评论印证:供给增长仍受限于设备、产能投产、良率、客户认证等瓶颈,供应链低库存持续支撑价格
市场此前更多关注电子布"现货已涨了多少",瑞银这次给出的是"未来还会再涨多少"的量化路径——2026年末目标价看至15元/米,较当前8月10.2元/米的现货价仍有约47%上行空间,且2027-28年ASP预测较此前一次性上调91%,显示外资机构对电子布紧缺周期持续性的判断正在强化。
- 预计DRAM价格3Q26环比涨幅超20-30%,同比涨幅仍在加速,两只存储龙头目前交易于2027年预期市盈率3.5-4.5倍
- 当前存储周期较2023-24年周期明显更紧:HBM已"有效售罄",服务器DRAM紧张,企业级NAND因晶圆产能向AI高价值产品倾斜而同步收紧
- 与以往周期不同,本轮紧缺"结构性"而非单纯"周期性"——HBM需求受多年期承诺驱动快速增长,云厂商单系统DRAM消耗量提升,HBM产能挤占传统DRAM/NAND供给
- 维持美光(Micron)增持评级,目标价1200美元;维持三星、SK海力士增持评级
- 技术面:CXMT受EUV光刻设备限制,或将转向3D DRAM架构以推进至第五代技术节点,绕开对EUV设备的依赖
报告同时提示:随着供给纪律的可见度延伸至2028年以后,DRAM同比涨价速度可能在4Q26见顶放缓,行业短期或缺乏新的周期催化剂,需求端对价格的敏感性仍是主要变量。
- Agentic AI持续从多方面拉动存储需求:HBM之外,AI服务器CPU头节点用DDR5/LPDDR5、KV缓存与存储用NAND flash需求同步走强
- 上调2027年存储需求增速预测:DRAM位元需求2027E同比+40%(此前2026E预测为+21%),NAND位元需求2027E同比+26%(2026E为+23%)
- 预测HBM位元需求2026E达32.2bn Gb(同比+84%)、2027E达61.5bn Gb(同比+91%),几乎全部新增DRAM晶圆产能流向HBM,NAND除中国外无新增产能
- 存储行业收入预计2026E达9400亿美元、2027E达1.61万亿美元;SK海力士、三星均已与主要云厂商及大型OEM签订长协(LTA)
- 供给份额预测:2026E SK海力士市占47%(三星31%/美光21%);2027E三星反超至40%(SK海力士38%/美光20%)
- 26H1营业收入149.04亿港元,同比+55.0%;毛利润45.80亿港元,同比+159.8%;归母净利润28.87亿港元,同比+209%
- 利润率大幅提升主因:覆铜板及上游物料持续供不应求,公司产品期内多次调升价格
- 垂直整合优势凸显:电子玻纤纱及电子玻纤布业务利润约10亿港元,同比+280%
- 上调2026-28年归母净利润预测91%/124%/125%至96.9亿/136.5/164.0亿港元
- 需求端:2026年全球九大CSP总资本支出预估达8867亿美元,同比+90%,主要流向AI基础设施建设;美国IT总负载容量将从2025年约80GW增至2028年约150GW
- 电网瓶颈:美国70%变压器已超25年设计寿命,2024年弗吉尼亚州、得州停电时长同比分别激增228.6%、176.9%,自备电源(BYOP)成为新增数据中心主要发电方式
- 供给端:全球燃机三巨头(GEV/西门子能源/三菱重工)合计市占约75%,2025年全球产能约60GW;截至2026Q1,GEV、西门子能源在手订单分别达100GW、80GW,交付已排至2030年
- 价格:供需失衡叠加终端愿为保交期支付溢价,伍德麦肯兹预测2027年底燃机市场价格将达600美元/kW,较2019年上涨195%
- 测算2026-2028年全球数据中心总装机容量为28.6GW/66.6GW/144.8GW,对应燃机新增装机需求14.3GW/33.3GW/72.4GW;国内标的杰瑞股份北美5家客户累计合同额已超11亿美元
电力环节的AI通胀正从"投资加码"(如英伟达投资电力开发商)细化为"设备本身供不应求涨价"——燃机作为数据中心自备电源的核心设备,其价格轨迹(2019-2027年+195%)与订单可见度(排至2030年)已具备与存储、CCL类似的强供给约束特征。
- 全球存储测试机市场总额从2020年约12亿美元增长至2025年约21亿美元,2024年起呈爆发式增长,主因AI需求刺激HBM扩产带动存储测试机需求成倍增长
- 爱德万(Advantest)份额持续扩大:收入从6.72亿美元增长至12.81亿美元,2024-2025年几乎翻倍;泰瑞达(Teradyne)规模居中且增长平缓
- 国产存储测试机市场空间预计从2026年40亿元提升至2027年67亿元
- 长鑫、长江存储26年预计分别扩产6万片/5万片,27年扩产7万片/15万片;长鑫HBM占比计划由2026年的10%提升到2027年的20%
- 公司自身存储测试设备研发进展:HBM芯片KGD分选测试设备已完成样机并签订国内头部半导体厂商Demo订单;高速存储芯片测试系统最高可实现14.5Gbps信号输出(对标Advantest 18Gbps)
- AI基建投入直接推高硬件价格:随AI资本开支急剧上升,2026年6月半导体PPI同比增速达26%的高位
- 用电需求同步增长:2020-2025年间美国数据中心用电增长约113 TWh;EIA《年度能源展望2026》预测美国数据中心电力需求将从2025年约1050亿千瓦时增至2030年约1780亿千瓦时,年复合增速约11%
- 硬件通胀压力预计一年后缓解:据TrendForce 7月预期,2027年下半年存储芯片供需将更加平衡,价格可能回落,芯片价格同比增速或随基数效应在一年后趋于下行
- 短期AI投资品对通胀影响趋于上行,主因硬件供给未能及时满足需求增长;中长期看,AI对通胀的影响将逐步从"成本推动"转向"效率拉动"
AI芯片与HBM内存瓶颈及设备影响:内存是当前AI芯片主要瓶颈——HBM"贸易比例"(DRAM等效转换比)被压缩至3-5:1,DRAM约束限制DDR5/LPDDR5供应;单GPU/ASIC出货对应的HBM/DRAM消耗或因此下降约20-30%,但KV缓存需求及更好的利润率可对冲部分负面影响。同时指出16/20层HBM及混合键合对下一代DRAM存在不确定性,谷歌TPUv8已将HBM层数降至8层。因估值压缩,小幅下调美光(MU)目标价至1300美元、SanDisk(SNDK)至1875美元,AMAT/MKSI/LRCX目标价分别下调至590/330/365美元。铜互连、NPO硅光/磷化铟具备上涨空间,利好CRDO与LITE,但CPO仍需2-3年。
存储器合约价持续飙升:全球主要云端服务供应商(CSP)为加速建设AI基础设施,资本支出预估2026年同比+98%,2027年再增50%,部分原因即存储器合约价剧增、采购需求强劲增长。预估DRAM、NAND Flash合计在CSP资本支出中的占比,将从2026年的47%,进一步扩张至2027年的68%。
拆解区域生态图谱:东盟AI需求是一阶市场(中国大陆、美国等)电力饱和后的溢出方向,也是出口管制下的算力替代选择。当前东盟AI负载以训练为主(集中在马来西亚、泰国),运营商反馈预租率普遍较高——新加坡设施利用率超90%,新加坡/泰国/马来西亚新设施预租率达60%-68%,需求跑赢可交付供给,中期市场紧平衡将持续。
| 环节 | 核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源(数据日期) |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | DRAM 3Q26预计环比涨20-30%+,HBM"有效售罄"(08-26);HBM位元需求27E同比+91%,DRAM位元需求27E同比+40%(08-26);国产存储测试机市场27E达67亿元,长鑫HBM占比26年10%→27年20%(08-26);SLC NAND 26H2合约价涨120-170%(延续08-25) | 涨价扩大 | ↑↑ | 摩根士丹利/瑞银/东吴证券(08-26);国信证券(08-25) |
| PCB/CCL/电子布/铜箔 | 瑞银上调巨石电子布26-28年ASP预测18/91/91%,26年末目标价看至15元/米(08-26);建滔积层板26H1净利+209%,电子玻纤业务利润+280%(08-26);电子布现货价8月10.2元/米(延续08-25) | 持续上涨 | ↑↑ | 瑞银证券/光大证券(08-26);东吴证券(08-25) |
| 模拟与功率半导体 | 国海证券专家会:车规模拟芯片(485收发器等信号链类)2026Q3起涨价,但无量化数字,暂不纳入;三星先进制程新订单涨价最高15%(延续08-25) | 涨价延续但当日无量化增量 | → | 万联证券(08-25) |
| 被动元件(MLCC) | 当日无有效增量数据;村田系BBRatio创新高,GB200转Rubin用量翻倍(延续08-25) | 紧缺延续但当日无量化增量 | → | 天风/国金/万联证券(08-25) |
| 光模块/光纤 | Mizuho/SA:铜互连、NPO硅光/磷化铟具备上涨空间,利好CRDO/LITE,CPO仍需2-3年(定性,08-26);磷化铟衬底缺口超七成(延续08-25) | 供给持续紧缺 | ↑ | 瑞穗证券(08-26);开源证券(08-25) |
| 电力与能源 | 长城证券:全球燃机2027年底价格达600美元/kW(较2019+195%),GEV/西门子在手订单排至2030年(08-26);华福证券:半导体PPI同比+26%,美国数据中心电力需求2025-30年CAGR约11%(08-26);高盛:新加坡数据中心利用率超90%(08-26) | 设备端涨价新增 | ↑↑ | 长城证券/华福证券/高盛(08-26) |
| 上游材料与液冷 | 当日无有效增量数据 | — | → | — |