- 1MLCC：三星电机、太阳诱电8月起统一涨价30%，AI服务器MLCC需求持续挤压消费级产能，村田1μF以上MLCC交期已达30周，环比再增6周（申港证券）。
- 2PCB/电子布：国金建材专家会确认覆铜板(CCL)8月7日起涨价15~20%，为Q3内第二次调价；电子布月度涨幅15~20%，多家厂商反馈该趋势将持续至2027年全年（国金证券、长江证券专家会纪要）。
- 3存储：26Q2 DRAM现货价涨60%、NAND涨70%以上（华泰证券海外科技会议，以铠侠指引为基准）；国内华强北DRAM现货单周暴涨14%；HBM尚未纳入长协覆盖，2027年定价正参考2026年均价进行谈判。
- 4磷化铟：1.6T光模块单模块InP衬底耗量为800G的2.7~3倍，英伟达测算2026~2030年全球InP晶圆需求激增约20倍，供需缺口超70%；国内精铟现货均价涨至5575元/公斤，较年初涨近80%，创近十年新高（国金计算机&科技点评）。
- 5电力设备：西门子能源Q3 FY26燃气服务订单99.7亿欧元创纪录（+61.3%），核心驱动为美国数据中心燃机需求；电网技术业务受数据中心变压器项目拉动，订单+27.3%至53.7亿欧元，在手订单同比+130亿欧元至510亿欧元。
本轮AI通胀的驱动逻辑正在从"涨价预期"转向"涨价保交付"：PCB产业链专家会明确指出，CCL/PP厂商已不接受不涨价订单，涨价是维持70%~80%交付率的前提，本质上是AI订单挤压普通订单产能后的被动传导。存储端则出现分化——DRAM/NAND现货涨幅已确认兑现，但HBM因未纳入长协、良率仅60%（低于DRAM的80%~90%），其真实盈利贡献和涨价持续性仍是市场博弈焦点，中信建投策略团队提示HBM涨价过快已引发下游承压与产业政策关注，三大存储厂正加速资本开支以缓解供给缺口。
花旗预计建滔积层板（KBL）8月将宣布覆铜板(CCL)ASP上调10%~15%，现货价已达Rmb230+/张（含税），年内ASP已近乎翻倍。
- 电子布(e-glass fabric) 8月ASP按SCI99数据环比+17%~18%：1080系列涨至Rmb13.1/米、2116系列Rmb12.7/米、7628系列Rmb10.1/米，年初至今累计涨幅118%~165%，绝对涨幅Rmb1.5~2.0/米为年内最大单月增量。
- 驱动因素：AI需求超预期，1080系列部分产能（如Grace Fabric）已从非AI布转向AI布生产，进一步收紧非AI供给。
- 预计KBL 2Q26净利环比跳升超80%至约HK$1.8bn（1Q26约HK$1.0bn），可比公司生益科技2Q环比+76%、南亚新材+106%；CCL、电子布、铜箔ASP在AI供应链持续短缺下有望延续升势至3Q/4Q26。
- 标准无卤板价格已超过2021年峰值，南亚新材3Q26再度上调标准品最低毛利率门槛；消费与汽车客户已在近一个月内开始接受涨价，尚未出现因缺料而停产的情况。
- 管理层预计低端电子布供给最早要到2027年底才可能缓解，高端规格无明确缓解时点。
- 南亚新材预告1H26净利润Rmb4.2~5.0亿元，同比+382%~473%。
管理层确认覆铜板(CCL)与电子布的成本上涨已完成转嫁并反映在报价中，且5月以来降价节奏明显放缓，部分产品已不再出现价格侵蚀，新产品定价更高，趋势覆盖全部客户而非局部品类。
- 驱动来自AI GPU需求稳健、CPU/交换机需求随Agentic AI加速，叠加EMIB-T封装载板新增量，未来3年营收CAGR上修至33%，2029/3财年营收看至¥980bn。
- 另据日东纺(Nitto Boseki)点评：4-6月T-glass首轮提价约25%，需求端持续紧张，市场关注是否伴随涨价追加T-glass扩产。
市场此前担忧PCB环节因终端议价能力强、涨价难以向下传导，但花旗与国内专家会纪要（见M3/M5）均指出，本轮电子布紧缺时间之久已使全产业链库存清零，PCB价格实际已同比上涨超40%，传导效率明显好于历史周期，"不涨价就没有交付"正成为行业共识。
高盛在近期股价回调后判断三星电子与SK海力士基本面依然稳健，库存水平健康，NAND暂无迫近的供给过剩风险。
- 预计2027年HBM价格同比上涨约100%，AI服务器需求持续超越供给，长协期限拉长、覆盖范围扩大，对供应商更为有利。
- SK海力士2Q26营业利润因DRAM ASP偏低而不及预期，但随HBM4放量，预计3Q26量价均将改善。
- 估值层面，三星电子2027E P/E 3.6倍、P/B 1.4倍，SK海力士P/E 3.5倍、P/B 1.6倍，隐含市场尚未充分定价盈利可持续性。
- 据TrendForce数据，26Q2 HBM、DRAM、NAND整体涨价幅度约53%~63%；预计26Q3 DRAM涨13%~18%、NAND涨10%~15%、HBM涨8%~13%，涨价斜率边际放缓但仍在扩张。
- 存储景气已从HBM扩散至通用服务器内存，龙头长协锁定未来受益，二季度存储业绩兑现度居AI硬件各环节之首。
- 先进代工同步涨价：26H1 8英寸制程涨5%~15%、12英寸先进制程涨5%~10%，8/12英寸成熟制程涨0%~10%，预计涨势延续至2027年。
据TrendForce数据，26Q1 DRAM合约价环比涨90%~95%，NAND Flash环比涨约60%；26Q2预计DRAM续涨58%~63%，NAND续涨70%~75%。涨价已扩散至更广品类，2026年以来国内外数十家芯片企业密集发布涨价函，覆盖MCU、NOR Flash、功率器件等，涨幅普遍10%~80%。全球半导体有效产能利用率持续维持90%以上，台积电3nm/5nm满载，分别贡献25%/36%营收。
【华鑫电子】点评（2026-08-06）：海外传闻NVIDIA Rubin平台拟降低HBM规格，团队判断这并非需求走弱，而是AI硬件厂与存储厂在长协谈判中的"互相丢筹码"，当前议价能力仍偏向存储厂，HBM价格后续预计仍将上行；同日早报显示国内华强北DRAM现货报价单周暴涨14%（格兰投研早评），苹果与长鑫存储商谈更低DRAM采购价被拒，内存供应紧张预计持续至2027年，三大原厂已基本完成明年产能分配谈判。
三星电机已向销售合作伙伴发出通知，自8月1日起MLCC产品出货价格统一上调30%，日本太阳诱电同样发出涨价通知；村田、三星电机、太阳诱电三大日韩厂MLCC出货同步创近五年单月新高。PCB方面，覆铜板供不应求推动产品涨价，高多层板及HDI需求增速较快。
- 据TrendForce，GB300平台单机需搭载约3万颗MLCC（约为手机的30倍、车辆的3倍），单一AI机柜消耗高达44万颗MLCC；村田预计2030年AI服务器用MLCC需求较2025年增长3.3倍。
- 供需矛盾下交期持续拉长：截至7月，村田1μF及以上MLCC交货周期已达30周，较6月增加6周（引用Future Electronics数据）。
- 三星电机7月已披露约7450亿韩元AI服务器MLCC长期协议(LTA)，交付时间锁定至2027年（另据山西证券对博迁新材点评，三星电机LTA客户群已扩展至10余个超大规模企业及顶级Fabless厂商）。
国金证券建材&新材料团队专家会（2026-08-02）：CCL、PP（半固化片）当前涨价函幅度均为10%~15%且已全部落地，行业已是"卖方市场"，买方无议价空间，拒绝涨价即断供；PCB厂月度成本上涨8%~10%，其中PP涨幅最大、压力最显著。8月7日起覆铜板价格再度上调15%~20%，为本季度内第二次调价（此前7月7日已执行一轮）。长江证券纤维材料研究框架会（2026-08-03，董超）补充：2026年一季度末电子布库存见底、二季度末CCL库存见底，三季度PCB厂采购CCL已现困难，中小消费电子公司采购PCB价格已同比上涨40%；电子布预计每月涨15%~20%，持续至2027年全年，因供给端织机扩产速度慢于AI订单增速，松下、生益科技、联茂等厂商已开始拒接普通订单、转产AI专用产能。
- 三菱重工FY2026Q1 GTCC订单由上年同期6025亿日元增至9300亿日元，Energy Systems业务利润同比+80%至1013亿日元，利润率由13.3%升至18.9%，全年订单指引由3.45万亿日元上调至3.55万亿日元。
- 卡特彼勒Q2动力和能源业务营收同比+17%至82.38亿美元，受AI数据中心建设推动，当季新增订单94亿美元，未完成订单增至721亿美元，全年销售增速指引上调至15%~19%。
- 1.6T光模块单模块InP衬底消耗量为800G的2.7~3倍；英伟达官方测算2026~2030年全球InP晶圆需求激增约20倍，超八成需求来自AI数据中心；Yole Group测算2026年全球InP晶圆需求260万~300万片，有效产能仅约75万片，供需缺口超70%。
- 供给端收紧叠加出口审查趋严，截至6月下旬，国内精铟现货均价涨至5575元/公斤，较年初涨幅近80%，创近十年新高。
- 光智科技拟3.01亿元增资控股先锐科技（现有InP衬底产能24万片/年），另投资20亿元在衢州扩产InP及砷化镓衬底，达产后InP衬底年产能达300万片，建设期2026年8月至2029年8月。
- 中信建投：电子级PPO/OPE树脂（高频高速覆铜板核心基材）因海外龙头SABIC供给受限叠加AI需求爆发双重催化，开启涨价上行周期；标的公司现有产能1500吨，在建2000吨预计2026年底投产。
- 开源证券：3M已于2025年底全面退出PFAS生产，全球电子级氟化液供给缺口短期内难以弥补，供需持续偏紧；AI数据中心液冷渗透率加速提升，电力设备六氟化硫替代趋势确立，有机氟业务有望迎来量价齐升周期。
2026-08-03，华泰证券海外科技团队（黄乐平）：26Q2 DRAM价格涨60%、NAND涨70%以上（以铠侠指引为准），预计3Q26涨幅明显回落；核心争议在HBM——目前未纳入保底价或长期合约覆盖，2027年HBM定价将参考2026年平均价，正处谈判期，近期"降规格"传闻或反映价格过高，也可能是议价策略。26Q1~Q2经营利润率：美光80%、SK海力士76%、铠侠72%，均处高位。
2026-08-03，东吴证券（李文意）测算：HBM综合良率目前仅约60%，显著低于DRAM的80%~90%，HBM尚未实现有效顺价，毛利率低于DRAM，在存储大厂利润结构中HBM贡献仅十几个百分点，DRAM仍是利润主力。存储涨价已传导至终端：MacBook Air起售价由600美元涨至700美元，512GB版本由1100美元涨至1300美元；小米红米Note 15基础款(8GB)价格由约1000~1100元涨至1400元，DDR5内存成本占比由15%升至40%。
2026-08-05，中信建投策略（何盛）："策略周中谈"第62期指出，HBM高端市场由三大寡头垄断，此前扩产节奏谨慎；但涨价过快已使下游承压，叠加SK海力士管理层访美与美方协调，三家厂商资本开支节奏已明显加快。团队判断该变化标志着HBM供给约束正从商业决策上升为政治议题，2026年下半年产业链利润分布或迎重构：以涨价驱动估值的环节，市场给予的估值溢价预计不会重复上半年水平。
据中国台湾经济日报报道（国信证券晨会纪要转引，2026-08-06），受中东局势影响硫磺等原料供应紧缺，台积电、三星、SK海力士均在抢购电子级氢氟酸，原料成本垫高，部分供货商已陆续调涨售价，涨幅约二至三成。算力芯片、HBM、3D NAND先进节点多层堆叠推高单位晶圆耗气量，晶圆扩产与单位耗气量提升形成乘数效应，带动含氟特气及含氟冷却液需求同步增长。
- Q3 FY26集团订单创单季新高179亿欧元（+7.9%），燃气服务单季订单99.7亿欧元（+61.3%）创纪录，核心驱动为美国数据中心燃机需求与中东/亚洲大型独立发电商订单；集团在手订单1620亿欧元（+19.3%）。
- 电网技术业务收入36.2亿欧元（+28.6%），由电力变压器业务（含数据中心项目）带动，欧美为核心驱动；订单53.7亿欧元（+27.3%），在手订单510亿欧元（同比+130亿欧元）。
公司连续获北美数据中心数家头部CSP客户多笔大单，上周斩获头部CSP客户百亿级复购大单，明后年业绩有望大幅上修。公司同时构建供配电、热管理、储能、SMR等多维度业务布局，已发布AIDC液冷、预制模块化方舱等产品，单MW价值量有望数倍提升。
| 环节 | 今日核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | 26Q2 DRAM+60%、NAND+70%+；国内DRAM现货单周+14%；HBM 2027年预期同比+100%（谈判中） | 大幅上涨 | ↑↑ | 高盛、华泰、国泰海通、格兰投研 |
| PCB/CCL/电子布/铜箔 | CCL 8/7起+15~20%（Q3第二次）；电子布月涨15~20%，累计已达118~165% YTD；PCB价格同比+40% | 大幅上涨 | ↑↑ | 花旗、国金建材、长江证券 |
| 模拟与功率半导体/成熟制程 | 26H1 8英寸制程+5~15%、12英寸先进制程+5~10%，成熟制程+0~10%；MCU/NOR/功率器件涨价函10~80% | 结构性上涨 | ↑ | 国泰海通、中银国际 |
| 被动元件（MLCC） | 三星电机/太阳诱电8月起统一涨价30%；村田交期30周(环比+6周)；GB300单机柜耗44万颗MLCC | 大幅上涨 | ↑↑ | 万联证券、申港证券 |
| 光模块/光纤/磷化铟 | InP需求2026-2030激增20倍，缺口超70%；精铟现货5575元/公斤，较年初+80%创十年新高 | 大幅上涨 | ↑↑ | 国金计算机&科技 |
| 电力与能源 | 西门子能源Q3燃气服务订单+61.3%；三菱重工GTCC订单+54%；杰瑞股份斩获北美CSP百亿复购单 | 订单高景气 | ↑ | 华创证券、中信制造、浙商机械 |
| 上游材料与液冷 | 电子级氢氟酸涨2~3成；电子级PPO/OPE树脂开启涨价周期；3M退出PFAS致氟化液缺口难弥补 | 结构性上涨 | ↑ | 国信证券、中信建投、开源证券 |