核心观点：市场把「2H26 起存储涨价放缓」误读为动能走弱，但只要盈利环比继续上行，周期就未见顶——汇丰认为当前处于超级周期中段而非尾声。

• 三季度 DRAM 与 NAND 合约价预计环比各 +15%，支撑 3Q 营业利润环比 +25% 至 112 万亿韩元，营收 204 万亿韩元（环比 +19%、同比 +137%）。
• 二季度已实现的涨价更陡：DRAM ASP +45%、NAND ASP +67%，带动 2Q 营业利润 90 万亿韩元（环比 +57%）。
• 系统 IC / 代工稼动率回升至 80% 以上，毛利率同步修复。
• 需求侧三条增量：通用服务器需求抬升服务器与移动 DRAM 定价；SO-CAMM2（配 Vera CPU）与 Arm 架构 CPU 用 LPDDR5x 将加深 DRAM 紧张；通用服务器带动的 eSSD 需求使 NAND 价格坚挺延续至 2027 年。
• 美国 CSP 资本开支预计 2026 年 +79%、2027 年 +25%。
• HBM4 切换将加速 HBM 相对普通 DRAM 的涨价，未来一年重建溢价。

核心观点：三星明确表示 AI 需求增速快于行业产能增加，存储短缺将结构性延续至 2028 年，且 2027 年缺口比 2026 年更严重。这是本周末最硬的供需表态。

• 长协（LTA）机制落地：已与 5 家主要超大规模云厂签约，条款包含最低价格保底（price floor）、预付款、约束性需求承诺；指引最终 60–70% 的存储产能将由长协覆盖。
• 2Q26 存储收入环比 +62%，由 DRAM ASP +43%、NAND ASP +64% 驱动；DRAM 出货位元环比增长低双位数、超出指引。
• 3Q26 指引：DRAM 位元出货环比中个位数增长、NAND 高个位数增长，因库存水位极低。
• HBM4：客户验证顺利，3Q26 销售额预计环比 增长 3 倍以上，2H26 占 HBM 收入 60% 以上；已交付业界首批 HBM4E 样品；2027 年 HBM 供货协议已就位。
• NAND 结构升级：eSSD 预计占 2026 年 NAND 销售 60% 以上（同比 +20 个百分点以上）；2H26 QLC 位元出货较 1H26 翻倍以上；V10 V-NAND 8 月起量产；256TB 服务器 SSD 已扩入产品线。
• CLSA 模型口径：2026 年 DRAM ASP 同比 +294%、NAND ASP 同比 +284%，2027 年各 +25%/+28%。
• 手机业务（MX）2Q 因存储等元件成本通胀转为亏损 0.7 万亿韩元——同一家公司内部已出现「上游赚、下游亏」的分化。

核心观点：MLCC 的产品结构正在被 AI 重写——IT 用 MLCC 占比首次跌破一半，高端（AI/工业/车用）成为主体，并直接转化为提价能力与利润率。

• 2Q26 营业利润 4400 亿韩元，同比 +107%、超一致预期 9%；超预期来自 MLCC 出货与定价双强。
• 结构性拐点：IT 用 MLCC 占 MLCC 总销售首次低于 50%；3Q26 高端占比预计再提升 3–5 个百分点至 50% 中段，推动 MLCC 经营利润率达约 20%。
• 提价路径：自 8 月起通过经销商渠道执行涨价，同时与直供客户谈判提价；渠道调研显示 2H26 涨幅可能超过 1H26。
• 供给纪律：管理层承诺 MLCC 产能扩张保持在同比 20% 以下——主动不打价格战。
• 组件部门 2Q 收入 1.649 万亿韩元（环比 +17%、同比 +29%）；已与约 10 家客户（含顶级超大规模云厂与主要半导体公司）签订长协。
• 规格升级给出明确数量级：1005 尺寸 45µF MLCC 2027 年需求预计较 2026 年增长逾 7 倍；在研 68µF / 150µF 产品；同时扩充 1kV 高压及 125°C/150°C 超高温产品线以匹配 AI 基础设施要求。
• FC-BGA：因 AI 推理/自研芯片转向超大尺寸高层数基板，行业供给持续紧绷；里昂将其 2027 年资本开支预测由 3.2 万亿韩元上调至 3.8 万亿韩元。

核心观点：MLCC 的紧张来自 AI 级规格占比上升所导致的供给挤压，而非总量需求暴涨；台达则揭示了 AI 供电环节同样受制于元件供应。

• 三星电机：2Q 业绩在 FC-BGA 与 MLCC 利润率两端超预期；管理层表态强化「AI 级 MLCC 占比上升 → 行业供需趋紧」的判断，并宣布多个 MLCC 长协。摩根大通指出 MLCC 在 AI 基础设施中承担电力与电流控制的关键功能。
• 台达电子（Delta）：2Q 分析师会要点——3Q 营收展望好于季节性，且 2Q 末仍带有因元件供应紧张而未交付的订单积压；管理层指引毛利率稳定，摩根大通则因产品组合改善与产品提价对毛利更乐观；HVDC 服务器电源产品 4Q 首发。摩根大通明确指出「元件供应仍是数据中心电源的关键悬念」。
• Realtek：2Q26 毛利率下滑幅度超预期，原因是存储成本涨幅更严峻叠加 OSAT 封测产能受限；公司产品 ASP 提价自 3Q26 起生效，预计可覆盖成本并推动毛利率逐季修复。

核心观点：这是 AI 通胀传导到终端最直接的一份证据——需求端并不弱，压制业绩的是供给约束与存储成本，且两者在 9 月季度继续恶化。

• 供给约束自 6 月季度到 9 月季度进一步恶化，瓶颈集中在先进制程处理器的获取。
• 存储成本压力在 9 月季度升级：即便苹果已对 Mac、iPad 等多条产品线执行了显著提价，仍不足以抵消存储成本对产品毛利率的侵蚀。
• 叠加汇率逆风，F4Q（9 月季度）营收与剔除关税退款后的基础毛利率指引双双低于市场预期。
• 摩根大通判断：供给约束主要推迟而非消灭收入，并预计公司会进一步依靠提价与非存储元件的成本压缩来限制影响。

注：本条仅取其产业与成本信息，公司评级与目标价等市场判断不在本日报讨论范围。

说明：原报告主体为流动性与风格研究，本日报仅摘取其引用的第三方咨询机构增量价格预测，市场走势相关内容不予采用。

• TrendForce 集邦咨询 2026 年 7 月数据：全球存储供需结构性分化，整体涨幅较前期明显收窄。
• DRAM 仍维持紧缺，但受消费端需求走弱与前期高基数影响，3Q26 合约价涨幅预计收敛至 13–18%。
• NAND Flash 虽有 AI 推理与大型数据中心建设支撑，但价格已处历史高位、消费端承接能力趋近上限，3Q26 合约价涨幅预计回落至 10–15%。

核心观点：存储成本已经不再只是厂商内部的毛利问题，而是写进了终端标价。

• 终端提价实证：三星新一代折叠屏各机型起售价较上一代对应机型均上调 100 美元，核心诱因为存储芯片等核心零部件价格持续攀升。
• TrendForce：2026Q2 通用型 DRAM 合约价环比 +58–63%、NAND 闪存环比 +70–75%。
• IDC：2026Q2 全球智能手机出货量同比 -6.7% 至 2.775 亿台，连续两个季度同比下滑；期间行业内存成本同比上涨近 300%，低端机型中内存成本占物料清单比重已超 65%。

说明：原报告为行业周报，本日报按数据门槛仅摘取其引用的 TrendForce 供需位元缺口预测这一增量条目。

• TrendForce：因 AI 需求爆发而 NAND 产能增加有限，2026 年 NAND 供应与需求位元差距为 -4% 至 -5%，呈缺货格局。
• 2027 年服务器需求持续强劲，但受消费电子低迷拖累，预计至 2027 年下半年供需位元差转为正值，供给吃紧压力有望缓解——这是本周末出现的第一个明确的「缺口收敛时间点」。
• 另据其转述：SK 集团与英伟达宣布 5000 亿美元合作（含在韩建设 2GW AI 云与长期存储合作）；三星与博通计划未来五年推进超 2000 亿美元的内存与代工战略合作。

核心观点：涨价正在转化为实打实的扩产资本开支，而设备端是观察这轮扩产能否落地的先行指标。

• 2026Q1 全球半导体设备销售额 365.5 亿美元，同比 +14.0%、环比 +0.77%，创历史单季新高（日本半导体制造装置协会数据）。
• SEMI 预测：全球 300mm 晶圆厂设备支出 2026 年 +18% 至 1330 亿美元，2027 年再 +14% 至 1510 亿美元。
• 其中存储设备投资 2026 年同比 +29% 至 520 亿美元——增速显著高于设备整体，印证 HBM/DRAM/3D NAND 是本轮扩产主战场。
• 中国大陆 2026Q1 设备销售额 109.9 亿美元，同比 +7.11%，占全球约 30.07%。

核心观点：电子布已进入逐月提价节奏，且 8 月提价幅度预计不低于 7 月——这是本周末价格数据最细的一条。

• 7628 电子布：7 月初价格涨至 8.5–8.7 元/米，环比 上涨 1.2 元/米，单月涨幅 16%；8 月预计单月再提 1.5 元/米以上。
• 2116 / 1080 等薄布：7 月初报价不低于 11 元/米，月涨幅 20%；预计 8 月涨幅继续保持在 15% 以上。

核心观点：本轮是 MLCC 近十年最大的价格上行周期，但与前两轮的关键区别在于——只有高端在涨。

• 涨价自 2026 年 2 月下旬启动：现货价格普遍上涨 15–20%；服务器用高容产品涨幅达 50–60%，部分稀缺型号更高。
• 村田、太阳诱电、三星集体调价，高端产线稼动率突破 90%，订单交期延长至 20 周甚至更长。
• 日韩调价后台系厂商跟进（华新科等已发涨价通知），大陆厂商陆续跟进；消费类 MLCC 仅涨 5–15%；6 月三星已暂停报价；近期三星与太阳诱电再发新一轮高端产品涨价通知。
• 三轮周期对比：2017–18 年是全品类无差别缺货（村田/TDK 缩减产能叠加消费电子需求）；2020–21 年因疫情与新兴需求、涨幅温和；2026 年本轮则是高端涨、中低端民用保持平稳，涨价逻辑与供需结构均有本质差别。
• 上游卡点：国内厂商可满足中低端 MLCC 陶瓷粉体，高端粉体仍依赖进口（含配方粉及碳酸钡等基础粉）。

核心观点：把 MLCC 的需求增量拆到了单机柜的用量与价值量——这是理解本轮涨价持续性的关键量化基础。

• 英伟达 VR200 对比 GB300：单 compute tray 的 MLCC 用量自 6500 提升至 12000，增幅 超 80%；整柜用量自 44 万提升至 62 万。
• 单柜价值量自 1500 美元跃升至 4300 美元，增幅达 180%——价值量增速远高于用量增速，核心原因是产品结构升级：高容量号占比自 GP300 的 18% 提升至 VR200 的 30% 以上，并新增大量 107 超高电容需求。
• 供需：日韩头部厂商稼动率维持 90% 以上，国内厂商 70–90%，经销商库存处于低位；相比以往周期，本轮需求上行持续时间有望更长。
• 国内产能参照：三环 2025 年 MLCC 收入约 30 亿元，高容收入占比近 60%，2026 年提升至 70% 以上、2027 年有望达 80%；2025 年月产能近 500 亿颗，2027 年计划新增 100 亿颗高容产能。

核心观点：CCL 是目前涨价频率最高的环节，且 HBM 扩产对利基存储的产能挤压正在创造第二个涨价源。

• CCL（覆铜板）：行业处于严重供不应求状态，基本每个月都会有一次涨价；板块虽有回调但基本面未见明显变化，景气持续时间较长。
• 利基存储：HBM 与高附加值 NAND 挤占原有产能，利基存储供需重新趋紧、价格弹性更高。
• 扩产与资本开支：三星已公开表示未来五年产能翻一倍；台积电 2026 年资本开支 560 亿美元、同比 +37%，且未来三年投资规模高于过去三年；DRAM 资本开支自 2025 年 500 多亿美元升至 2026 年 600 多亿美元；NAND 自 2025 年 200 多亿美元、2026 年约 +5%。
• 被动元件与功率：MLCC 涨价始于 2025 年四季度的上游材料上涨，电感、电阻等亦有涨价；MLCC 在客户 BOM 中成本占比低，故价格上行空间仍大；碳化硅受 AI 散热与先进封装催生增量，功率市场陆续出现涨价声音。

核心观点：电力对 AI 数据中心的约束正在换一种形式加码——不再只是接入慢，而是接入后用电权可能被优先级排序。

• 制度变化（最关键的边际信息）：PJM 拟对 50MW 以上大负荷建立登记制度，电网紧张时未自带电源的数据中心可能被拉闸限电。
• 供需实况：美国 7 月高温持续考验 PJM，备用容量一度自约 22GW 降至约 5GW，逼近 3.2GW 最低备用要求；市场价格一度接近 2.8 万美元/MWh。
• 容量市场：最新 28/29 容量拍卖顶格出清，可靠性缺口扩大至约 6.8GW；若不设限价，PJM 测算容量价格应接近 555 美元/MW-day。
• 项目侧摩擦：黑石 QTS 终止弗吉尼亚超大数据中心项目；Oracle 近 1GW 项目或需超 70 亿美元担保——电力接入、并网周期、社区许可与前置资本正成为 AI 数据中心的核心约束。
• 设备环节：变压器仍是最确定的电力设备短缺环节，无论并网还是自建电源，大型园区均需变压器、开关、配电与微电网设备；Bloom Energy 2Q 收入首次突破 10 亿美元，燃料电池（SOFC）进入业绩兑现阶段。

注：原点评含个股涨跌幅与推荐标的，按本日报总原则已剔除，仅保留产业与供需信息。

说明：本条仅取其引用的第三方电力需求测算与政策数量目标，作为电力环节的中长期供给侧背景。

• Sprott 数据：预计 2023 至 2030 年数据中心电力需求激增 258%，占全球电力消耗份额自 1.2% 升至 4.1%；AI 数据中心用电结构约为计算 60%、冷却 20%、其他 IT 基础设施 20%。
• 美国核电装机计划自目前 100GW 提升至 2050 年 400GW；要求促进现有核电厂增容 5GW，并到 2030 年前建成 10 座新型大堆。
• 中国核电发电占比自 2013 年 2.11% 升至当前 4.95%，中国核能行业协会预测 2035 年达 10% 左右。