今日最值得关注的变化
美光FY26Q3毛利率
84.9%
历史最高，QoQ+约10pp
美光NAND ASP QoQ
+87%
DRAM ASP QoQ +63%
DDR2合约价 Q2涨幅
+55~60%
Q3预估再涨35-40%
SCA长协底价累计营收
$1,000亿
16份协议，覆盖至2030年
三星+SK 10年AI基建投资
4.42万亿
人民币，1000万亿韩元
村田MLCC 7月涨幅
+10~40%
太阳诱电高容 +50~150%
FR-4电子布7628涨幅
3倍+
2.5元/米→8元/米（当前）
功率半导体交期
30周+
原8-12周，代工价+5-20%
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1美光SCA长协重塑存储商业模式：16份战略客户协议（含微软/戴尔）覆盖CY26-CY30，底价累计营收约$1,000亿；FY26Q3营收$41.5B（YoY+346%）、毛利率84.9%均创历史新高；HBM TAM前移至CY27"轻松超$1,000亿"（提前一整年）。存储正从周期品升级为AI算力战略资源。
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2三星/SK海力士NAF26论坛 + 千兆韩元AI宣言：SK Hynix明确内存价格上行至少延续至2027年底/2028年初；三星正谈判2027年HBM大幅涨价；三星电机（SEMCO）接近签署约₩5,000亿MLCC大单；两集团合计宣布10年AI基建投资1,000万亿韩元（约4.42万亿人民币）。
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3被动元件+功率半导体全品类涨价潮同步启动：村田7月1日涨10-40%；太阳诱电高容下周涨50-150%；鲁比康发涨价函；全球近20家功率/模拟半导体公司官宣7月1日新售价；安徽滁州IDM产线满负荷，订单排至4-5个月后；供需格局已演变为"涨价+缺货+分货"三重叠加。
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4成熟制程DRAM缺货新浪潮+苹果游说采购鑫存储：DDR2 Q2合约价涨55-60%，Q3预估再涨35-40%；三大原厂在美国加利福尼亚州遭集体起诉，指控协同转产HBM并削减传统DRAM产能；苹果正向美国政府游说批准采购CXMT（鑫存储）内存芯片。
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5Corning Glass Bridge发布 + 高纯CO₂短缺预警：Corning 6月24日首尔发布玻璃基光互连（耦合损耗<2dB），台积电同步公布CoWoS玻璃基板计划；高纯CO₂库存跌破1个月水位（三星月耗1,800-2,000吨）；CCL原材料累计涨40-50%，FR-4电子布从2.5元→8元/米，丰田织布机排至2030年无扩产。
今日各环节涨价幅度汇总
* DRAM ASP为美光FY26Q3季度环比；NAND ASP同；MLCC为村田7月1日起AI服务器高容料号涨幅上限；太阳诱电为下周执行高容/超高容涨幅上限；电子布为FR-4 7628从2025年低点至今累计涨幅；CCL为建滔FR-4 2025H2以来累计涨幅；功率半导体代工为2026年价格上调幅度。
核心判断
本轮AI通胀已从"HBM/DRAM独大"全面扩散至存储→MLCC/铝电容→CCL/电子布→功率半导体→电子特气的完整产业链。美光SCA长协模式的16份合同标志着存储商业模式根本性重塑——周期性大幅弱化；村田7月1日涨10-40%+太阳诱电高容涨50-150%，被动元件启动2018年以来最大规模涨价潮；功率半导体已进入"涨价+缺货+分货"三重叠加阶段。弘则科技张晶判断：AI通胀时间轴存储（2025-2026H1已兑现）→ PCB/CCL（2026-2027年当前正处）→ CPU（2027-2028年待落地），当前正处于第二波主升浪。
外资券商
中信里昂（CLSA）
Morning Notes: Korea — NAF26 Forum 核心要点
SK Hynix
- 内存价格上行趋势预计至少延续至2027年底/2028年初，主要供给约束为洁净室空间+EUV设备
- 客户积极寻求5年期长期合同，原厂议价权显著提升
- HBM4：对保持50%+全球市占率有信心；HBM3E+HBM4混供推动ASP持续走高
Samsung Electronics
- AI Capex需求未见任何放缓迹象，积极谈判2027年HBM大幅涨价
- HBM4E样品已于上月交付客户，批量生产2027年启动
Samsung Electro-Mechanics（SEMCO）
- 接近与大型美国云服务商签署约₩5,000亿（~$3.6亿）MLCC长期供货合同
- 三星集团计划在世宗/釜山新建AI基板和MLCC产能
- 三星+SK集团合计宣布10年AI基建投资1,000万亿韩元（约4.42万亿人民币）
花旗（Citi）
Compute Semis: DRAM Supply Is the New Ranking Metric
核心观点：DRAM内存供给已成为AI算力供给最关键的瓶颈，超越GPU与网络。
- AWS EC2 GPU实例价格上涨20%，印证算力供给持续短缺
- Micron签署16份SCA协议（含微软/戴尔），覆盖CY2026-CY2030
- 14份带明确价格区间底价，底价累计营收约$1,000亿
- 协议覆盖约20% DRAM出货量和约33% NAND出货量（CY26基准）
- $220亿现金存款+客户承诺在手
摩根大通（JPMorgan）
摩根大通
Micron Q3 FY26 — 历史性业绩 + 前景指引
| 指标 | FY26Q3实际 | QoQ | YoY |
|---|---|---|---|
| 营收 | $41.5B | +74% | +346% |
| 毛利率 | 84.9% | 历史最高 | |
| DRAM营收 | $31.3B | +67% | — |
| DRAM ASP | — | +63% | — |
| NAND营收 | $9.9B | +99% | — |
| NAND ASP | — | +87% | — |
| HBM4营收 | >$10亿 | 首次公开披露 | |
- FY26 Q4营收指引：$50B ± $1B，毛利率约86%（持续创新高）
- HBM TAM前移至CY27"轻松超$1,000亿"（较原预期CY28提前一整年）
- HBM4 12-high爬坡速度是HBM3E的2倍
- FY26全年Capex ~$270亿；FY27单季Capex均超$100亿
- DRAM/NAND供给紧张延续至2027年以后
Micron FY26Q3业绩与Q4指引（亿美元）
* 毛利率右轴（%）；Q4为中值指引
摩根大通
Murata Mfg (6981) — MLCC供需紧张至FY2030
| 指标 | FY2026E | YoY | FY2027E | YoY |
|---|---|---|---|---|
| 营业利润 | ¥411.7B | +46% | ¥672B | +63% |
| 营业利润率 | 20.7% | — | 28.6% | — |
- MLCC供需紧张预计持续至FY2030
- 渠道调研显示提价预期悄然升温，原厂尚未正式全面宣布但态度已转变
- 年均降价压力（¥80-90bn）有望在供需紧张阶段完全消退
摩根大通
Hardware & Networking Weekly Tech Talk
- Agent AI单次查询产生50-100倍于传统聊天机器人的推理调用，是算力/内存需求暴增的底层驱动
- 内存供给持续紧张，预计至少到2027年
- Marvell发布CXL压缩加速器，主打硬件内联内存压缩，缓解AI场景下内存容量和带宽压力
- 马斯克据报考虑收购光模块公司Mesh
中信里昂（CLSA）
Boarding Call for AI PCB — CCL材料代际升级
| 平台 | GPU | CCL规格 | 铜箔 | 玻纤布 | 树脂 |
|---|---|---|---|---|---|
| H100 | Hopper | M6/M7 | 普通 | E-glass | FR4 |
| GB200/300 | Blackwell | M8/M9 | HVLP | Q-glass石英 | BCB/萘基碳氢 |
| Rubin Ultra NVL144 | Rubin（2H2027） | M8/M9+ | HVLP | Q-glass石英 | BCB/萘基碳氢 |
- 生益科技（SYT）：CCL产能利用率超90%，目标价人民币213元（50×PE）
- WUS（华通/大铸）：AI PCB产值预测 26CL=150亿/27CL=260亿/28CL=400亿
- VGT：预计将成Nvidia全球PCB供应商第一
- Rubin Ultra NVL144 Kyber机架（2H2027）以PCB背板取代铜缆背板，为PCB增量关键时间窗口
内资券商 · 存储 / HBM
东吴证券
Micron FY2026 Q3业绩点评
- 营收$41.46B，YoY+346%，QoQ+74%，大幅超预期
- DRAM：$31.3B（QoQ+67%），价格涨约60%；NAND：$9.9B（QoQ+99%），价格涨约85%
- 云存储：$13.77B（QoQ+78%），毛利率83%；数据中心：$11.52B（QoQ+103%），毛利率87%
- DRAM库存降至约120天，偏紧；Q4指引营收$500亿±10亿，毛利率约86%，EPS约$31
- 16份SCA长协覆盖CY26-CY30，存储周期性结构性弱化，商业模式重塑
信达证券
美光FY26Q3超预期——存储超级周期中场确认
- HBM4 12-high爬坡速度是HBM3E的2倍，累计HBM4收入超$10亿
- FY26全年Capex约$270亿，FY26 Q4约$100亿，FY27各季度持续提升
- SCA从1份扩至16份，存储超级周期中场已确认
- 看好国产存储（兆易创新/北京君正/江波龙/德明利）受益于需求外溢
万联证券
电子行业跟踪 — DDR2缺货新浪潮
- TrendForce：DDR2 Q2合约价涨幅55-60%，Q3预估再涨35-40%
- 缺货沿制程向下传导：HBM→DDR5→DDR4→DDR3→DDR2→SRAM
- 三大原厂持续转产HBM/DDR5，成熟制程结构性短缺加剧，南亚科/华邦电议价能力显著增强
- Micron：2026年行业DRAM bit出货量+20-25%YoY；供需紧张持续至2027年后，2028年才改善
国信证券
AI周报 — H100价格指数创新高，存储绝对卖方市场
- H100价格指数回升至$3.09（2025年2月以来最高）
- Agent AI工作负载消耗Token比传统聊天高100-1000倍，是算力+内存需求超线性增长的根本驱动
- 2026Q1存储价格翻倍；HBM已是绝对卖方市场
HBM市场规模预测更新 — CY27提前突破$1,000亿
* "旧预测"来自2026年初JPM预测，"新预测"来自2026-06-29美光法说会后更新版。
内资券商 · 被动元件 / CCL / 电子布
国金证券
电RAM和功率半导体开启涨价潮
- 尼吉康（Nichicon）6月全面涨价10-15%，佳美工（Chemicon）同步跟进
- 江海股份6月20日将调价范围扩大至铝电解、薄膜、超级电容三大品类
- AI服务器铝电解电容用量是传统服务器的3-5倍，MLCC用量突破3万颗（传统服务器约3,000颗）
- 功率密度：H100机柜约40kW→GB300 NVL72约130-140kW→Rubin突破600kW
- 2025-2027年AI服务器铝电解电容增量>30%边际贡献
中信建投
策略周报 — MLCC涨价时间表
| 厂商 | 涨幅 | 执行日期 | 产品 |
|---|---|---|---|
| 太阳诱电（Taiyo Yuden） | +6-13% | 2026年5月1日 | AI/服务器高容 |
| 风华高科 | +8-25% | 2026年5月底 | 全系列 |
| 村田（Murata） | +10-40% | 2026年7月1日 | AI服务器高容 |
| 太阳诱电（消费级） | +50-150% | 6月底/7月初 | 高容/超高容料号 |
| 鲁比康（Rubycon） | ↑ | 2026年6月底 | 多品类 |
| 三星电机（SEMCO）天津 | 转产 | 2026年10月起 | 转产服务器高端MLCC |
- 村田FY26追加8亿元扩产，高端产能FY26-FY27增加20-25%，优先供AI/车规
- MLCC缺货从AI专用规格向主流规格扩散：47μF最短缺，10μF/22μF/X5R均受影响
- 预计缺货持续至2027-2028年，或超越2018年被动元件缺货潮
AI服务器CCL需求预测（万张/年）
* 2025年=2,256万张；2026年=5,665万张（YoY+151%）；2027年=11,899万张（YoY+110%）
国信证券晨会 · 财通计算机路演
CCL及电子布专题 — 丰田织布机排至2030年，无扩产
| 电子布品类 | 当前价格（元/米） | 变化 |
|---|---|---|
| FR-4传统布（7628） | 约8元/米 | 从2025年低点2.5元/米涨超3倍 |
| AI一代布 | 约40元/米 | — |
| AI二代布 | 约150元/米 | — |
- 2026年AI服务器CCL需求：5,665万张（YoY+151%）；2027年：11,899万张（YoY+110%）
- 建滔FR-4 CCL：2025H2以来累计涨幅超100%，当前约260-270元/张，交期从1周→2-3个月
- 丰田织布机排期已至2030年，暂无扩产计划——产能硬瓶颈
- 低轮廓铜箔（德福/铜冠月产仅300-400吨）、高端树脂（东材PPO年产仅100-200吨）同样极度稀缺
- 财通路演专家：CCL原材料2026年Q1-Q2已涨3-4轮，累计涨40-50%；CCL产品本身涨4-5轮，累计50-60%
FR-4电子布7628价格走势（元/米）
内资券商 · 功率半导体
开源证券
综合行业周报 — 功率半导体进入涨价+缺货+分货
- 8英寸产能利用率升至85-90%（2025年75-80%）；台积电/三星削减8英寸，2026年全球8英寸产能同比下降2.4%
- 交期：从8-12周拉长至30周以上；代工价格上调5-20%
- 国内IDM（士兰微/华润微/芯联集成）产能全满；全球近20家模拟/功率半导体公司官宣7月1日执行新售价
- 供需三大驱动：①AI算力集群功耗激增；②8英寸成熟制程全球收缩；③原材料成本推动
AI服务器机柜功耗升级路径（kW）
* H100=40kW，GB300 NVL72=130-140kW，Rubin（预测）=600kW+
分析师点评与专家路演纪要
天风电子 · 美光奠定周期信心（2026-06-29）
收入/毛利率/EPS/下季指引全面超预期。管理层明确：DRAM和NAND供给紧张延续至2027年以后。客户通过SCA长期协议锁定供给，存储正从普通周期品升级为AI算力战略资源。HBM持续挤占晶圆和封装资源，通用DRAM、NAND及利基存储供给同步受限。Q2不是业绩高点；Q3价格若继续上涨，利润弹性将进一步放大。
长江电子 · 存储超级周期持续（2026-06-29）
韩国政府预计：未来5年全球内存需求增长5倍，韩国产能5年翻倍仍供不应求。NAND Flash：模型参数量持续增加+KV Cache卸载至NAND，推理时代数据量爆增。美光法说会指引：供需预计2027年以后仍持续紧张。全面看多：原厂→利基存储（兆易创新/普冉/北京君正）→模组（江波龙/德明利）→材料设备（拓荆科技/中微公司/北方华创）。
三大存储原厂遭美国集体起诉（2026-06-25）
三星/SK海力士/美光在加利福尼亚州联邦法院遭集体起诉，指控协同将产能重心转向HBM并以此为由削减DDR3/DDR4传统DRAM产能，导致过去四年通用DRAM价格大幅攀升。苹果同期公开表示，存储芯片价格暴涨迫使其多款产品上调售价，并游说美国政府批准采购CXMT（中国鑫存储）内存芯片。
华福证券 · MLCC超级周期（2026-06-29）
海外厂商将约25%产能转向AI，消费类MLCC订单减少约20个百分点。全球MLCC供需缺口已是原有产能的2倍，供给端仅增长约10%。参考2017-2018年：热门料号原厂价最高涨10倍，部分5倍；当前预期50-70%涨幅属于保守估计。高盛早在2024年判断"MLCC是下一个大的存储周期"；MLCC在下游终端成本占比低，涨价传导阻力小。关注：三环集团/风华高科/利和兴（原厂）；洁美科技/博迁新材（上游材料）；火炬电子/商络电子（分销）。
弘则科技张晶 · AI通胀时间轴（2026-06-29季度策略）
AI通胀三波主升浪按时间顺序依次：①存储（2025→2026H1）：HBM/DRAM/SSD配比与容量升级，已充分兑现；②PCB/CCL（2026→2027）：M8→M9→M10代际升级，价值量约3倍提升，当前正处于主升浪；③CPU（2027→2028）：AI加速器集成落地，待确认。当前PCB在服务器产业整体暴露度仅约20%，只有深度绑定英伟达供应链的标的才能真正受益。中国企业响应速度快，将持续提升全球份额。
AI通胀时间轴 — 三波主升浪示意
功率半导体超级周期 · 央视财经报道（2026-06-29）
安徽滁州IDM产线满负荷，"AI相关的电源功率订单爆满，现在根本做不过来"，订单排至四五个月后。全球近20家功率/模拟半导体公司宣布7月1日执行新售价：宏微科技IGBT/整流桥/MOSFET全系列同步涨价；扬杰科技、珠海极海半导体全系列上调。市场格局从"涨价"演变为"涨价+缺货+分货"三重叠加，拥有自有产能的IDM厂商盈利弹性将最大化释放。
分环节速览（2026-06-29）
| 环节 | 今日核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| HBM | HBM TAM CY27提前超$1,000亿；HBM4 12-high爬坡速度HBM3E的2倍 | 绝对卖方市场 | ↑↑ | 摩根大通·美光法说 |
| DRAM | ASP QoQ+63%；DDR2 Q2涨55-60%，Q3预估再+35-40%；库存降至120天 | 紧缺至2027年+ | ↑↑ | 万联·花旗·东吴 |
| NAND Flash | ASP QoQ+87%；数据中心SSD突破$50亿/季；推理KV Cache卸载需求爆增 | 紧缺至2027年+ | ↑↑ | 摩根大通·长江电子 |
| MLCC | 村田7月1日涨10-40%；太阳诱电高容+50-150%；47μF最短缺；AI服务器用量3万颗/台 | 缺货至2027-28年 | ↑↑ | 中信建投·华鑫证券 |
| 铝电解电容 | 尼吉康+10-15%；江海股份调价；AI服务器用量3-5×传统服务器 | 全品类联动涨 | ↑ | 国金证券·方正证券 |
| CCL/覆铜板 | 建滔FR-4累计涨幅超100%（260-270元/张）；交期1周→2-3个月；M6+涨50-60% | 2026年需求+151% | ↑↑ | 国信证券·中信建投 |
| 电子布 | 7628从2.5元→8元/米；AI一代布40元；AI二代布150元；丰田织布机排至2030年无扩产 | 产能硬瓶颈 | ↑↑ | 国信证券·财通路演 |
| 功率半导体 | 代工价+5-20%；交期从8-12周→30周+；订单排至4-5个月后；近20家公司7月1日涨价 | 涨价+缺货+分货 | ↑↑ | 开源证券·国金证券 |
| 变压器/电力 | 北美交期100周+；进口依赖度80%；供需错配至2030年；SST 2027年商业化 | 错配延续至2030 | ↑ | 国金证券电力设备 |
| 光芯片/玻璃基板 | Corning Glass Bridge发布<2dB耦合损耗；台积电CoWoS玻璃基板推进；磷化铟涨价确定 | 产业化验证年 | ↑ | 爱建证券·国泰海通 |
| 电子特气/CO₂ | 高纯CO₂库存跌破1个月；三星月耗1,800-2,000吨；广钢气体/昊华科技等涨停 | 库存告急 | ↑↑ | 6月29日复盘 |
产业链全景图谱（2026-06-29快照）
需求端
AWSGPU实例+20%
Microsoft
Google
Meta
国内云厂商
Agent AIToken消耗100-1000×
▼ AI Capex持续扩张，算力需求超线性增长
计算/存储
HBM绝对卖方市场
DRAMASP+63% QoQ
NAND FlashASP+87% QoQ
利基DRAMDDR2+55-60%
GPU（H100/B系/R系）
▼ 带动封装/载板/PCB/CCL全面升级
核心组件
MLCC村田+10-40%
铝电解电容尼吉康+10-15%
功率半导体代工+5-20%
AI PCBM8→M9升级
光模块/光芯片InP涨价
ABF载板
先进封装
▼ 拉动上游材料紧缺
上游材料
CCL/覆铜板建滔累计+100%
电子布7628: 2.5→8元/米
低轮廓铜箔月产300-400吨
高端树脂(PPO/碳氢)东材年产100-200吨
高纯CO₂库存<1个月
磷化铟(InP)
六氟化钨(WF₆)
硅片环球晶涨价信号
▼ 驱动电力基础设施扩建
电力基建
变压器北美交期100周+
液冷工质AIDC专用
固态变压器(SST)2026验证/2027商用
230-500kV变电站
玻璃基板Corning+台积电