本期最值得关注的变化（9/4–9/8）
因 9/6（周日）、9/7（周一）两期日报缺失，本期补齐 9/4 起的增量，去重基准为 9/3 期（覆盖 9/1–9/2）。 本期已剔除约 7 条与 9/3 期重复的条目（三星电机 1.07 万亿韩元 MLCC 长约、ABF 载板 12–14 个月交期、Rubin 载板面积 +123%、村田 10/1 中小客户涨价、英伟达定制 HBM 路线等）。
9/8 盘后增补（本次定时任务运行）：以上午已出的 9/4–9/8 版为基准，补入 9/7–9/8 新增条目——国产存储 ATE 大额订单（精智达 15.76 亿元）、JPM 修订全球内存市场预测、Bernstein 硅光需求上修、住友化学 InP 外延片量产、大摩「存储 Q4 转入晚周期」判断、国海铬盐缺口测算、乌兰察布 1.2 GW 智算中心。与上午版重复的条目（Vertiv 收购 UIG、Google–Fervo 396 MW、PJM 325 美元/MW-day 上限等）不再重复列示。
7628 电子布（9 月·华东）
11.4–11.8
元/米，创历史新高（+1.5 元/米）
1080 电子布累计涨幅
+290%
25Q4 至今（7628 +180% / 2116 +280%）
氩气（截至 9/2）
+240%
4 个月，2459 元/吨（5 月初 720）
六氟化钨 5N 级（9 月初）
1810
元/千克；NF3 涨至 29–32 万元/吨
HBM 现货价 / 长约价
4–5×
三星 2031 前 ~70% 产能锁长约
美国电力缺口（至 2028）
47 GW
摩根士丹利，前值 44 GW
国内存储测试机市场（9/8 增补）
155
亿元，2027E（2026E 48 亿，+223%）
2026 年 DRAM ASP 同比（9/8 增补）
+236%
摩根大通修订后，8Gb 当量
- 1电子布 9 月提价落地。华东 7628 厚布 +1.5 元/米至 11.4–11.8 元/米创历史新高；25Q4 以来 7628/2116/1080 分别累计涨 180%/280%/290%。建滔积层板 8/28 对 FR-4 提价 10%（薄布 +20%），为年内第 7 次提价；电子布→CCL 涨价链传导顺畅（东方财富证券 / 广发证券，9/5）。
- 2存储：紧缺加深但未见新涨价函。三星将 2031 年前约 70% 的 HBM 产能分配给长约，HBM 现货价已达长约价的 4–5 倍；2026 年 HBM 市场规模预计 +58% 至 546 亿美元、产能缺口维持 50–60%（国金证券援引韩媒，9/4）。美光计划年底前 HBM 产能翻倍（韩媒 Yonhap，9/6）。
- 3上游电子特气接力涨价。六氟化钨 5N 级 9 月初 1810 元/千克（关东电化、中央硝子 7/1 永久停产、合计约占全球 25% 产能）；NF3 全球缺口约 34%、5N 级涨至 29–32 万元/吨；氩气 4 个月涨超 240% 至 2459 元/吨（国盛证券 / 华福证券，9/5–6）。
- 4被动元件涨价面从长约扩散至现货。国巨 7 月涨价已扩至现货价与直销客户、覆盖约 50% 营收（此前仅长约客户），钽电容成其第一大产品线；三星电机对 OEM/ODM 调涨 Q4 报价，消费级 X5R +25–30%、AI 服务器高端 X6S +10–20%（花旗 / 开源证券，9/4–5）。
- 5缺电链从主题转入订单验证。杰瑞股份 7/22 的 14.65 亿美元燃机订单为 5 年框架首单，半月内追加 4 单、累计近 20 亿美元且定价与预付款更优；摩根士丹利将 2028 年前美国电力缺口预测由 44 GW 上调至 47 GW（高盛 / 摩根士丹利，9/3–6）。
- 6HBM 扩产外溢至测试设备（9/8 增补）。精智达 9/3 签 15.76 亿元存储测试设备采购、悦芯 8/20 获 >15 亿元 ATE 订单，合计超 30 亿元；HBM 3D 堆叠使测试道数由传统 DRAM 的 3–4 道升至 15 道以上、测试机用量约 5–6 倍；东吴测算国内存储测试机市场 2026 年 48 亿元 → 2027 年 155 亿元（+223%）（东吴证券，9/8）。
- 7内存与硅光需求预测再上修（9/8 增补）。JPM 修订后全球内存收入 2026E 9709 亿美元 → 2028E 1.83 万亿美元，其中 HBM 收入 643 → 2521 亿美元、2026 年 DRAM ASP 同比 +236%；Bernstein：GlobalFoundries 将 2026 年通信基建 & 数据中心收入增速指引由 high-30% 上修至 50–60%、Tower 硅光收入同比 +270%（摩根大通 / 伯恩斯坦，9/7）。同时大摩判断存储将于 2026Q4 转入晚周期、DRAM 月度价格同比见顶，为继中国银河后的第二个降温信号。
🔑 核心判断
本期增量集中在产业链中上游：① 电子布月度提价 + 建滔第 7 次提价，电子布→CCL 顺价链条已跑通；② 电子特气（六氟化钨 / NF3 / 氩气）在停产与缺口驱动下接力涨价；③ 被动元件涨价从长约客户扩散至现货 + 直销；④ 缺电链由主题炒作转入订单兑现。
存储端本期未见新涨价函，但「HBM 现货 = 长约价 4–5 倍」「三星 ~70% 产能锁长约至 2031」显示紧缺仍在加深；同时中国银河 9/7 电话会提示存储 / 被动 / PCB 的涨价与增长「二阶导」已趋平乃至下行、增速边际放缓，为本期唯一降温信号，需持续跟踪。
图 0 · 本期各品类涨价幅度汇总
怎么看：本期涨价强度最高的是电子布细纱布（1080/2116）与上游电子特气（氩气）；存储以「现货 vs 长约价」倍数计仍是幅度之王。
外资券商 · 存储与设备
美银证券
Global Memory Tech：日本会议纪要与 9 月现货上行
- T-glass（超薄电子布）：产能扩张按计划推进，2027–28 年产能较 2025 年增 100–200%以匹配 AI 需求；但价格涨幅尚不足以让供应链恢复健康。
- NAND：即使长约（LTA）增多，ASP 仍在上涨；相对 DRAM 新增绿地投资规模最小，全球存储供应长期偏紧。
- DRAM 现货：6–8 月持续反弹，16Gb DDR5（PC）现货 约 $54、DDR4 约 $93，为数十年新高（2017 年前高约 $10）。
- FC BGA 载板：AI 芯片用载板供应紧张，扩产进度不足以匹配新需求。
- MLCC：AI 服务器需求急剧攀升，但原厂涨价「尚未启动」以规避利润异常波动、维持高进入壁垒。
图 1 · DRAM 现货价创数十年新高
怎么看：产能向 HBM 与服务器 DRAM 倾斜，把标准 DRAM 现货价推到 2017 年前高的 5–9 倍。
摩根士丹利
7 Debates on SPE：DRAM 供给辩论
- 据 SIA，DRAM bit 截至 6 月已 同比增 36%（YTD）；TrendForce 预测 2026 年 bit 供给增 31%。
- MS 模型：2026/27 年 DRAM bit 供给增 32%/38%，其中 HBM bit 增 55%/57%、非 HBM 增 30%/36%。
- 2027 年 DRAM WFE 预测过去 9 个月内已上调 47%，指向 $75bn+（同比 +40%），vs MS 此前 $70bn。
- 假设 ASP +10%、供给 +38%，估 2027 年 DRAM TAM 约 $979bn（若 bit +41% 则达 $1tn）。
图 2 · MS：DRAM bit 供给增速（2026E / 2027E）
怎么看：HBM bit 增速持续快于非 HBM，是「HBM 挤占标准 DRAM 产能」逻辑的量化体现；WFE 预测 9 个月上修 47% 说明原厂扩产决心在增强。
💡 预期差
市场此前担心「去 spec / 降配」会打断存储涨价；美银与 MS 的一致信息是——降配主因是产能不足而非需求走弱，长约把周期性熨平、价格中枢由高端产品定义，标准品被动跟涨。T-glass 产能 2 年翻 1–3 倍但仍「涨价不足」，指向电子布紧缺仍有价格空间。
外资券商 · 被动元件（花旗｜国巨产业行）
花旗
Yageo（国巨）：台湾半导体产业行——涨价面更广、AI 篮子更宽
- 7 月涨价扩面：本轮涨价从「仅长约客户」扩至现货价 + 直销客户，覆盖约 50% 营收（含 MLCC、钽电容及其他电容）；现货价即时传导，ASP / 营收影响将「很快」体现，毛利影响在下半年更明显。2Q 毛利略低于预期系原材料成本时点错配。
- 钽电容成第一大产品线：2Q 增速为各产品线最快，已超过磁性元件；适配 AI 电源管理。AI 收入占公司总营收 16%，分布在钽电容、MLCC、电阻、电感而非单一品类。
- 交期继续拉长：多数产品交期较上半年延长，钽电容最紧、其次 MLCC 与电阻；所有 AI 相关产品线「极度紧张」，更多客户前来洽签 LTA。
- NPO 高压 MLCC：国巨内部估自身份额 ≥30–40%，位于 DC 电源侧、直供头部电源厂并入选首批设计伙伴。
- 扩产方式：在既有厂房（高雄 YFIII、墨西哥、中国）内新增产线，速度快于新建厂房资本开支周期；低端转高端产能只能部分转换，故仍投资新 AI 产线。
图 3 · 国巨 7 月涨价的客户覆盖范围扩大
怎么看：涨价从长约客户扩展到现货 + 直销、覆盖约一半营收，意味着提价对 ASP 的传导会在未来 1–2 个季度而非续约时点集中兑现。
💡 预期差
被动元件并非「只有 MLCC」的 AI 故事——花旗强调钽电容已成国巨最大产品线、且交期比 MLCC 更紧。这与华西「AI 服务器电容量价齐升 + 技术代际升级」、开源「三星电机 X6S / X5R Q4 提价」形成交叉印证：本轮被动元件涨价正从高容 MLCC 向钽电容、NPO 高压 MLCC 扩散。
外资券商 · 电力与缺电链
摩根士丹利
US Economics Outlook：Capex over consumption
- MS 将开发商在 2028 年前面临的美国电力缺口预测由 44 GW 上调至 47 GW（参照：迈阿密-戴德郡用电约 5 GW、大费城地区约 3 GW）。
- 投资级公司债供给同比高 44%+，AI 相关融资贡献主要增量，并从超大厂扩散至其他大盘股及数据中心建设项目融资。
花旗
Australia Real Estate：AI 驱动市场的结构性机会测算
- JLL：美国数据中心电力需求由 2025 年 31 GW 增至 2027 年 66 GW；受限市场并网周期可达数年，单项目电网押金 2500 万–7500 万美元。
- 数据中心建造成本 2020–25 年 CAGR +7%，2026 年预计再涨 6%至约 1130 万美元/MW（壳体与核心，AI 定制装修另加最多 2500 万美元/MW）。
- 在建产能 77% 已预租；Colliers 预计全球租金 2030 年前 CAGR +5%（美洲 +7%）。
高盛
China Industrial Tech：AIDC 电力——亚洲领袖会议要点
- 杰瑞股份（Jereh）：7/22 公告的 14.65 亿美元燃机订单仅为 5 年框架下首个 PO；约半个月内追加 4 个 PO，累计订单已近 20 亿美元（含近 5 亿美元配套设备），且定价更优、预付款更高、范围更广；2027 年产能规划约 3 GW，2030 年升至至少 4–5 GW。
- 鹰普精密（Yingliu）：1H26 双主机新订单约 15 亿元（1Q 约 8 亿 + 2Q 约 7 亿），在手订单约 22 亿元。
- Kstar 高功率 UPS 产能满载、5 月起来自国内超大厂（尤其字节）订单强劲；服务器 PSU 由 2–4kW 向 5.5kW 迁移；800 VDC / SST 规模落地要到 2028–29 年，慢于市场预期。
图 4 · 美国数据中心电力：需求增长与缺口预测
怎么看：JLL 口径美国 DC 电力需求两年翻倍（31→66 GW），而 MS 的开发商缺口预测仅一期就从 44 上调到 47 GW——供需缺口在边际走阔。
图 5 · 杰瑞股份燃机订单：半月内的累积
怎么看：从单一 14.65 亿美元 PO 到半月内累计近 20 亿美元，且新单「定价更优、预付款更高」——燃机供不应求正转化为量价双升的订单兑现。
外资券商 · 光互联 / NAND / 内存展望（9/8 盘后增补）
摩根大通
Asia Equity Strategy：修订全球内存市场预测
- 全球内存收入：2026E 9709 亿美元 → 2027E 1.44 万亿 → 2028E 1.83 万亿美元；其中 DRAM 收入 6341 / 9829 / 13103 亿美元，HBM 收入 643 → 1456 → 2521 亿美元，NAND 收入 3368 / 4587 / 5159 亿美元。
- 价格：DRAM ASP（8Gb 当量）12.4 / 16.0 / 17.2 美元，2026 年同比 +236%、2027 +29%、2028 +7%；NAND ASP 同比 +251% / +23% / −4%（2028 转跌）。
- 供给位元增速假设：DRAM 26%/24%/25%，NAND 21%/22%/21%——供给扩张持续不及需求。
摩根大通
Portfolio Managers' Monthly：Sandisk NAND 长约结构性重置
- Sandisk 已签 8 份 NBM / 长约（LTA），合同总价值约 940 亿美元，按底价定价、加权平均期限 4 年以上，即便在底价档毛利率仍约 80%，配套 165 亿美元财务担保。
- NAND 市场 TAM 由 CY25 约 700 亿美元膨胀至 CY26 3000 亿美元以上、CY27 约 5000 亿美元，数据中心（含推理期 KV cache 持久化）为最大增量。
- BiCS10（332 层 2Tb QLC）较 BiCS8 每片晶圆多 65% 比特；行业「仅 3 个月价格能见度」的常态被拉长至 4 年以上。
伯恩斯坦研究
Soitec：AI 光学需求加速，光子 / DCI 价值链全面走强
- GlobalFoundries：将 2026 年通信基建 & 数据中心收入增速指引由此前 high-30% 上修至 50–60% 同比（2Q26 该分部同比 >60%）；并预计 硅光收入 2026 年较 2025 年翻倍以上，当季拿下 7 个光网络设计中标。
- Tower Semi：硅光收入同比 +270%、环比 +60% 至 6.8 亿美元年化运行率，目标 4Q26 达 10 亿美元、握有 2027 年 13 亿美元硅光客户承诺，产能扩至当前出货 3 倍以上。
- Lumentum 4Q FY26 收入同比 +109% 至 10.1 亿美元、Q1 FY27 指引同比 >130%；Coherent Q4 收入同比 +34% 至 20.5 亿美元，1.6T 放量快于预期。
- 意法半导体将 2026 年数据中心收入指引上调至 >10 亿美元、2027 年「远超 20 亿美元」，通信设备 book-to-bill「显著高于 2」。
巴克莱银行
Photonic 上修空间仍在，但短期聚焦核心业务
- 博通 Q3 FY26（9/2 披露）：XPU 出货量同比 +3.5 倍、占 AI 收入 73%；TPU v7 大批量出货、v8i 已启动量产并将于 Q4 上量。
- 客户部署能见度：Google「未来数年每年数百亿美元 TPU」；Anthropic 的 TPU 产能路径 1 GW(2026) → 5 GW(2027) → +10 GW(2028)。
图 12 · 硅光 / 光模块供应链：AI 需求驱动的收入增速
怎么看：从代工（GF、Tower）到模块（Lumentum、Coherent），光互联全链条 2026 年收入增速普遍在 30–270% 区间，且多为「上修后」指引——需求端仍在加速，不是见顶。
💡 预期差
市场担心「存储晚周期 = 涨价见顶」，但 9/8 增补的一手信息显示两条腿仍在走强：① NAND 从被动跟涨转为长约锁定——Sandisk 940 亿美元合同、底价档毛利率仍 80%，TAM 三年从 700 亿到 5000 亿美元；② 硅光 / 光互联 需求预测在 9 月被系统性上修（GF +50–60%、Tower +270%）。真正的边际降温信号来自大摩「DRAM 月度价格 2026Q4 同比见顶」，但这是同比增速见顶、非绝对价格下行。
内资券商 · 存储 / HBM
国金证券
HBM 市场极度紧缺，字节获 296 亿美元银团贷款（通信周观点）
- 三星已将 2031 年前约 70% 的 HBM 产能分配给长约订单（签约客户含英伟达、微软、谷歌），大厂仍拿不到合约全量，HBM 现货价已涨至长约价的 4–5 倍。
- 2026 年全球 HBM 市场规模预计增长 58% 至 546 亿美元，占 DRAM 市场近四成；产能缺口仍维持 50%–60%。
- 字节跳动获 296 亿美元银团贷款（今年亚洲第二大美元贷款），并考虑将今年资本开支提升至高达 700 亿美元（超去年两倍），重点用于数据中心集群。
- 长鑫存储 LPDDR6 正式量产、全球首发商用；已是全球第四大 DRAM 厂，小批量产 HBM3E、计划 2027 年扩大规模。
图 6 · 2026 年全球 HBM 市场规模与产能缺口
怎么看：HBM 市场一年扩容近六成、占 DRAM 近四成，而产能缺口仍高达 50–60%——「越紧越涨、越涨越锁长约」的循环仍在自我强化。
开源证券
高密度算力驱动液冷加速渗透，AI 产业持续迭代
- 供应压力正从 HBM 蔓延至一般 DRAM：HBM4 量产初期良率低于 HBM3E、单位耗用更多 DRAM，使整体短缺进一步恶化；三星、SK 海力士均认为短期无法解决、正寻求扩产。
- 市场预期三星 Q3 营收 206.64 万亿韩元、营业利润 116.38 万亿韩元；SK 海力士 Q3 营收 101.76 万亿韩元、环比 +28.2%。韩国半导体产业协会：即便新厂投产也只能缓解而非消除短缺。
🔑 核心判断
本期存储没有新涨价函，但三条一手信息叠加——① 三星 ~70% 产能锁长约至 2031、现货 = 长约价 4–5 倍；② HBM4 良率低、耗 DRAM 更多，短缺向标准 DRAM 蔓延；③ 字节 296 亿美元贷款 + 拟 700 亿美元 capex——指向需求端资金充裕、供给端结构性受限的格局在 9 月进一步固化。
9/8 盘后增补
东吴证券
AI 驱动测试需求高景气，国产存储 ATE 迎规模放量拐点
- 大额订单落地：精智达 9/3 签半导体测试设备采购协议、合同总额 15.76 亿元（2 年内交付）；悦芯科技 8/20 获国内龙头存储厂 >15 亿元 ATE 订单（TM8000 系列，支持 LPDDR/DDR/HBM）。两笔合计超 30 亿元，标志国产存储 ATE 由小批量验证跨入批量采购 + 规模替代。
- HBM 抬升测试强度：3D 堆叠使测试道数由传统 DRAM 约 3–4 道升至 15 道以上，测试机用量约为传统 DRAM 的 5–6 倍；全球 SoC + 存储测试机市场由 2023 年 44 亿美元增至 2025 年 90 亿美元，2026E SoC/存储分别 91 / 24.5 亿美元。
- 国产替代空间：东吴测算国内存储测试机市场由 2026 年 48 亿元增至 2027 年 155 亿元、同比约 +223%；2025 年国产化率仅约 8%–10%，爱德万交期拉长为国产厂商创造窗口（爱德万 FY26Q1 收入同比 +39%、上调 FY26 指引至 1.714 万亿日元、CY25 测试机市占 65%）。
图 13 · 国内存储测试机市场空间（2026E → 2027E）
怎么看：HBM「测试道数 ×4、机时 ×5–6」把存储扩产的资本开支放大到测试环节，一年市场规模翻两倍多——这是 HBM 结构性紧缺沿产业链向设备端外溢的量化证据。
⚠️ 大摩亚太 · 「投资哪个 AI 瓶颈」（2026-09-07）
大摩判断存储周期预计于 2026 年四季度转入晚周期、DRAM 月度价格同比见顶；三季度 DRAM 合约价环比约涨 20%、四季度仍有望涨 5%–10%，但盈利修正速率已开始减速。HBM4E 的 BEOL 制造复杂度上升，将大量 DRAM 资本开支推向后段（BEOL）扩产，导致前段（FEOL）迁移及 DRAM 位元出货增长的显著加速推迟至 2027 年下半年以后；同时 DRAM 设备优先排产权将挤压 NAND 产能扩张。
注：此为继中国银河 9/7 电话会「二阶导放缓」后的第二个降温信号，同属边际增速 / 同比见顶判断，非绝对价格下行。
📌 KB 证券（韩国券商）· 存储库存
KB Securities 周一报告：三星电子、SK 海力士当季内存库存已不足 10 天，两大龙头难以为突发性需求挤出更多供应；预计 2027 年 DRAM 与 NAND 的比特需求将超出供应 10 个百分点以上。多家内资晨会（国泰君安期货、开源、东财宏观 9/7–8）援引同一数据。
内资券商 · 电子布 · 被动元件 · 上游材料
① 电子布 / CCL
东方财富证券
电子布价格再创新高，防水企业拟提价传导成本压力
- 华东 7628 电子布 9 月提价 1.5–1.6 元/米（8 月提 1.5 元），提价后约 11.4–11.8 元/米，创历史新高。
- 8/28 建滔积层板对 FR-4 提价 10%，PP 材料中 7628 及以上厚布 +10%、7628 以下薄布 +20%，为其年内第 7 次提价、价格同创新高，电子布→CCL 涨价链传导顺畅。
- 中高端 D、E 系列细纱及布供不应求；产品结构调整缩减传统电子纱 / 布供应量，供需格局持续优化。
广发证券
9 月电子布和光伏玻璃继续涨价，PTFE 有望成为新一代低损耗材料
- 据卓创，2026 年 1–9 月 7628 厚布逐月提价 0.2 / 0.5 / 0.5 / 0.5 / 0.5 / 0.7 / 1.2 / 1.5 / 1.5 元/米；25Q4 以来 7628 / 2116 / 1080 累计上涨 180% / 280% / 290%。
- 上半年 Low-CTE 供需紧缺带来大幅涨价；预计下半年及明年 Low-DK 二代布供需缺口放大、涨价空间更大，当前厂家库存低、各品类均紧缺。
- PTFE（Dk≈2.1、Df≈0.0004）随 AI 服务器向 224/448 Gbps SerDes 演进向高速数字 PCB 渗透，仍处高端导入与验证阶段；球硅受「PTFE 渗透率 + 填料填充率」双重量增驱动。
图 7 · 7628 电子布厚布逐月提价（2026 年 1–9 月）
怎么看：提价从年中开始明显加速，7–9 月单月提价幅度是上半年的 2–3 倍，反映 AI 高速布结构性紧缺加剧。
② 被动元件
开源证券
三星电机获 1.07 万亿韩元 MLCC 大单，行业迈入涨价循环
- 三星电机已率先对 OEM / ODM 客户调涨 2026 年 Q4 报价：消费级 X5R 上调 25%–30%，AI 服务器高端 X6S 平均涨幅 10%–20%；国巨、村田、太阳诱电亦传出涨价信号。
- 国海证券：明年高容 MLCC 供需缺口或扩大、紧张延续至 2028 年；TrendForce 预计 Q4 供需缺口扩大、价格走升。
- 高盛：全球 AI 服务器 MLCC 市场年均约 34% 增长，从 2025 年 14 亿美元增至 2030 年 58 亿美元。
天风电新
PCB 与 MLCC 产业链景气度验证（电话点评）
- 村田预计 10/1 起对 D1 客户（散单 / 小客户，约占 3%）涨价、且不发涨价函。
- 更关键的是转产：村田约 20% 消费级 MLCC 产能转产高端，影响约 200 亿颗/月供给，有现货的经销商大概率跟涨。
图 8 · MLCC 原厂 Q4 报价上调幅度
怎么看：涨价集中在消费级通用料（X5R +25–30%），AI 服务器高端料涨幅相对温和（X6S +10–20%）——原厂优先修复通用品价格、对 AI 客户保持克制以维持长期关系。
③ 上游材料
国盛证券
8 月美国非农大超预期，AI 投资热潮强劲，关注半导体材料机会
- 六氟化钨：日本关东电化、中央硝子已于 7/1 永久停产（合计约占全球产能 25%），5N 级六氟化钨主流价 9 月初 1810 元/千克。
- 三氟化氮（NF3）：全球缺口率约 34%，5N 级价格已涨至 29–32 万元/吨。
- SEMI 预计 2026 年全球 300mm 晶圆厂设备支出增长 18% 至 1330 亿美元、2027 年再增 14%；CMP 材料市场 2025–30 年 CAGR 约 12.5%。
华福证券
新材料周报：英伟达带火「新材料」，电子特气涨幅超 240%
- 氩气：截至 9/2 报 2459 元/吨，较 5 月初 720 元/吨，4 个月涨幅超 240%。
- 英伟达计划在 NVSwitch 板卡中使用 PTFE，并作为下一代平台 Rubin Ultra（2027 年推出）正交背板的主力选材，信号速率奔向 224–337 Gbps+。
华西证券
AI 金属新材料周观点：精铟与磷化铟衬底
- 精铟：出口管制叠加 AI 需求，2025 年小幅上涨、2026 年进入加速暴涨期；中国 2025 年约占全球精炼铟产量 70%。
- 磷化铟衬底：随 1.6T/3.2T、硅光外置光源及 CPO 发展需求快速增长；主流出货的 4 英寸 InP 衬底有效产能不足，已成为全球光芯片厂与算力大厂最核心的「卡脖子」环节，6 英寸批量良率是产业化关键。
- AI 服务器电容 / 电感量价齐升 + 技术代际升级，拉动纳米级高纯镍粉（MLCC）、高 CV 钽粉与钽丝需求。
兴业证券
华虹半导体：量价齐升驱动业绩创新高
- AI 需求从存储向逻辑与模拟芯片扩散，带动成熟制程代工量价齐升：Q2 晶圆 ASP 450 美元/片、环比 +2.8%；营收环比 +8.6% 跑赢出货环比 +5.8%，涨价贡献持续显现。
- 独立式非易失存储器收入 6880 万美元、同比 +149.3%；12 英寸收入占比已超六成。
图 9 · 上游电子特气价格：涨价前后对比
怎么看：氩气 4 个月涨超 240% 是本期上游最猛的品种；六氟化钨与 NF3 则由「原厂永久停产 + 全球缺口 34%」驱动，属供给端硬约束型涨价。
9/8 盘后增补
国海证券
晨会：电子布涨价链条全面落地 + 铬盐供需缺口测算
- 电子布：中国巨石上调 9 月价格——厚布 +15%、薄布 +20%；卓创数据，8/31 主流厂商电子布均价均在 10 元/米以上，平均价最高值达 13.25 元/米（对比上午版华东 7628 报 11.4–11.8 元/米，龙头巨石报价与均价高点更高）。
- 铬盐（燃气轮机 / SOFC 上游）：AI 数据中心电力需求拉动燃气轮机与「两机」需求，2025 年金属铬价格已两波上涨；国海测算到 2028 年铬盐供需缺口达 34.09 万吨、缺口比例约 32%，SOFC 放量将再度重估铬盐产业链。
- 模拟芯片：据满天芯，TI 于 9 月发布新涨价函，多款产品调价、幅度取决于具体材料 / 工艺；延续海外模拟大厂与国内厂商「接力式涨价」。
内资券商 · 电力与缺电链
东吴证券
跨越重卡周期，迎接 AI 新生（燃气内燃机 / 大缸径柴发深度）
- 需求端：美国 LBNL 预测到 2028 年数据中心用电量激增至 328–580 TWh（2023 年为 176 TWh），约占全美电力总需求 6.7%–12.0%（2023 年 4.4%），核心增量来自 AIDC。
- 供给端：截至 2024 年美国存量装机约 1300 GW，2018–2024 CAGR 仅约 1.7%；EIA 规划 2025–2029 年美国电力退役容量达 46.5 GW。
- AIDC 运营商正将部分供电由电网延伸至燃气轮机 / 燃气内燃机 / SOFC，备用电源侧以柴油发电机组率先受益（高速机 ≤5 MW 备用，中速机 6–20 MW 可作主电源）。
国金证券
中报全览：AIDC 信号密，电网出口增（电新）
- 数据中心供电架构正从终端负荷转向需专属 230–500 kV 变电站支撑的枢纽级负荷。
- 北美电力变压器进口依赖度高达 80%，受原材料及人工短缺限制、产能扩张普遍推迟至 27–28 年释放；北美电力变压器交期已拉长至 100 周以上，成为决定 AIDC 投产进度的核心瓶颈，供需错配预计延续至 2030 年。
- 国网输变电设备第 4 批招标 114 亿元、同比 −19%，前四批累计 601 亿元、同比 −12%（25 年高基数 + 「十五五」开局项目仍在规划），预计 27 年主网招标回暖。
华西证券
AI 电力供应矛盾凸显（电力设备周观点）
- 据财联社，2026 年 9/1 的 G20 峰会上马斯克警告：AI 行业正面临电力供应短缺，预计 2027 年 AI 芯片可能面临至少 15 GW 的电力缺口（AI 芯片产量增速约 40%–50%，而中国以外地区电力供应年增速仅 10%–20%）。
东吴证券
缺电主线周报：AIDC 缺电产业大事跟踪
- Google 与 Fervo Energy 签署 396 MW 地热 PPA 支撑犹他州数据中心电力需求，另含约 600 MW 扩容权、总规模接近 1 GW。
- Vertiv 拟最高 26 亿美元收购微电网公司 Utility Innovation Group，补齐数据中心「电网 + 现场发电 + 储能」综合供电能力。
华鑫证券
AI 基础设施投资继续扩张，电力与存储成为下一阶段重要增量
- 国内 GW 级智算中心落地：8 月底企商在线与乌兰察布市政府签署框架协议，规划新增约 1249 MW（1.2 GW）人工智能算力中心集群、总投资约 180 亿元，采用绿电直供 + 液冷；叠加此前约 600 MW 项目，当地规划及签约容量接近 1.8 GW。
- Vertiv 收购 UIG：基础现金对价约 14.5 亿美元 + 最高约 11.5 亿美元业绩对价（合计最高约 26 亿美元），电力瓶颈由机房内 UPS / 配电向上游电网接入及现场能源系统扩散。
- 「十五五」电网：全国电网固定资产投资预计达 5 万亿元以上、较「十四五」增长超 80%；西电东送规模由约 3.4 亿千瓦提升至 4.2 亿千瓦以上，配电网投资占比将超电网总投资一半。
缺电链 · 分析师点评
天风机械
缺电链驱动燃机出海
- AIDC + 缺电 + 更换周期三重共振下，全球燃机产能严重紧缺：25 年全球新签订单 >100 GW、交付不足 60 GW；26 年订单保守估 >130 GW、交付 <80 GW，供需缺口由 40 GW 扩大至 50 GW+。
招商机械
缺电链定期更新（0904）：算力扩张凸显电力设施瓶颈
- 8/26 PJM 最新容量市场连续出现供给缺口，2028、2029 年度容量拍卖缺口达 6.8 GW、价格触及 325 美元/MW-day 的上限。
- 9/2 麦肯锡预计到 2030 年全球数据中心累计投资规模接近 7 万亿美元；当前美国数据中心电力接入申请合计已超 700 GW。
东北证券
Bloom Energy 业绩大增，看好 SOFC 产业链
- BE 与 Brookfield 的 AI 电力项目融资合作规模扩大至 250 亿美元（较去年 10 月首次的 50 亿美元扩大 5 倍），BE 为 Brookfield 全球「AI 工厂」首选现场电源。
- BE Q2 营收 10.65 亿美元、同比 +165.5%，毛利率 33.4%、环比提升 668 bp，全年指引上修至 39–42 亿美元。Bain 测算美国 2030 年发电容量缺口约 30–55 GW。
图 10 · 海外燃机供需缺口（2025 → 2026E）
怎么看：订单增速远快于交付，缺口从 40 GW 扩大到 50 GW+——这正是杰瑞、Siemens Energy 等燃机厂订单「量价双升、预付款走高」的产业背景。
图 11 · 多机构对美国 / 全球电力缺口的量化预测
怎么看：口径与年份各异，但方向一致——2027–2030 年美国电力缺口在 15–55 GW 量级，PJM 容量拍卖已触价格上限，是「硬缺口」而非预期。
点评与电话会汇集
📌 TrendForce · 集邦咨询
2026Q2 全球 DRAM 行业营收环比上涨 59.5% 至约 1547 亿美元，传统 DRAM 合约价大幅上涨、颗粒出货仅小幅增长；三星 Q2 DRAM 营收 609.8 亿美元、环比 +63.4%、份额 39.4% 居首（受益 HBM4 较早量产）。
展望 Q3：传统 DRAM 合约价环比涨幅预计回落至 13%–18%；部分需求由大容量 RDIMM 转向低容量产品，供应商大幅收缩消费级 DRAM 供给、消费级涨幅预计最突出。
📌 天风海外 · 月度观点
海外半导体设备：受设备零部件供给约束、交付周期拉长，设备涨价幅度 3%–5%，探针卡这类耗材涨价逻辑更清晰；封测厂受益于 CPU CoWoS 外溢。国产算力核心关注 HBM 供给缺口与涨价压力传导，静待华为、寒武纪 Q4 量产出货催化。
⚠️ 中国银河证券 · 「科技银河之声」电话会（2026-09-07）
发言人高峰（银河科技）：基于 2026 年半年报，科技行业（存储、被动元件、PCB）基本面未发生显著波动，但市场预期的「二阶导」出现明显变化——增长预期已趋平稳、停滞甚至下行，即整体仍增长但增速放缓，涨价趋势亦同步减弱。
其判断存储 / 被动 / PCB 龙头估值仍有支撑，理由是「头部向高端升级（HBM4/HBM4E、AI 服务器高端料号）→ 国内厂商承接高端产能、份额提升贯穿未来数年」，AI 硬件长期需求总量 2030 年前不会滑落。
注：此为本期唯一「降温」信号，属边际增速判断、非价格下行；与前述涨价条目并行跟踪。（大摩「存储 2026Q4 转入晚周期」见 M2 增补，为第二个同类信号。）
9/8 盘后增补
📌 万联证券 · 通信行业跟踪（2026-09-07）
日本化工巨头住友化学宣布 InP（磷化铟）外延片正式量产，目标 2030 年代中期实现 100 亿日元销售规模。头部厂商加码磷化铟产业链，体现 AI 光互联需求向上游核心材料持续传导——与华西「4 英寸 InP 衬底有效产能不足、成光芯片卡脖子环节」形成供给侧一增一紧的交叉印证。
📌 博通 FY26 Q3 业绩（东海证券晨会援引，2026-09-07）
博通 Q3 营收 296 亿美元、同比 +86%，其中 AI 半导体收入 167 亿美元、同比 +221%，占总营收约 56%。公司上调 2026 财年 AI 半导体收入指引至 580 亿美元，2027 / 2028 财年增至 1150 / 2300 亿美元。受 AI 芯片中高成本 HBM 占比提升影响，综合毛利率预计由去年同期 78% 降至约 73%——HBM 涨价正通过 BOM 成本直接压缩下游 ASIC 厂商毛利率。
💡 国联民生证券电话会（2026-09-08）· PCB 产能
李伯语：随 Rubin 上量，此前富余产能较多的 PCB 龙头（胜宏、景旺）产线已满产；「产能为王」下 GB300→Rubin 加工难度大幅提升、技术壁垒推高行业集中度，新进入者难拿大份额。非 AI 侧涨价链条（电子布卡 CCL、CCL 卡 PCB）跑通，预计 Q3 起 AI 与非 AI 类 PCB 毛利率均明显修复、非 AI 类更明显。（定性判断，无新增量价数字。）
分环节速览
| 环节 | 本期核心数据（9/4–9/8） | 价格信号 | 趋势 | 来源 |
|---|---|---|---|---|
| 存储 / HBM | 三星 2031 前约 70% HBM 产能锁长约、现货价 = 长约价 4–5 倍；2026 年 HBM 市场 +58% 至 546 亿美元、缺口维持 50–60% | 现货远超长约 | ↑↑ | 国金 / 开源 |
| 标准 DRAM | 2026Q2 行业营收环比 +59.5% 至约 1547 亿美元；Q3 传统 DRAM 合约价涨幅预计收窄至 13–18% | 涨幅收窄 | ↑ | TrendForce |
| 电子布 | 华东 7628 厚布 9 月 +1.5–1.6 元/米至 11.4–11.8 元/米创新高；25Q4 以来 7628/2116/1080 累计 +180%/280%/290% | 逐月创新高 | ↑↑ | 东方财富 / 广发 |
| CCL / FR-4 | 建滔积层板 8/28 对 FR-4 +10%（薄布 +20%），为年内第 7 次提价；电子布→CCL 顺价传导 | 顺价传导 | ↑ | 东方财富 |
| MLCC | 三星电机 Q4 报价：消费级 X5R +25–30%、AI 服务器 X6S +10–20%；国巨 7 月涨价扩至现货 + 直销、覆盖约 50% 营收 | 涨价面扩大 | ↑ | 开源 / 花旗 |
| 钽电容 | 2Q 增速为国巨各产品线最快、已超磁性元件成第一大产品线，交期为各线最紧 | 交期最紧 | ↑ | 花旗（国巨） |
| 电子特气 | 六氟化钨 5N 级 9 月初 1810 元/千克（关东电化等 7/1 永久停产、占全球 25% 产能）；NF3 缺口约 34%、涨至 29–32 万元/吨 | 供给硬约束 | ↑↑ | 国盛证券 |
| 氩气 | 截至 9/2 报 2459 元/吨，较 5 月初 720 元/吨、4 个月涨超 240% | 暴涨 | ↑↑ | 华福证券 |
| 磷化铟 / 精铟 | 精铟 2026 年进入加速暴涨期（中国占全球精炼铟产量约 70%）；4 英寸 InP 衬底有效产能不足、成光芯片「卡脖子」环节 | 加速上涨 | ↑↑ | 华西证券 |
| 成熟制程代工 | 华虹半导体 Q2 晶圆 ASP 450 美元/片、环比 +2.8%，营收环比增速跑赢出货 | 温和上行 | ↑ | 兴业证券 |
| 电力变压器（北美） | 交期拉长至 100 周以上、进口依赖度 80%，产能扩张推迟至 27–28 年，供需错配预计延续至 2030 | 高溢价订单 | ↑ | 国金证券 |
| 燃气轮机 | 26 年全球订单 >130 GW、交付 <80 GW、缺口扩至 50 GW+；杰瑞半月内累计订单近 20 亿美元且定价更优 | 量价双升 | ↑↑ | 天风机械 / 高盛 |
| 数据中心电力 | JLL：美国 DC 电力需求 31 GW(25)→66 GW(27)；MS 开发商缺口 44→47 GW；PJM 28/29 容量拍卖缺口 6.8 GW 触价格上限 | 缺口走阔 | ↑↑ | 花旗 / MS / 招商机械 |
| T-glass（超薄电子布） | 产能 2027–28 年较 2025 年增 100–200%，但价格涨幅尚不足以让供应链恢复健康 | 涨价不足 | → | 美银证券 |
| 晶圆设备 / CMP 材料 | SEMI 预计 2026 年全球 300mm 晶圆厂设备支出 +18% 至 1330 亿美元、2027 年再增 14% | 需求放量 | ↑ | 国盛证券 |
| 存储测试设备（ATE）·9/8 | 精智达 9/3 签 15.76 亿元、悦芯 8/20 获 >15 亿元订单；HBM 测试道数 3–4→15+、机时 ×5–6；国内市场 2026 48 亿→2027 155 亿元(+223%) | 价值量抬升 | ↑↑ | 东吴证券 |
| NAND·9/7 | Sandisk 8 份长约合同约 940 亿美元、底价档毛利率仍约 80%；TAM CY25 700 亿→CY26 3000 亿+→CY27 5000 亿美元；2026 ASP 同比 +251% | 长约锁价 | ↑↑ | 摩根大通 |
| HBM 收入（全球）·9/7 | JPM 修订：2026E 643 亿→2028E 2521 亿美元；DRAM ASP(8Gb)同比 2026 +236% / 2027 +29% / 2028 +7% | ASP 高增 | ↑↑ | 摩根大通 |
| 硅光 / 光模块·9/7 | GF 通信基建&DC 收入增速指引 high-30%→50–60%、硅光收入 2026 翻倍+；Tower 硅光收入同比 +270% 至 6.8 亿美元年化 | 需求上修 | ↑↑ | 伯恩斯坦 |
| 磷化铟 InP（供给侧）·9/7 | 住友化学 InP 外延片正式量产、目标 2030s 中期 100 亿日元销售（供给增量，仍不改 4″ 衬底紧缺） | 供给渐增 | ↑ | 万联证券 |
| 铬盐（燃机/SOFC 上游）·9/7 | 国海测算到 2028 年供需缺口 34.09 万吨、缺口比例约 32%；2025 年金属铬价格已两波上涨 | 缺口显著 | ↑ | 国海证券 |
产业链全景图谱
需求端
字节跳动 · 拟 700 亿美元 capex / 296 亿贷款
英伟达 / 微软 / 谷歌 · HBM 长约至 2031
Google–Fervo · 396 MW 地热 PPA
Brookfield「AI 工厂」· BE 融资 250 亿美元
戴尔 · AI 服务器全年营收指引上调
乌兰察布 · 企商在线 1.2 GW 智算中心（180 亿元）
Anthropic · TPU 产能 1→5→10 GW（26–28）
▼ AI 资本开支 / 融资（9/4–9/8，含 9/8 增补）
核心组件
HBM现货=长约价 4–5×
标准 DRAMQ2 +59.5% (行业营收环比)
7628 电子布11.4–11.8 元/米 新高
CCL / FR-4+10%（年内第 7 次）
MLCCX5R +25–30%
钽电容交期最紧
成熟制程代工ASP +2.8% QoQ
NANDSandisk 长约 940 亿美元 · 底价 GM 80%
硅光 / 1.6T 光模块GF +50–60% · Tower +270%
存储测试机 ATEHBM 机时 ×5–6 · 精智达 15.76 亿元
▼ 拉动上游材料
上游材料
六氟化钨 5N1810 元/kg（原厂停产）
NF329–32 万元/吨（缺口 34%）
氩气+240%（4 个月）
精铟 / 磷化铟衬底加速暴涨 · 4″ 产能不足（住友化学外延片量产）
铬盐（燃机 / SOFC 上游）2028 缺口 32%
T-glass / 电子级 Q 布产能 +100–200%，涨价不足
PTFE / 球硅 · 英伟达 Rubin Ultra 选材（导入期）
高纯镍粉 / 钽粉 · 随电容量价齐升
▼ 驱动电力基础设施
电力基建
燃气轮机缺口 50 GW+ · 杰瑞半月累计近 20 亿美元
北美电力变压器交期 100 周+
燃气内燃机 / 大缸径柴发 · AIDC 主备电源
SOFC（Bloom Energy）· 现场电源
美国 DC 电力缺口44 → 47 GW（至 2028）
CMP 材料 / 300mm 设备 · SEMI +18% 至 1330 亿美元