今日最值得关注的变化
美光FY26Q3 NAND价格环比
+85%
东吴证券 · 2026-06-30 · 历史最大单季涨幅
美光FY26Q3 DRAM价格环比
+60%
东吴证券 · 2026-06-30 · Q4指引营收500亿美元
模拟/功率半导体7月涨价幅度
+25%
财信/金元证券 · 2026-06-30 · 7月1日生效
PCB 7月全品类涨价
+30%
行业消息 · 2026-06-30 · 含AI服务器高端板
Lumentum Q3营收同比
+90%
国信证券 · 2026-06-30 · EML产量增8倍
FERC并网审批缩短至(天)
90
摩根大通 · 2026-06-30 · 原"数年"
今日核心判断

AI通胀正进入"全品类共振"阶段:存储(HBM/DRAM/NAND)量价齐升已兑现至业绩,被动元件(MLCC)缺货从AI专用扩散至全品类,模拟/功率半导体步入阶梯式连续涨价,PCB/CCL/电子布供给约束刚性,光模块/InP供给缺口持续。中信策略指出:当前AI通胀类似2021年电新周期,四大见顶信号均未出现。

今日各品类涨价幅度概览(截止2026-06-30)
数据来源:东吴/申万宏源/财信/华鑫/广发证券 · 2026-06-30 | 红色品类价格上行斜率最陡,NAND+85%为今日最大增量数据
注:DRAM/NAND为美光FY2026Q3季度环比价格变化;DDR2合约价为Q2同比涨幅;PCB/模拟半导体为7月计划调价幅度;数据来源各异,不可直接横向对比。
外资券商
摩根大通
KR ESS需求上调52%、Innio首次覆盖:AIDC电力超级周期深化
作者:Joann Kim等 · 2026-06-30 · 覆盖韩国ESS/美国AIDC电力

FERC并网加速改革为AI数据中心+储能模式打开大门,系统性低估了美国ESS需求,AIDC BTM供电(燃气轮机/SOFC/ESS)订单确定性大幅提升。

  • FERC改革:6月18日新规将数据中心并网审批从"数年"缩短至 90天(配ESS方案优先审批),直接消除AIDC扩张核心瓶颈
  • ESS需求上调:2030年美国ESS需求预测上调 52% 至303GWh(市场共识约200GWh);数据中心占美国ESS需求的 45%
  • 配套比:每1GWh AIDC需配套 4-6GWh ESS 方可在当前电网环境稳定运行(孤网/弱网场景)
  • LGES:目标4Q26将美国ESS积压订单从140GWh扩至 230GWh;SDI有2-3年美国ESS订单簿
  • Innio(INIO)首次OW覆盖,目标价44美元:设备积压 48亿美元(59%来自数据中心),计划2030年产能扩至10GW(当前3倍);服务合同attach rate超80%、期限10年以上
美国2030年ESS需求:市场预测 vs 摩根大通新预测(GWh)
数据来源:摩根大通 · 2026-06-30 | 怎么看:左柱为FERC改革前市场共识,右柱为摩根大通FERC改革后上调目标,数据中心需求占比大幅提升
数据中心占45% = 约136GWh;公用事业/工业/住宅合计约167GWh;FERC90天并网审批是需求上调的核心驱动
摩根士丹利
Asia Summer School: Powering AI — 亚洲数据中心全景与算力经济学
作者:Yang Liu, Da Wei Lee等 · 2026-06-30 · 亚洲数据中心全景

AI时代数据中心架构发生质变:从"租空间"到"供安全电力+液冷+高密度光纤",算力密度跃升颠覆选址与建设逻辑。

  • 订单景气:2026年全球数据中心订单预测 +66% YoY
  • 机架密度:AI GPU机架功率密度 40-200kW(传统企业机架5-15kW),下一代AI平台达"数百kW+"
  • 交付加速:AI时代DC交付周期 6-9个月(云时代1-2年);入住速度6个月(云时代1-2年)
  • 中国远程DC电价:乌兰察布49万机架/1.2GW,电价 0.26-0.28元/kWh;中卫30万机架/750MW,电价 0.27-0.29元/kWh
  • 运营成本:H200年化运营成本:乌兰察布4.42万元/GPU(PUE 1.20);河北4.64万元/GPU(电价0.60元/kWh)
  • 稀缺资源:AI时代核心稀缺从"土地/带宽"变为"有保障电力+液冷能力+高密度光纤",NDRC通过建设许可证严格管控集群供给
AI时代 vs 云时代数据中心机架功率密度演进(kW/机架)
数据来源:摩根士丹利 · 2026-06-30 | 怎么看:传统→云→AI机架密度跃迁,每一代约5-10倍,下一代AI平台突破200kW级别
AI时代机架密度跃升意味着:相同占地面积下所需冷却/配电/光纤设备价值量成倍提升,液冷成为不可选项
摩根士丹利
TSMC Preview & CoWoS Update:芯片通胀向设计端传导
作者:Charlie Chan, Daniel Yen等 · 2026-06-30 · 台积电前瞻与封装更新

T-Glass和存储是AI供应链最紧缺节点;晶圆/OSAT/存储成本上升正向芯片设计商创造显著利润逆风("Chip Inflation"),叠加AI产能挤出效应加剧非AI芯片供给紧张。

  • "芯片通胀":2026年晶圆、OSAT、存储成本上升,芯片设计企业利润逆风显著加剧
  • 产能挤出:T-Glass和存储产能被AI端优先占用,非AI应用受限;AI芯片挤压传统逻辑/存储产能
  • HBM进展:HBM4(基于1-beta DRAM)已对头部客户批量出货,多终端送样认证中;HBM4E(基于1-gamma DRAM)开发推进,预计 2027年量产
  • 供给紧张持续:DRAM/NAND库存天数低于120天,为近年最低水平;HBM产能向2027年以后预订
预期差

市场此前担忧FERC审批延迟是AIDC扩张的不可解约束;摩根大通数据显示FERC改革后90天审批将美国数据中心BTM能源需求释放节奏大幅加速。摩根士丹利"芯片通胀"框架揭示:上游材料/代工/封装成本压力正在芯片设计端积累,AI产业链价格传导路径从下游(算力)→中游(元器件)→上游(材料)加速演进。

内资券商 · 存储 / HBM
东吴证券
美光科技FY2026Q3业绩点评:四大业务单元全线创纪录,量价齐升兑现AI存储红利
分析师:张良卫 · 2026-06-30 · 首次覆盖→增持

美光FY2026Q3全面超预期,涨价驱动毛利率普涨,SCA长协强化盈利确定性,供需紧张判断延续至2027年以后。

  • 营收:414.6亿美元(同比 +346%,环比 +74%),历史最高财季营收
  • DRAM:收入313亿美元(+67% QoQ),价格环比 +60%,出货量低个位数增长
  • NAND:收入99亿美元(+99% QoQ),价格环比 +85%,历史最大单季涨幅
  • 分业务毛利率:云存储(含HBM)138亿美元(+78% QoQ),毛利率 83%;数据中心115亿美元(+103% QoQ),毛利率 87%
  • Q4指引:营收 500亿美元±10亿,Non-GAAP毛利率约 86%,EPS 31.00美元±1.00
  • SCA长协:已签 16份 take-to-pay协议,最低价口径累计约 1000亿美元;Q3末RPO超50亿美元
  • HBM市场:管理层将HBM市场突破1000亿美元时间线由2028年提前至 2027年
  • 供需判断:DRAM/NAND紧张持续至2027年以后;2028年供给侧逐步改善但仍无法匹配需求
美光科技 季度营收结构(亿美元)及DRAM/NAND价格变化趋势
数据来源:东吴证券 · 2026-06-30 | 怎么看:左Y轴为季度营收(亿美元),右Y轴为价格环比变化(%);NAND+85%为今日最大量化数据增量
FY2026Q3为实际值,Q4为管理层指引;SCA长协覆盖约50%收入后,利润波动性大幅降低
华鑫证券
双融日报:消费DRAM合约价Q2涨幅+55-60%,Q3预估再涨+35-40%
分析师:万蓉 · 2026-06-30 · 存储/MLCC双热点

TrendForce数据显示,成熟制程DRAM供给结构性紧缩,下游需求方被迫采购旧世代产品(DDR2/DDR3),消费类DRAM合约价进入持续涨价通道。

  • DDR2/DDR3合约价:Q2(2026年4-6月)合约价同比涨幅约 55%-60%,Q3(7-9月)预估进一步上涨 35%-40%
  • 供给逻辑:台积电2025年起减少8英寸产能,目标2027年部分产区停产;新建晶圆厂需2-3年+百亿投资,供给刚性最高
  • 华虹宏力(华源证券):8英寸产能利用率回升至近 90%;26Q1营收46.3亿元(+18.2%),归母净利润1.4亿元(+513.1%)
路演纪要 · 中信/天风/国联民生电话会(2026-06-30)

中信证券科技早七点:HBM供不应求保守看至2028年,长协约占原厂产能50%,合约期向3-5年延伸;2027年HBM价格保守涨幅80%-100%,乐观情景涨2.5倍以上。

天风证券电话会:云厂商已绕开PCB/中间机构直接与原厂谈判,以长单形式锁定量价;未来1.5年HBM每季度涨价20%以上并不是不可能。

国联民生半导体超级周期电话会:HBM多层堆叠工艺推高特种前驱体/封装材料/高纯气体/CMP靶材需求,单产线材料价值量达传统产线的3-5倍;设备/零部件处于扩产二阶导确定性受益区间。

内资券商 · PCB / CCL / 电子布 / 模拟半导体 / 被动元件
申万宏源
生益科技深度:高速CCL双主线涨价 × AI特种布供给约束,大陆唯一通过英伟达M9认证CCL厂
分析师:杨海晏、陈俊兆 · 2026-06-30 · 首次覆盖,增持

生益科技为高端CCL领军,充分受益AI基建趋势下高速CCL需求与成本驱动型涨价双主线,大陆唯一通过英伟达M9认证代表不可替代性。

  • 高速数字CCL市场:2025年 62亿美元 → 2030年 158亿美元,CAGR 20.7%
  • 数据中心PCB市场:2024年 125亿美元 → 2029年 210亿美元,CAGR 10.9%
  • 电子布:年内完成 5轮提价,均价达 7.4元/米;织布机短缺是核心约束;普通布库存极低,短期紧缺难缓解
  • 铜缺口:国际铜研究组织预测2026年全球精炼铜供应缺口约 15万吨,铜价维持高位
  • PPE树脂:沙特朱拜勒工业区(全球70%的PPE树脂来源)3月起因霍尔木兹航运受阻停产,树脂成本存在上行空间
  • 认证护城河:大陆唯一通过英伟达 M9认证 的CCL厂商,已进入英伟达GB300交换板M8供应链
  • 业绩预测:2026-2028E营收417/609/673亿元(+47%/+46%/+11%);归母净利润58/97/112亿元(+74%/+68%/+15%)
  • CCL板块:2026-2028E收入268/386/373亿元,毛利率 26.6%/28.2%/30.0%
高速数字CCL市场规模预测(2025-2030E,亿美元)
数据来源:申万宏源 · 2026-06-30 | 怎么看:AI数据中心拉动CAGR 20.7%,2030年市场规模为2025年的2.5倍,供给端认证壁垒高(英伟达M9需12-24个月认证周期)
2025-2026年为实际或预测值,2027-2030年为申万宏源预测;电子布5轮提价是CCL成本上移的领先指标
财信/金元/中原证券
全球近20家模拟及功率半导体企业7月1日启动新一轮涨价,AI服务器专用品类+15%-25%
财信证券叶彬/金元证券/中原证券晨会 · 2026-06-30

晶圆代工涨价+原材料成本上升双重压力,叠加AI数据中心建设拉动功率芯片需求激增,形成"成本推动+需求拉动"双共振;市场份额向IDM全链条或上游深度绑定的头部企业集中。

  • 涨价规模:全球近 20家 模拟及功率半导体企业7月1日同步启动新一轮涨价,年内已呈多批次阶梯式调价特征
  • AI服务器/数据中心专用:电源管理芯片(PMC)及高压信号链模拟芯片涨幅 15%-25%
  • 工业储能:工业自动化、储能隔离芯片涨幅 10%-15%
  • 国内跟涨:华润微、扬杰科技等国内企业普遍跟涨,低端消费品类温和或维持
  • 代工成本:8英寸产能利用率回升至近 90%(华源证券),台积电/三星主动减产8英寸,成熟制程代工价格或上涨
模拟/功率半导体7月1日涨价结构:各应用分类涨幅对比(%)
数据来源:财信/金元/中原证券晨会 · 2026-06-30 | 怎么看:AI服务器/数据中心专用品类涨幅最高,且为本轮涨价的起点和领涨方向
涨幅为各类模拟/功率半导体企业计划调价区间上下限,实际落地幅度因产品型号不同略有差异
华鑫证券
双融日报MLCC专题:缺货从AI专用扩散至全主规格,最短缺规格47μF,或超2018年缺货潮
分析师:万蓉 · 2026-06-30 · 引用台湾工商时报/华新科渠道商信息

本轮MLCC缺货已从AI专用高频板用MLCC向手机/PC大量用的主流规格全面扩散,预计缺货持续时间或超越2018年被动元件缺货潮(当年持续约18个月)。

  • 缺货范围:缺货规格已不局限于AI服务器/高频板用MLCC,最短缺规格为47μF;手机/PC大量用的高容 10μF、22μF及X5R 均受影响
  • 持续时间:预计缺货延续至 2027年甚至2028年,或超越2018年被动元件缺货潮(持续约18个月)
  • 供给约束:AI高端订单挤压日韩厂通用产能;旧产线退出+新产线认证周期长(6-12个月),供给快速响应能力有限
  • 下半年更紧:天风/中信电话会均预判MLCC供需下半年比上半年更紧张,Q3或酝酿更大幅度涨价
分析师点评(0629)

某分析师(0629发布):存储、PCB、光纤、电容、液冷坚定看好,当前AI供需失衡程度远超市场预期。电容Q3预计酝酿更大幅度涨价——缺货从AI专用扩散至全品类是本次涨价从"局部"走向"全面"的临界信号。PCB厂商5月下旬起对非AI客户涨价20%-30%,7月全品类PCB(含AI高端板)预计统一涨价20%-30%以上。

内资券商 · 电力 / 数据中心供电 / 光模块 / 磷化铟
广发证券
2026年中期策略展望:AI产业链景气扩散全景 — 供给刚性是主导逻辑
分析师:刘晨明等 · 2026-06-30 · 中期策略深度

AI产业链出现"量价"共振带动的显著景气扩散;供给刚性(而非下游需求扰动)是当前景气持续性主导力量;跟踪体系应聚焦中游硬约束,而非下游需求端扰动。

  • 供给响应差异:AI制造业供给响应比传统制造业慢5-8个月;同等需求冲击下,AI制造业总供给释放量不到传统制造业的一半(2.2倍差距)
  • DRAM特殊性:AI服务器用量达传统服务器的 8-10倍,供给弹性最低(寡头垄断+建设周期2-3年+百亿投资)
  • 云厂商积压订单:AWS Q1末 3640亿美元;Google Cloud 4620亿美元;Azure 6270亿美元;DELL AI订单积压513亿美元;CoreWeave backlog 994亿美元
  • 磷化铟:AXT积压订单Q1突破 1亿美元,Q2将成历史最高销量季
  • 光芯片:EML/CW供给缺口从20%扩大至 25-30%(Lumentum业绩会披露)
  • 26Q1盈利增速:德明利 +4943%,佰维存储 +1568%,南亚新材 +611%,宏和科技(电子布) +354%,源杰科技(光芯片) +1153%
全球主要云厂商 AI 资本开支积压订单(亿美元,2026Q1末)
数据来源:广发证券中期策略 · 2026-06-30 | 怎么看:积压订单规模代表已确认但未交付的需求,是未来1-3年AI基础设施建设的最有力前瞻指标
积压订单为Q1末时点数据,含AI算力采购、DC建设合同等;Azure 6270亿美元为各大云厂商中最高
国盛证券
AI电源高景气延续:800V HVDC架构驱动行业升级,十五五能源规划落地
分析师:杨润思、林卓欣 · 2026-06-29(最新)

AI数据中心功率需求提升推动供配电架构从传统UPS向高压直流(HVDC)方案转变,产业链价值重心向高压耐热电容器/功率MOSFET/高效变换器集中。

  • 机架能耗跃升:AI服务器单机架能耗从 100kW 提升至超 1MW,UPS/PDU等传统方案受限
  • 800V HVDC推广:英伟达2025年5月宣布2027年起推动数据中心机架电源从54V直流向 800V HVDC 过渡,带动行业同步升级
  • 十五五能源规划(6月28日):总目标2030年初步建成清洁低碳安全高效新型能源体系,涉及 20万亿 投资重塑AIDC能源基础设施
国信证券 + 东吴证券
Lumentum(LITE) Q3营收+90%、光通道缺口超30%;磷化铟需求2025-2030增21倍
国信证券Lumentum财报点评 + 东吴证券小金属深度 · 2026年中

光模块/光芯片景气度持续超预期,磷化铟是AI数据中心光互连不可替代核心材料,AI需求爆发叠加中国出口管制,供需严重失衡。

  • Lumentum 2026Q3:营收 8.08亿美元(+90% YoY);GAAP净利润1.44亿美元(+427% YoY);毛利率44.2%(+15.39pct)
  • 光通道缺口:当前供给缺口超 30%,EML产量已增 8倍,核心发光组件出货量创历史季度纪录
  • InP产能扩张:产能将提升 50% 并向6英寸晶圆过渡,达产后新增约 50亿美元 年化产能空间
  • 磷化铟需求:2025年 60万片 → 2030年 1300万片(增21倍)
  • 铟需求:2025年19吨 → 2030年 419吨(+20%以上全球铟需求基数)
  • 中国出口管制:2025年2月实施铟出口管制(含磷化铟、三甲基铟、三乙基铟),供给约束进一步强化
  • 供给约束:铟与锌矿100%伴生(无法独立扩产),锌炼厂产能利用率近5年最低,管制收紧
AI数据中心磷化铟(InP)需求预测(2025-2030E,万片)
数据来源:东吴证券小金属深度 · 2026年中 | 怎么看:2025-2030年需求增21倍,远超任何传统半导体材料增速,出口管制叠加扩产周期长,供需缺口长期存在
铟出口管制(2025年2月)为供给端关键约束;4英寸衬底向6英寸过渡可提升约125%单片产出,但过渡周期长达3-5年
分析师点评汇集
某分析师 · 0629发布
存储/PCB/光纤/电容/液冷坚定,电容Q3酝酿更大幅度涨价
发布时间:2026-06-29
  • 存储模组已成AI板块中最具性价比的资产之一:当前估值相对历史高点仍有显著折价,而景气度已确认
  • PCB厂商5月下旬起对非AI客户涨价20%-30%,7月预计全品类统一涨价20%-30%以上(含AI服务器高端板)
  • 光纤光缆:长飞/中天/亨通等头部厂商2H26订单能见度强,价格弹性高于市场预期
  • 电容(MLCC):Q3预计酝酿更大幅度涨价,缺货从AI专用扩散至全品类是关键拐点信号
  • 液冷:数据中心液冷渗透率快速提升,国内厂商(精达股份/英维克等)进入加速放量阶段
中信策略
AI通胀供需缺口交易类似2021年电新周期,四大见顶信号均未出现
中信策略团队 · 2026-06-30
  • 当前AI通胀供需缺口交易,类似2021年中旬的电新(新能源)周期起步阶段
  • 四大见顶信号(均未出现):①最不紧缺的商品价格见顶 ②下游大范围涨价抱怨开始出现 ③海外Capex披露密度明显提升 ④板块拥挤度发生坍塌
  • 当前HBM、MLCC、InP均处于"越涨越买"的正反馈阶段,下游厂商积极备货而非减少采购
  • 中信策略建议维持AI通胀全产业链敞口,择机补入被动元件(MLCC)和光芯片环节
太平洋证券
7月电子行业观点:AI通胀与传统通胀本质不同,7月重点关注存储/PCB/算力芯片
分析师:张世杰 · 2026-06-30 · 电子行业月度观点
  • AI通胀特殊性:AI通胀与传统经济通胀存在本质区别,不能简单套用经济通胀分析框架——上游价格若回落,反而可能提升AI渗透率与需求(正反馈),不是负面因素
  • 北美云厂商发债推进资本支出,大模型ARPU维持良性增长,需求端压力不大
  • 7月重点关注:中报业绩优异的头部PCB厂商(生益、深南、沪电等);AI服务器解决方案供应商
  • 长鑫IPO预期为Q3催化:国产DRAM进入供给重塑的临界阶段
今日关键路演结论汇总

天风证券电话会:HBM未来1.5年每季度涨价20%以上不是不可能;MLCC下半年供需比上半年更紧张;AI通胀轮动:光模块→光纤→半导体设备材料→PCB→MLCC→CCL→上游材料,龙头先行、小票跟涨。

中信科技早七点(363期):2027年HBM价格保守涨80%-100%,乐观情景涨2.5倍以上;当前长协约占原厂产能50%,合约期向3-5年延伸;AI资本开支中存储占比预计2027年超50%。

国联民生超级周期电话会(一):HBM多层堆叠工艺推高特种前驱体/高纯气体等需求,单产线材料价值量达传统产线的3-5倍;设备/零部件处于扩产二阶导确定性受益区间。

分环节速览
产业链环节 关键涨价数据(今日) 供给约束逻辑 今日新内容
存储 / HBM NAND +85% QoQ
DRAM +60% QoQ
DDR2合约 Q2+55-60%
HBM 2027E +80-100%
寡头垄断+建厂周期2-3年+百亿投资;SCA长协锁定约50%产能;HBM扩产向2027年以后预订 ★★★★★
美光Q3 415亿美元营收(+346% YoY);16份SCA;HBM市场千亿时间线提前至2027年
PCB / CCL / 电子布 PCB 7月全品类+20-30%
电子布均价7.4元/米(年内第5轮)
CCL 2026E毛利率+3-4pct
AI特种布抢占织布机产能;铜2026年缺口15万吨;PPE树脂(沙特)停产;英伟达M9认证稀缺 ★★★★☆
申万宏源生益科技深度报告;PCB 7月统一涨价确认;7月全品类涨价落地时间表清晰
模拟 / 功率半导体 AI服务器专用PMC +15-25%
工业储能隔离 +10-15%
8英寸产能利用率约90%
8英寸产能台积电/三星主动减产;成熟制程代工或涨价;AI DC建设激增功率需求 ★★★★☆
全球近20家企业7月1日同步启动涨价,华润微、扬杰科技等国内厂商跟涨
被动元件 MLCC 47μF最短缺
缺货蔓延至10μF/22μF/X5R
预计缺货至2027-2028年
AI高端订单挤压日韩厂通用产能;旧产线退出+新产线认证周期长;下半年更紧张 ★★★★☆
缺货范围超预期扩散至全主规格;中信/天风电话会确认Q3将更紧张
光模块 / 磷化铟(InP) LITE Q3营收 +90% YoY
光通道供给缺口 >30%
EML产量已增8倍
InP伴生属性限制扩产;中国出口管制;4→6英寸晶圆升级进行中;供需缺口超30% ★★★★☆
国信证券Lumentum深度;InP需求2025-2030增21倍;铟出口管制收紧预期
电力 / 数据中心供电 FERC并网审批缩至90天
机架能耗100kW→>1MW
US ESS 2030需求 +52%→303GWh
美国电网接入约束;800V HVDC 2027年推广;十五五能源规划20万亿 ★★★★☆
摩根大通FERC改革深度分析;Innio OW覆盖;ESS需求预测大幅上调
上游材料(铟/InP) InP需求2025→2030增21倍
铟需求 19→419吨
中国实施铟出口管制
铟与锌矿100%伴生,无法独立扩产;锌炼厂开工意愿低;出口管制收紧 ★★★☆☆
东吴证券小金属深度深化磷化铟供需分析
AI通胀产业链各环节HBM市场规模路径:2025-2030E(亿美元)
数据来源:东吴/广发/中信证券综合 · 2026-06-30 | 怎么看:HBM市场是AI通胀的压舱石,其规模千亿时间线提前至2027年是今日最重要的边际数据
2025-2026年为实际或预测值,2027年为美光管理层最新指引,2028-2030年为广发/中信综合预测;2027年HBM保守涨价80-100%叠加出货量增长,市场规模突破千亿确定性高
产业链图谱 · AI通胀景气热力图
需求端
AI大模型训练/推理
云计算/数据中心
AI服务器(GB300/H200)
Edge AI / 自动驾驶
↓ 算力需求拉动,向上游传导
核心算力
GPU / ASIC供给紧
HBM4 / HBM3E+80-100% '27E
CoWoS封装产能爬坡
T-Glass基板最紧缺
↓ 基础元器件需求爆发
关键元器件
MLCC (全品类)扩散至2028E
DDR5 DRAM+55-60% Q2
NAND Flash+85% QoQ
模拟/功率半导体+15-25% 7月
光模块/EML缺口30%
↓ 封装基材/互连需求拉动
PCB/基材
AI服务器PCB+20-30% 7月
高速CCLCAGR 20.7%
FC-BGA封装基板需求超供50%
光纤/光缆缺口拉大
↓ 上游原材料成本上涨传导
上游材料
磷化铟(InP)需求+21x '30E
铟(出口管制)+20%全球需求
电子布(玻纤)年内5轮涨价
精炼铜缺口15万吨
PPE树脂沙特停产
特种气体/前驱体HBM3-5x单线
↓ 能源/算力基础设施支撑
基础设施
液冷系统渗透快速
变压器/高压直流800V HVDC
燃气轮机/ESSInnio积压48亿
光储充一体化
十五五能源规划(20万亿)
图例说明

红色边框 = 供需缺口持续、涨价斜率最陡  |  金色边框 = 上游材料/涨价传导中  |  蓝色边框 = 需求侧/下游应用

标签 ↑价格 = 已发生或确认的涨价幅度/方向  |  = 供需趋紧但价格传导尚不完整

本报告内容由AI依据BRM MCP进行自动化检索与整理,所有数据引用均标注来源券商及发布日期。仅供内部研究参考,不构成投资建议。涉及价格预测数据均为券商研究员预测,非官方数据。