- 1HBM下一轮涨价50%-100%,Q4落地——长江、中信、国金证券三场专家电话会(7/13)一致判断:HBM为年度议价产品,2026年执行价未反映Q2-Q4行业均价涨幅,HBM4价格有望从26H2的2美元/颗上探27年4-5美元/颗;Server DRAM合约价Q3环比预期13-18%(三星实际已涨20%)。
- 2ABF载板交期拉长至12个月以上——高盛(7/12)指出,ABF载板交期从年初3-4个月延长至12个月+,26Q2现货已现40-60%涨幅,Q3起长协/现货价预计环比再涨10-15%/20%以上并至少延续到27年底;AI服务器CPU在ABF需求占比将从25年26%升至28年62%。
- 3磷化铟供需缺口超70%,国内光模块厂7月起正式涨价——光智科技点评(7/14):2026年全球磷化铟晶圆需求260-300万片,有效产能仅约75万片,精铟现货价5575元/公斤,较年初涨近80%;帝奥微交流(7/13)显示,国内光模块厂26年7月起进入涨价周期,幅度"几个点到二十几个点"。
- 4光纤价格加速上行——长飞光纤独家点评(7/14):北美长协单价6月内从10美元两连涨至15美元(6月初13美元、6月底15美元),藤仓、古河、康宁6月底同步上调产品价格20-30%,行业预计Q3光纤价格继续上行。
- 5PCB中报全面超预期,行业现"K型分化"——招商电子(7/14):沪电股份扣非归母+68-78%、生益电子+105-115%,深南电路+64-80%,均为AI相关业务驱动;奥士康、世运电路等非AI占比高的厂商反而同比下滑,上游CCL/电子布涨价成本能否转嫁成为分水岭。
本轮AI通胀已从"存储/PCB单点驱动"扩散至ABF载板、光纤/磷化铟、被动元件、电力配套等多环节同步共振。核心矛盾已从"要不要涨"转向"能涨多久、传导到哪个环节":供给端扩产周期普遍在1-3年以上(磷化铟衬底、ABF膜、高端CCL、SOFC产能均需新建产线),而需求端AI资本开支仍在加速,时间差是本轮涨价持续性的根本支撑。同时行业内部分化加剧——具备原材料自供能力、绑定AI客户结构的厂商弹性显著更高,非AI/消费类占比高的厂商反而承压。
- 预测南亚塑胶电子材料营业利润率将升至FY27新高30%,驱动力为T-glass/AI级CCL的成功切入,叠加大宗电子材料的持续短缺;玻纤、CCL量价增速均超预期。
- 预测玻纤、CCL业务FY26营收分别同比+230%、同比+80%;公司拥有4300台织布机及玻纤-铜箔-CCL-环氧树脂-PCB的一体化产能,供应稳定性与价格竞争力强于同业。
- 大宗级电子材料上行周期或持续至FY28;英伟达否认Kyber延期,若M10级CCL方案落地将带来额外上行空间。
- NAND极端MLC短缺,迫使车用与网通客户转向4Gb/8Gb SLC NAND;受边缘AI与数据中心需求拉动,26H2合约价预计上涨120%-170%(来源:Digitimes)。
- 高盛与麦格理预计AI服务器、CPU、EMIB-T、CPO将驱动ABF基板需求,供给短缺或持续至2028-2029年,两家机构均上调南亚PCB、景硕、欣兴目标价。
- 台系功率半导体厂因欧盟制裁扬杰科技(中国)获转单,叠加车用回补与3C复苏,BB值升至1.3-1.5,预计2026年营收增长10%-15%。
- 全球MLCC出货额预测:2026年174.3亿美元(+18.8%),2027年208.9亿美元(+19.9%),2028年242.5亿美元(+16.1%),主因AI/数据中心用大容量、小型化MLCC需求扩张。
- 村田在大容量小型化、高频稳定性等技术上具备领先优势,更可能通过差异化高附加值产品获取溢价,而非普遍提价;关键风险在于产能能否跟上AI服务器/数据中心的激增需求。
- 高盛:ABF载板交期由年初3-4个月拉长至12个月以上,AI服务器CPU在ABF需求占比预计由25年26%升至26/27/28年41%/53%/62%,AI服务器ABF需求25-28年CAGR约101%。
- 长协与现货价格自2026Q3起预计分别环比上升10%-15%/20%以上,并至少延续到2027年底;26Q2现货已出现40%-60%涨幅。
- 摩根大通大湾区调研确认AI PCB订单与多年可见度仍强,Vera Rubin PCB已进入量产,Kyber NVL144仍在多方案测试;CCL成本压力分化——AI用高阶CCL供给可控,低阶CCL涨价更明显,消费/汽车占比高的PCB厂利润更敏感。
- 高盛日本半导体设备投资者反馈:市场预期Tokyo Electron主动提价后其他前道设备商或跟随;市场对26Q3 NAND价格环比预期约上涨15%-20%。
市场对ABF/PCB涨价链的定价程度已显著超过近端盈利(26E),大部分分支涨幅已计提到2028年(天风证券策略观点,见M5);但高盛/JPM一手数据显示,ABF交期紧张、AI服务器CPU占比持续提升等供给约束仍在边际强化,尚未出现证据表明涨价周期提前见顶。
- 美国数据中心电力缺口测算:2026-2028年合计38GW(较此前47GW预测下修),当前在建产能15GW(较前次上修5GW);电力可用性、输电接入与并网仍是AI部署的核心瓶颈。
- 四类时间到电(time-to-power)解决方案:天然气轮机15-20GW(至2028年)、Bloom Energy燃料电池5-8GW、核能协同选址0-5GW(较此前5-15GW下修,反映政治风险担忧)、比特币矿场改造为AI数据中心(具备并网协议的算力约25GW,为最高确信度方案)。
- 供应链视角:磷化铟(用于光收发器内部激光器)约70%全球产能集中在中国,2025年2月起被列入中国出口管制清单;随着瓶颈从算力转向数据搬运,该组件战略重要性上升。
- 三星自26Q1起大幅上调车规DRAM/NAND价格,两类产品Q1累计涨幅分别接近70%/100%,交付周期拉长至24-30周;SK海力士6月4日公告Q3起上调eMMC/UFS等车载嵌入式存储价格8%-12%,交期同步延至14-16周,新增产能优先供AI;美光跟进全品类车规存储涨价。
- 通用存储现货:16Gb DDR5从25年9月15日6.2美元涨至26年6月29日46.7美元(涨约6.5倍);DDR4 8Gb从4.7美元涨至28.5美元(涨约5.1倍);NAND MLC同期涨幅3-4倍。
- CFM预测26Q3服务器DDR5/eSSD价格环比涨幅10-20%/25-30%,Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS涨幅5-15%/15-25%,PC DDR5/LPDDR5X涨幅13-18%;威刚董事长陈立白预计Q3 DRAM合约价+20%-30%,NAND+35%-40%。2026年汽车可预计获得的DRAM产能仅占全市场4%。
- 部分原厂提早在26Q2报价反映涨幅,叠加美系云厂商已签多年期长约限制原厂对该类客户涨价空间,TrendForce预估Q3 Server DRAM合约价季增13%-18%;随供需缺口延续,Q3起原厂涨价来源逐步转向非长约客户及长约客户的追加供给。
- 美光宣布加快本土晶圆厂与技术投资,预计到2035年累计投入超2500亿美元(此前预计2000亿美元,上修500亿)。
- 台积电、三星近期上调晶圆代工价格5%-15%,台积电已通知英伟达、苹果、AMD将3nm/5nm/7nm制程价格上调5%-10%(覆盖其七成以上晶圆代工营收),三星对4nm/5nm先进制程及部分车规8nm制程新客户供货价格提高约15%。
- 美光同步宣布纽约州工厂提前施工,并拟向环球晶圆提供5亿美元战略融资,签署10年期长约锁定300毫米硅晶圆产能。
- PCB板块呈现"K型分化":AI相关业务强劲,沪电股份扣非归母27.3-28.8亿元(+68%-78%)、生益电子10.8-11.4亿元(+105%-115%)、深南电路20.8-22.8亿元(+64%-80%)、方正科技+204%-270%均超预期或符合预期;而非AI占比高的奥士康、世运电路、红板科技、博敏电子同比下滑甚至转亏。
- CCL板块H1涨价持续加速,Q2业绩环比多数翻倍:金安国纪扣非归母+908%-1030%,华正新材+337%-483%,宝鼎科技+450%-533%;26H2上游铜箔加工费上涨、玻璃布供给偏紧(薄型布被AI专用低Dk布挤占),CCL涨价周期持续时间和幅度可能超前期预期。
- 展望下半年,AI行业需求旺盛,新增产能陆续开出,稼动率向上叠加产品结构优化;非AI PCB领域调价传导机制对盈利端的修复有望超预期,订单进一步集中到有上游原物料供应资源的厂商。
- PCB用CCL向M9+Q布迭代:英伟达Rubin芯片背板与CPX部分已确定采用M9+Q布方案,Q布二氧化硅纯度达99.99%、硬度为传统E-glass的1.5倍;M8钻针寿命约1000针,M9钻针实验室寿命仅100-200针,耗针量大幅提升。
- 高端钻针供需错配致价格易涨难跌:龙头企业产能利用率普遍超90%,普通钻针价格涨幅约25%,30倍长径比高端钻针涨幅35%以上;高端产能集中在日系厂商,短期难以大幅扩产。
- 1.6T光模块单模块磷化铟衬底消耗量是800G的2.7-3倍;英伟达官方测算2026-2030年全球磷化铟晶圆需求将激增约20倍,超八成来自AI数据中心;Yole测算2026年全球需求260-300万片,有效产能仅约75万片,缺口超70%。
- 中国海关自6月19日起强化金属铟及相关产品出口审查,欧美买家出口审批周期从当日办结延长至数天;精铟现货均价截至6月下旬已涨至5575元/公斤,较年初涨幅近80%,创近十年新高。
- 光智科技拟增资取得先锐科技50.08%股权,现有产能年产24万片磷化铟衬底,总投资20亿元扩产计划(衢州)已完成备案,达产后年产磷化铟/砷化镓衬底各300万片,建设期2026年8月至2029年8月。
- AI数据中心需求推升光纤价格快速上涨:CRU全球G.652.D裸纤现货价格指数(CRUofpi)2025年5月企稳后于26年1月因AI数据中心需求爆发跃升至107.9,26年3月以三位数涨幅飙升至263.0,创CRU自2017年监测以来最大单月涨幅。
- 2025年全球数据中心光纤用量达6960万芯公里,2026年有望突破1亿芯公里;AI驱动的光纤需求占比预计从2024年不足5%攀升至2027年35%;G.657A1(AI智算中心内部高密度互联用)价格涨幅快于传统G652D。
- 2026H1归母净利润2.7-3.0亿元(同比+61.84%-79.82%);MLCC、片式电阻器、电感器等主营产品受益阻感容行业景气上行,销量及单价同比上升,元件业务向高端转型。
- 产品广泛应用于AI算力、新能源汽车、低空经济等高成长赛道,2025年AI算力等新兴市场板块销售额持续突破,产品向40余家行业标杆客户导入500余款产品。
- 本轮涨价已扩散到先进封装/ABF载板/光芯片/PCB/CCL/电子布/算力租赁等多个环节;台积电向供应链发布CoWoS玻璃基板开发计划,英特尔、三星电机、AMD密集布局,玻璃基板跨入产业化验证阶段。
- 涨价确定性较强的方向:磷化铟、高端电容、六氟化钨、电子特气等;供给端普遍面临扩产周期长、设备端锁定1-2年的刚性约束,与上一轮新能源碳酸锂式的快速扩产不具可比性。
- SOFC(固态氧化物燃料电池)部署时间快(Bloom Energy 50MW可90天内交付、100MW 120天内交付),纯发电效率65%,热电联产综合效率达85%-95%,显著高于传统燃气轮机;在AI数据中心快速部署、稳定供电诉求下,正成为算力基础设施重要电源方案。
- 2025年SOFC出货量约0.5GW(市场空间约100亿元);预计2026年出货量提升至1.8GW(同比+253%),市场空间近370亿元;2030年出货量有望达16GW,市场空间近2900亿元,2025-2030年CAGR约95%。
- SOFC初始成本较高但整体经济性较好,LCOE约0.16-0.20美元/kWh,仍有降本空间;燃气轮机LCOE区间为0.05-0.25美元/kWh但联合循环冷启动需30分钟至2小时,部分负荷特性较差。
- 腾讯作为基本盘,26年截至6月已获2亿多元订单(含EPC),全年有望达5亿元;阿里25年底进入白名单,26年上半年已中标电力方舱及液冷约1亿元以上;东南亚多个开发商合作预计下半年订单集中落地。
- 技术端SST(固态变压器)预计26Q3发布,液冷POD单柜PUE低至1.15;国产算力侧深度绑定沐曦、燧原、摩尔线程等,26年有望贡献数千万元收入。
万联证券通信策略报告指出,英伟达Rubin平台已实现100%全面液冷(冷却液温度达45℃),系统内每颗芯片、每个网络组件均依靠液冷散热;谷歌第八代TPU同样由第四代液冷技术支持。北京市《存量数据中心优化工作方案》自2026年起对PUE超1.35的数据中心征收差别电价(超1倍以上加价0.5元/度),液冷渗透率提升已从"降本选项"转变为"合规硬约束",SOFC、液冷两条主线在AIDC电力配套环节形成共振。
杨洋@长江电子(2026-07-13):SK海力士26Q3营业利润指引低于预期,主因HBM收入占比达45%显著高于同行,而HBM为代际定价、尚未跟涨,近期DRAM/NAND涨幅较大但HBM未同步调价,拖累当季利润;预计HBM下一轮涨价50%-100%将于26Q4落地,涨幅远超普通DRAM/NAND,判断本次业绩不及预期不具持续性。
陈子莹(2026-07-13):TrendForce预期26Q3 NAND涨幅约30%-40%、DRAM涨20%-30%,Q4整体再涨15%,2027年逐季再涨5%;HBM为年度议价产品,2026年执行价未反映Q2-Q4行业均价涨幅,展望2027年HBM单价保守预计上涨80%-100%,乐观情景可达2.5倍。
樊志远(2026-07-13):HBM4价格预计从26H2的2美元/颗涨至27年4-5美元/颗;集邦咨询预测26Q3 server DRAM合约价环比+13%-18%,判断该预测偏保守(三星已提价20%,部分LPDDR涨幅更大);台积电CPU用CoWoS产能26Q4提升至每月1.5万片、2028年增至2.5万片/月,CPO正从实验走向量产。
2026-07-13:HBM价格预计持续大幅上涨;DRAM/NAND价格26Q3增长15%-20%,Q4再增10%-15%,涨势有望延续至2028年上半年;国内长鑫科技定价结果预计7月13-14日公布,7月16日启动线上线下申购,或对国内存储板块产生影响,核心驱动力仍来自云厂商需求。
孙潇雅(2026-07-13):26H2纯挤占式涨价不是主线,但AI链因技术迭代(二代布、T布、4代铜量产、5代铜导入、载板国产化)产生的通胀与供需错配应给予更高估值——国产铜箔厂商目前多数仍以RTF为主,H2-3批产出货企业寥寥,H4/H5尚需时间,AI客户导入壁垒每一步至少需1年。26H2重点看好载板(22-25年下行周期后首次GPU/CPU/存储三方需求共振)及上游ABF膜、载体铜箔国产化。
2026-07-13:光模块AFE/TEC等料号已陆续导入光迅、华工、Coherent、剑桥、Credo、中际旭创等客户;单位价值量方面,56pin的800G AFE单颗2-3美元,升级至100pin的1.6T/3.2T AFE后单颗价值升至10美元以上。涨价趋势:海外厂商25年7月已开始涨价,国内厂商26年进入涨价周期,公司26年7月起正式执行提价,幅度"几个点到二十几个点",供需矛盾预计驱动涨价持续到下半年及以后。
2026-07-13:过去两年供大于求、价格持续下跌的第三代半导体6英寸碳化硅基板,因产能约束、多领域需求同步释放,价格已触底并开启回暖上行通道;客户增加采购规模需加价,厂商已难以承接新增订单。涨价逻辑:一是通胀带来的产业链联动叠加地缘因素驱动功率半导体新一轮涨价;二是AI数据中心与新能源汽车800伏高压平台为碳化硅、氮化镓创造刚性长期需求。
2026-07-12:台积电已提前与合作客户沟通明年成熟制程涨价安排,调价政策预计27年1月正式生效,整体涨幅预判处于个位数百分比区间;这是疫情后三年多以来台积电首次上调成熟制程报价,反映AI需求已从GPU/HPC先进制程扩散至PMIC、功率器件等成熟制程品类。今年上半年其余晶圆代工与封测公司已陆续上调代工/封测报价,晶圆制造成本持续走高,成本压力正逐层向下游芯片传导。
2026-07-14:专家判断,下游存储扩产虽由AI强劲驱动,但光刻胶供应不具备弹性,日系大厂不会随意配合客户扩产或随时供货;此前因石油涨价德国M公司已对外宣布涨价,但光固化胶整体利润率较高,日本厂商产能富余、有空间消化成本,预计光刻胶涨价"会有但不会很明显";三星、SK海力士当前扩产计划与日本光刻胶供应商的产能协调进度尚不明确,存在潜在瓶颈。
| 环节 | 今日核心数据 | 价格信号 | 趋势 | 主要来源 |
|---|---|---|---|---|
| 存储/HBM | Server DRAM 26Q3合约价环比预测+13%-18%(三星实际已涨20%);HBM下轮涨价50%-100%,Q4落地,HBM4望27年涨至4-5美元/颗 | 大幅上涨 | ↑↑ | 华源/长江/中信/国金证券 |
| PCB/CCL/电子布/铜箔 | ABF载板交期由3-4个月拉长至12个月以上,26Q2现货已涨40%-60%;PCB高端钻针涨35%+,CCL厂26H1利润多数翻倍 | 大幅上涨 | ↑↑ | 高盛/招商电子/JPM/浙商证券 |
| 模拟与功率半导体 | 台积电成熟制程明年1月涨价(个位数%);6英寸SiC基板价格触底回暖,增量订单需加价采购 | 温和上涨 | ↑ | 产业独家点评 |
| 被动元件MLCC | 全球MLCC出货额26年预测174.3亿美元(+18.8%);风华高科26H1净利润同比+61.84%-79.82%,量价齐升 | 温和上涨 | ↑ | 摩根士丹利/申万宏源 |
| 光模块/光纤/磷化铟 | 磷化铟供需缺口超70%,精铟现货较年初+80%;长飞光纤北美长协价6月内10→15美元两连涨,国内光模块厂7月起涨价 | 大幅上涨 | ↑↑ | 光智科技/长飞光纤/万联证券/帝奥微 |
| 电力与能源 | 美国数据中心电力缺口2026-28年合计38GW;SOFC 26年出货量预测1.8GW(+253%),液冷POD最低PUE达1.15 | 供给紧张 | ↑ | 摩根士丹利/国信证券/科华数据 |
| 上游材料与液冷 | 磷化铟/高端电容/六氟化钨/电子特气涨价确定性较强;供给端普遍面临1-2年设备锁定的扩产刚性约束,国产替代同步加速 | 温和上涨 | ↑ | 国泰海通/开源证券 |