核心观点：Agentic AI在HBM之外多线拉动存储需求（常规服务器与AI服务器CPU头节点的DDR5/LPDDR5、KV cache与存储用NAND），需求增速在2027年继续加速，而供给跟不上。

• 2027E DRAM位需求同比+36%（2026E为+22%），NAND +23%（2026E为+20%）
• 存储行业收入2026E逼近1.0万亿美元、2027E约1.8万亿美元；上行周期主要约束是买方（超大规模云商）的支付能力，需持续借助资本市场融资
• HBM位需求：2026E 33.1bn Gb（+90%）、2027E 58.7bn Gb（+77%）；供给份额2026E 海力士48%/三星30%/美光21%，2027E三星41%反超海力士39%
• 供给侧：增量DRAM晶圆产能几乎全部转向HBM，NAND（除中国外）无新增产能
• LTA长协谈判持续推进，部分量以固定价格锁定；三星拟在Q3前完成更多大客户（含OEM）协议，海力士聚焦头部云商的DDR5与NAND

核心观点：2Q26初步业绩由DRAM/NAND均价大涨驱动，服务器DRAM与eSSD需求旺盛；受新厂交付周期限制，存储供给紧张将持续至2027E。

• 2Q26营收171.0万亿韩元（环比+28%、同比+129%）；经营利润89.4万亿韩元（环比+56%、同比+1,812%），经营利润率52%
• 2Q26 DRAM出货位增+12%、ASP环比+45%；NAND出货位增+3%、ASP环比+57%（eSSD需求强劲）
• 2026E全年：DRAM/NAND位增+26%/+15%，ASP同比+299%/+297%
• 存储定制化（memory customization）驱动结构性增长，预计存储短缺在长周期内加剧并延长
• 2Q26业绩会三大看点：奖金计提对利润的影响、2H26与2027供需展望、存储LTA长协进展

• 三星代工：6月实现单月盈利、为3年来首次，驱动来自HBM base die放量与良率改善，内部目标3Q实现季度转正
• DRAM：三星拟寻求最高20%的DRAM涨价（AI需求收紧供给，Digitimes）
• MLCC：AI服务器MLCC需求超过供给，三星电机与村田订单积压创历史新高，行业BB值（订单出货比）达疫情后高点；TrendForce预计交期延长、价格继续上调，2026年末高端MLCC或现供给紧缺
• CXMT（长鑫）：快速扩产，或对三星/海力士/美光的主流存储产品构成挑战
• 英伟达：驳斥Semianalysis"Kyber机架架构延期12个月以上"的报道，称路线图不变

核心观点：AI订单挤占常规产能+近端新增产能有限，常规CCL进入月度涨价通道，且盈利弹性直接兑现到毛利。

• 建滔（KBL）今日再发常规FR4 CCL涨价函+15%，此前6月已两轮+15%、+10%；现价约220元/张，已超上一轮周期高点
• UBS预计月度涨价节奏延续至2H26并进入1H27，核心逻辑是AI挤出常规供给（crowding out）、近端无新产能
• BT载板：尽管有韩国存储厂压价传闻，中国厂商（深南、兴森）反馈无此情况，稼动率极高，2H26价格向好
• mSAP扩产潮（对应1.6T/3.2T光模块）：鹏鼎7月3日公告拟募资96亿元建淮安厂，新增高端HDI年产能65.56万平米；兴森6月23日定增39亿元（20亿建珠海mSAP厂、年产12万平米）；胜宏约10亿元在4厂上mSAP产线

核心观点：4-6月部件厂利润受AI服务器、产机、汽车拉动，有望达标或超预期；MLCC涨价的时点判断比市场更晚但更结构化。

• MLCC供需：JPM预计FY2027起短缺，7-9月提价空间有限；价格拐点在10-12月——客户就2027年供货谈判时将意识到短缺
• 村田1Q（4-6月）营业利润预测865亿日元，考虑日元贬值与市况，或超900亿日元
• TDK 1Q营业利润预测674亿日元，超700亿即为明显上行；太阳诱电预测50亿日元，韩国MLCC工厂罢工结束时点是主要变量
• 罗姆（Rohm）受市况恢复+分立器件（功率半导体）供需紧张，1Q预计超公司计划；广濑电机、美蓓亚同样预计超预期
• 汇率：多数公司按150-155日元/美元做预算，实际4-6月159-160，构成利润顺风

• 国巨（Yageo）：普通型（commodity）MLCC定价上行周期开启，驱动是更多产能被转配到AI产业——AI不只抬高AI品价格，还通过产能挪移收缩普通品供给
• 韩国硬件：MLCC与ABF载板受AI拉动，上调三星电机（SEMCO）与LG Innotek盈利预测
• 纳芯微管理层会（7-5）：AI服务器功率半导体业务处于扩张期，规模扩大与产品结构改善带动毛利率提升

• 上调FY26/27/28E EPS预测5%/10%/16%，反映盈利能力、AI需求可见度、扩产与2028年定价更坚挺
• 近端毛利率有望逼近70%；预计2027年在供需缺口扩大背景下实施更大范围涨价
• 2024-29E数据中心AI收入CAGR上调至69%（含更高的加速器与大幅上调的AI CPU出货假设）
• 预计法说会上管理层将展示2027-29年大幅扩产意愿，回应"扩产保守"的质疑

核心观点：数据中心扩张的约束正从物理电网转向"社会许可"（social license）与监管成本分摊，将系统性拉长审批周期、抬高大负荷用户的接入成本，利好离网/自备电（behind-the-meter）方案与APAC电力设备链。

• 美国民调对数据中心的反对率从去年8月的40%+升至今年5月的70%+，担忧集中在水耗、电耗与居民电价上涨
• 1Q26美国有20个数据中心项目被取消；14个州正在讨论或考虑暂停审批（moratorium）
• FERC上月要求六大电网运营商修订大负荷用户电价规则：新增发电、输电、并网及电网升级成本100%由大负荷用户自担，不再向普通用户摊派
• 读through：并网成本抬升令自备电源（ESS、燃机、SMR）与降低电网依赖的方案吸引力上升，APAC电力设备供应链（对美出口敞口）直接受益

• 封装：日月光（全球OSAT龙头）再度调整封装报价，涨幅最高超20%（MoneyDJ）
• Q3存储合约价预期（CFM闪存市场）：服务器DDR5环比+10-20%、eSSD +25-30%、Mobile LPDDR4X/5X +5-15%、eMMC/UFS +15-25%、PC DDR5/LPDDR5X +13-18%、cSSD +15-25%
• 韩国扩产：三星集团宣布2655万亿韩元投资半导体集群/AI半导体/机器人/电池等；SK集团1100万亿韩元半导体投资并分阶段建设15GW AI数据中心
• SK海力士将龙仁半导体集群完成时点提前12年（原定2045年），龙仁投资约600万亿韩元、清州NAND扩产约100万亿韩元、西南地区新集群约400万亿韩元
• 国产芯片：华为海思发布《多层电子系统的时间缩放理论》V2（"韬定律"），新麒麟SoC在固定制程下晶体管密度+55%、同性能功耗-41%

• 韩国5760亿美元芯片投资是AI时代对存储的"国家级押注"；HBM、DDR5、eSSD需求推升供需紧张
• 受益顺序：先进DRAM前道 → HBM封测 → 新Fab厂务设备分阶段受益，后道（封测）弹性或优先释放
• Meta拟出售多余AI算力：本质是把AI基础设施从成本中心转为可变现资产、提高资本开支可解释性，不代表削减CapEx，对GPU/HBM/服务器/光模块硬件链中长期不构成利空

• 2025年以来存储部分产品价格最高上涨17倍，AI相关的CPU/GPU/代工/先进封装/HBM/模拟/功率/PCB/覆铜板/电子布/光模块/光芯片/光纤/MLCC全线出现供给缺口涨价，价格涨幅在2-17倍之间
• 供给端：晶圆厂稼动率约9成，设备采购额快速增长，未来1-2年产能有序扩张；本轮缺口大概率持续到2027年
• HBM：2024-2030全球收入CAGR约33%，2030年占DRAM市场份额或达50%
• 国产存储：长鑫为全球第四大DRAM厂（25Q4份额7.67%、2025年营收618亿元）；长江存储26Q1全球份额13%；两家均筹备A股上市

核心观点：行业定价逻辑已由"以价换量"转向"成本加成"；本轮由AI服务器高端品驱动、按2-3年路线图执行订单，非短期超额下单，涨价持续性强于历史周期。

• 需求强度：英伟达VR200 NVL72单机约60万颗MLCC、较GB300平台多30%+（电压规格从2.5V到上千V）；Rubin平台单机MLCC价值量升至4000美元
• 订单出货比（BB值）：村田自25Q3持续上行、25Q4达1.24；国巨4月达1.3、AI相关产品1.4
• 供给约束：高端MLCC扩产周期18-24个月，缺口无法快速填补；村田等日韩厂收缩中低端消费产能、资源向高端倾斜，中低容订单外溢至国内
• 国产承接：风华高科8项关键材料自主供应、成本较进口低20-25%、1000层以上堆叠良品率提升20%，高容MLCC单机用量2.8万颗供华为/浪潮；三环高容0805 47μF已量产、1206可做100μF以上

• 全球近20家模拟及功率半导体企业7月1日启动新一轮涨价，年内呈多批次阶梯式调价；厂商在手订单饱满、产能能见度显著提升
• 驱动因素：晶圆代工与原材料成本上升 + AI数据中心功率芯片需求激增形成共振；份额向IDM全链条或深度绑定上游的头部集中
• 上游特气：氦气中东/俄罗斯主要进口来源几乎"清零"，俄罗斯4月14日起实施氦气出口管制；中东气源即便恢复通航也需数月重启；国内库存快速下降，下游（半导体/核磁）对涨价接受度高，价格弹性大
• AI服务器MLCC搭载量较普通服务器提升约3倍以上（中国证券报），MLCC粉体等上游材料需求激增

• 光模块：行业处在800G向1.6T技术迭代期，1.6T已批量出货并起量；2026年CPO有望初步规模化，带动光引擎、CW光源、FAU、MPO、光纤需求
• 光芯片：持续供不应求，研发和扩产周期长、验证壁垒高，部分光芯片供需缺口持续扩大；EML产能紧缺推动CW光源放量
• 光纤光缆：算力需求拉动光纤涨价、量价齐升；Meta与康宁达成60亿美元多年光纤供应协议；空芯光纤获亚马逊、微软与国内三大运营商部署，从实验室走向规模化商用

• 电力变压器：数据中心供电从终端负荷转向需专属230-500kV变电站支撑的枢纽级负荷；北美进口依赖度80%，产能释放普遍推迟至27-28年，交期已拉长至100周以上，成为AIDC投产的核心瓶颈；供需错配预计延续至2030年
• SOFC：6月30日Brookfield与Bloom Energy将AI基础设施合作从50亿美元扩至250亿美元（5倍），是AEP、Oracle、Nebius订单之外的又一验证——SOFC已成AI自备电核心选择
• 固态变压器（SST）：国电南瑞旗下中电普瑞发布第二代全场景SST（适配AI超算中心等四大场景），签署4份合作意向书，26-27年进入产品密集发布、测试与订单突破期

核心观点：北美缺电是"需求指数级增长×供给三重瓶颈"的错配，现场发电（自备电）成为AIDC快速落地的核心路径。

• 需求：美国已建成投运及规划数据中心5427个、占全球45%；2025-2030年数据中心贡献全美负荷增量的55%；2030年新增负荷最大65GW
• 供给：美国电力基建平均寿命35-40年，电力问题致停机占比从2020年37%升至2025年45%；并网累计排队2290GW、从申请到投运平均超4.7年
• 错配核心：AI数据中心从选址到投运仅需2-3年，接入电网却需4-10年——催生燃气轮机/燃气发动机/SOFC/柴发四类现场发电方案
• 路线判断：燃气轮机是"产业格局最优、技术护城河最深、供给约束最硬"的赛道；燃气发动机是最现实的外溢替代（CCGT建设需2-4年，内燃机部署快得多）；SOFC发电效率可突破60%、实现1GW规模仅用约15年（各路线最快）

• 西门子能源获阿曼近2.6GW燃机订单（6台SGT5-4000F+6台发电机+20年长期服务协议），并将未来几年全球燃机年均需求预期由90-100GW上调至110-120GW——数据中心与电力负荷增长是主因
• 国内首个550兆瓦级F级燃机项目（华电重庆潼南，2×550.12MW、总装机1100MW）6月30日全容量投产，年发电量预计21亿千瓦时

• DRAM：三星已确认Q3 DRAM平均售价再上调20%；服务器与手机LPDDR涨幅超20%
• CPU：英特尔7月3日宣布服务器处理器涨价30-50美元，数据中心产品涨幅更大、部分达数百至上千美元
• 代工/封测：台积电7nm以下先进制程全面涨价；PCB电路板同步出现涨价
• 供给硬约束：海外原厂年扩产幅度仅10-15%；光刻机从订货到交付需1-2年、全球年产量仅70-80台且需与逻辑芯片分配，上游蔡司镜头构成二阶瓶颈——韩国实地调研确认扩产比预期更慢

• 价格全景（年初→当前）：常规FR-4 150→220元/张（+46%）；M6 280→350（+25%）；M7 380→480（+25%）；M8 1000出头→1200（+18-20%）；M9涨百分之十几
• FR-4大涨的直接原因是E玻纤薄布断货：普通E布被M6混压需求抽走，M8级放量带动M6用量、连锁导致普通布买不到
• 毛利率：FR-4现价对应约22%（涨至260元可达25%）；M6超30%（最好情形30.5-40%、不超40%）；M7约35%
• 量与格局：M6月出货约320万张；AI服务器用高端布2024年起爆发，预计2028年价值超过通用服务器；M6国内已有多家可做（如上海南亚），新进供应商会抑制高阶品涨价斜率

• 英飞凌、ST、恩智浦、安森美均有不同程度涨价，核心原因是产能向AI服务器倾斜 + 终端订单量暴涨
• 价格位置：部分物料从2022年的1元跌至2023-24年的0.3元，当前即便涨100%也仅约0.6元、仍低于2022年水平——本轮涨价是修复性而非泡沫性
• 供需结构实质改善：厂商在手订单饱满、产能能见度显著提升（与中信建投"7月1日近20家集中调价"互证）